Detector de luz APD de substrato de wafer epitaxial InP de 2, 3 e 4 polegadas para comunicações de fibra óptica ou LiDAR

Substrato de wafer epitaxial InP de 2, 3 e 4 polegadas, detector de luz APD para comunicações de fibra óptica ou LiDAR Imagem em destaque

Descrição curta:

O substrato epitaxial de InP é o material base para a fabricação de APD, geralmente um material semicondutor depositado no substrato por tecnologia de crescimento epitaxial. Os materiais comumente utilizados incluem silício (Si), arsenieto de gálio (GaAs), nitreto de gálio (GaN), etc., com excelentes propriedades fotoelétricas. O fotodetector de APD é um tipo especial de fotodetector que utiliza o efeito fotoelétrico de avalanche para aprimorar o sinal de detecção. Quando fótons incidem no APD, pares elétron-lacuna são gerados. A aceleração desses portadores sob a ação de um campo elétrico pode levar à formação de mais portadores, um "efeito avalanche", que amplifica significativamente a corrente de saída.
Wafers epitaxiais cultivados por MOCvD são o foco das aplicações de diodos de fotodetecção de avalanche. A camada de absorção foi preparada com material U-InGaAs com dopagem de fundo <5E14. A camada funcional pode utilizar camada de InP ou InAlAs. O substrato epitaxial de InP é o material básico para a fabricação de APD, que determina o desempenho do detector óptico. O fotodetector APD é um tipo de fotodetector de alta sensibilidade, amplamente utilizado nas áreas de comunicação, sensoriamento e geração de imagens.

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As principais características da folha epitaxial a laser InP incluem

1. Características da lacuna de banda: O InP tem uma lacuna de banda estreita, adequada para detecção de luz infravermelha de onda longa, especialmente na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,5 μm.
2. Desempenho óptico: O filme epitaxial InP apresenta bom desempenho óptico, como potência luminosa e eficiência quântica externa em diferentes comprimentos de onda. Por exemplo, em 480 nm, a potência luminosa e a eficiência quântica externa são de 11,2% e 98,8%, respectivamente.
3. Dinâmica dos portadores: As nanopartículas (NPs) de InP apresentam um comportamento de decaimento exponencial duplo durante o crescimento epitaxial. O tempo de decaimento rápido é atribuído à injeção de portadores na camada de InGaAs, enquanto o tempo de decaimento lento está relacionado à recombinação de portadores em NPs de InP.
4. Características de alta temperatura: o material do poço quântico AlGaInAs/InP tem excelente desempenho em alta temperatura, o que pode efetivamente evitar vazamento de fluxo e melhorar as características de alta temperatura do laser.
5. Processo de fabricação: As folhas epitaxiais de InP geralmente são cultivadas no substrato por epitaxia de feixe molecular (MBE) ou tecnologia de deposição química de vapor metal-orgânico (MOCVD) para obter filmes de alta qualidade.
Essas características fazem com que os wafers epitaxiais de laser InP tenham aplicações importantes em comunicação por fibra óptica, distribuição de chaves quânticas e detecção óptica remota.

As principais aplicações dos comprimidos epitaxiais de laser InP incluem

1. Fotônica: Lasers e detectores de InP são amplamente utilizados em comunicações ópticas, data centers, imagens infravermelhas, biometria, detecção 3D e LiDAR.

2. Telecomunicações: Os materiais InP têm aplicações importantes na integração em larga escala de lasers de longo comprimento de onda baseados em silício, especialmente em comunicações por fibra óptica.

3. Lasers infravermelhos: Aplicações de lasers de poço quântico baseados em InP na banda do infravermelho médio (como 4-38 mícrons), incluindo detecção de gás, detecção de explosivos e imagens infravermelhas.

4. Fotônica de silício: por meio da tecnologia de integração heterogênea, o laser InP é transferido para um substrato à base de silício para formar uma plataforma de integração optoeletrônica de silício multifuncional.

5. Lasers de alto desempenho: materiais InP são usados para fabricar lasers de alto desempenho, como lasers de transistor InGaAsP-InP com comprimento de onda de 1,5 mícron.

A XKH oferece wafers epitaxiais de InP personalizados com diferentes estruturas e espessuras, abrangendo uma variedade de aplicações, como comunicações ópticas, sensores, estações base 4G/5G, etc. Os produtos da XKH são fabricados com equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, a XKH possui uma ampla gama de canais de fornecimento internacionais, pode lidar com o número de pedidos com flexibilidade e fornecer serviços de valor agregado, como desbaste, segmentação, etc. Processos de entrega eficientes garantem a entrega no prazo e atendem aos requisitos de qualidade e prazos de entrega dos clientes. Após a chegada, os clientes podem obter suporte técnico completo e serviço pós-venda para garantir que o produto seja colocado em uso sem problemas.