Substrato de wafer epitaxial InP de 2, 3 e 4 polegadas, detector de luz APD para comunicações de fibra óptica ou LiDAR.

Descrição resumida:

O substrato epitaxial de InP é o material base para a fabricação de APDs, geralmente um material semicondutor depositado sobre o substrato por meio de tecnologia de crescimento epitaxial. Materiais comumente usados incluem silício (Si), arseneto de gálio (GaAs), nitreto de gálio (GaN), etc., com excelentes propriedades fotoelétricas. O fotodetector APD é um tipo especial de fotodetector que utiliza o efeito fotoelétrico de avalanche para amplificar o sinal de detecção. Quando fótons incidem sobre o APD, pares elétron-buraco são gerados. A aceleração desses portadores sob a ação de um campo elétrico pode levar à formação de mais portadores, um “efeito de avalanche”, que amplifica significativamente a corrente de saída.
Os wafers epitaxiais crescidos por MOCvD são o foco das aplicações de diodos de fotodetecção por avalanche (APD). A camada de absorção foi preparada com material U-InGaAs com dopagem de fundo <5E14. A camada funcional pode utilizar InP ou InAlAs. O substrato epitaxial de InP é o material básico para a fabricação de APDs, que determina o desempenho do detector óptico. O fotodetector APD é um tipo de fotodetector de alta sensibilidade, amplamente utilizado nas áreas de comunicação, sensoriamento e imagem.

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Características

As principais características da folha epitaxial de laser InP incluem:

1. Características da banda proibida: O InP possui uma banda proibida estreita, sendo adequado para a detecção de luz infravermelha de onda longa, especialmente na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,5 μm.
2. Desempenho óptico: O filme epitaxial de InP apresenta bom desempenho óptico, como potência luminosa e eficiência quântica externa em diferentes comprimentos de onda. Por exemplo, em 480 nm, a potência luminosa e a eficiência quântica externa são de 11,2% e 98,8%, respectivamente.
3. Dinâmica dos portadores: Nanopartículas (NPs) de InP exibem um comportamento de decaimento exponencial duplo durante o crescimento epitaxial. O tempo de decaimento rápido é atribuído à injeção de portadores na camada de InGaAs, enquanto o tempo de decaimento lento está relacionado à recombinação de portadores nas NPs de InP.
4. Características em altas temperaturas: O material de poço quântico AlGaInAs/InP apresenta excelente desempenho em altas temperaturas, podendo prevenir eficazmente o vazamento de fluxo e melhorar as características do laser em altas temperaturas.
5. Processo de fabricação: As folhas epitaxiais de InP são geralmente cultivadas no substrato por meio de epitaxia por feixe molecular (MBE) ou tecnologia de deposição química de vapor metalorgânica (MOCVD) para obter filmes de alta qualidade.
Essas características conferem aos wafers epitaxiais de laser InP importantes aplicações em comunicação por fibra óptica, distribuição de chaves quânticas e detecção óptica remota.

As principais aplicações dos comprimidos epitaxiais de InP produzidos por laser incluem:

1. Fotônica: Lasers e detectores de InP são amplamente utilizados em comunicações ópticas, centros de dados, imagens infravermelhas, biometria, sensores 3D e LiDAR.

2. Telecomunicações: Os materiais de InP têm aplicações importantes na integração em larga escala de lasers de comprimento de onda longo baseados em silício, especialmente em comunicações por fibra óptica.

3. Lasers infravermelhos: Aplicações de lasers de poço quântico baseados em InP na faixa do infravermelho médio (como 4-38 micrômetros), incluindo sensoriamento de gases, detecção de explosivos e imagens infravermelhas.

4. Fotônica de silício: Através da tecnologia de integração heterogênea, o laser de InP é transferido para um substrato à base de silício para formar uma plataforma de integração optoeletrônica de silício multifuncional.

5. Lasers de alto desempenho: Materiais de InP são usados para fabricar lasers de alto desempenho, como lasers de transistor InGaAsP-InP com um comprimento de onda de 1,5 micrômetros.

A XKH oferece wafers epitaxiais de InP personalizados com diferentes estruturas e espessuras, abrangendo uma variedade de aplicações, como comunicações ópticas, sensores, estações base 4G/5G, etc. Os produtos da XKH são fabricados utilizando equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, a XKH possui uma ampla rede de canais de fornecimento internacionais, podendo lidar com flexibilidade com o volume de pedidos e fornecer serviços de valor agregado, como adelgaçamento, segmentação, etc. Processos de entrega eficientes garantem a entrega no prazo e atendem aos requisitos de qualidade e prazos de entrega dos clientes. Após a chegada, os clientes podem obter suporte técnico abrangente e serviço pós-venda para garantir que o produto seja colocado em uso sem problemas.