Detector de luz APD de substrato de wafer epitaxial InP de 2 polegadas, 3 polegadas e 4 polegadas para comunicações de fibra óptica ou LiDAR

Breve descrição:

O substrato epitaxial InP é o material base para a fabricação de APD, geralmente um material semicondutor depositado no substrato por tecnologia de crescimento epitaxial. Os materiais comumente usados incluem silício (Si), arseneto de gálio (GaAs), nitreto de gálio (GaN), etc., com excelentes propriedades fotoelétricas. O fotodetector APD é um tipo especial de fotodetector que utiliza o efeito fotoelétrico de avalanche para aprimorar o sinal de detecção. Quando os fótons incidem no APD, pares elétron-buraco são gerados. A aceleração destes portadores sob a ação de um campo elétrico pode levar à formação de mais portadores, um “efeito avalanche”, que amplifica significativamente a corrente de saída.
Wafers epitaxiais cultivados por MOCvD são o foco das aplicações de diodos de fotodetecção de avalanches. A camada de absorção foi preparada por material U-InGaAs com dopagem de fundo <5E14. A camada funcional pode usar InP ou InAlAslayer. O substrato epitaxial InP é o material básico para a fabricação de APD, que determina o desempenho do detector óptico. O fotodetector APD é um tipo de fotodetector de alta sensibilidade, amplamente utilizado nos campos de comunicação, detecção e imagem.

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Os principais recursos da folha epitaxial a laser InP incluem

1. Características do intervalo de banda: o InP possui um intervalo de banda estreito, que é adequado para detecção de luz infravermelha de ondas longas, especialmente na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,5 μm.
2. Desempenho óptico: o filme epitaxial InP possui bom desempenho óptico, como potência luminosa e eficiência quântica externa em diferentes comprimentos de onda. Por exemplo, em 480 nm, a potência luminosa e a eficiência quântica externa são de 11,2% e 98,8%, respectivamente.
3. Dinâmica de transporte: nanopartículas de InP (NPs) exibem um comportamento de decaimento exponencial duplo durante o crescimento epitaxial. O tempo de decaimento rápido é atribuído à injeção de portadores na camada InGaAs, enquanto o tempo de decaimento lento está relacionado à recombinação de portadores em NPs de InP.
4. Características de alta temperatura: o material do poço quântico AlGaInAs/InP tem excelente desempenho em alta temperatura, o que pode prevenir efetivamente o vazamento de fluxo e melhorar as características de alta temperatura do laser.
5. Processo de fabricação: As folhas epitaxiais InP são geralmente cultivadas no substrato por epitaxia por feixe molecular (MBE) ou tecnologia de deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) para obter filmes de alta qualidade.
Essas características fazem com que os wafers epitaxiais do laser InP tenham aplicações importantes em comunicação por fibra óptica, distribuição quântica de chaves e detecção óptica remota.

As principais aplicações dos comprimidos epitaxiais a laser InP incluem

1. Fotônica: Os lasers e detectores InP são amplamente utilizados em comunicações ópticas, data centers, imagens infravermelhas, biometria, detecção 3D e LiDAR.

2. Telecomunicações: Os materiais InP têm aplicações importantes na integração em larga escala de lasers de longo comprimento de onda baseados em silício, especialmente em comunicações de fibra óptica.

3. Lasers infravermelhos: Aplicações de lasers de poços quânticos baseados em InP na banda do infravermelho médio (como 4-38 mícrons), incluindo detecção de gás, detecção de explosivos e imagens infravermelhas.

4. Fotônica de silício: Por meio da tecnologia de integração heterogênea, o laser InP é transferido para um substrato à base de silício para formar uma plataforma multifuncional de integração optoeletrônica de silício.

5. Lasers de alto desempenho: Os materiais InP são usados para fabricar lasers de alto desempenho, como lasers de transistor InGaAsP-InP com comprimento de onda de 1,5 mícrons.

A XKH oferece wafers epitaxiais InP personalizados com diferentes estruturas e espessuras, cobrindo uma variedade de aplicações, como comunicações ópticas, sensores, estações base 4G/5G, etc. Os produtos da XKH são fabricados usando equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, a XKH possui uma ampla gama de canais de origem internacionais, pode lidar com flexibilidade com o número de pedidos e fornecer serviços de valor agregado, como desbaste, segmentação, etc. qualidade e prazos de entrega. Após a chegada, os clientes podem obter suporte técnico abrangente e serviço pós-venda para garantir que o produto seja colocado em uso sem problemas.