Substrato de wafer de germânio de 2 polegadas (50,8 mm) monocristalino 1SP 2SP

Descrição resumida:

O germânio de alta pureza é um material semicondutor usado na fabricação de dispositivos semicondutores. O monocristal de germânio dopado com traços de impurezas específicas pode ser usado para fabricar diversos transistores, retificadores e outros dispositivos. O monocristal de germânio de alta pureza possui um alto coeficiente de refração, sendo transparente ao infravermelho e não permeável à luz visível e infravermelha, podendo ser usado como prisma ou lente para luz infravermelha. Compostos de germânio são usados ​​na fabricação de placas fluorescentes e diversos vidros de alto índice de refração. Também é usado em detectores de radiação e materiais termoelétricos.


Características

Informações detalhadas

Os chips de germânio possuem propriedades semicondutoras. Desempenharam um papel importante no desenvolvimento da física do estado sólido e da eletrônica de estado sólido. O germânio tem uma densidade de fusão de 5,32 g/cm³, podendo ser classificado como um metal disperso fino. Sua estabilidade química permite que não interaja com o ar ou o vapor de água à temperatura ambiente, mas a 600-700 °C, o dióxido de germânio é rapidamente gerado. Não reage com ácido clorídrico nem com ácido sulfúrico diluído. Quando o ácido sulfúrico concentrado é aquecido, o germânio se dissolve lentamente. Em ácido nítrico e água régia, o germânio se dissolve facilmente. O efeito de soluções alcalinas sobre o germânio é muito fraco, mas o álcali fundido em contato com o ar pode dissolvê-lo rapidamente. O germânio não reage com carbono, portanto, quando fundido em um cadinho de grafite, não será contaminado por carbono. O germânio possui boas propriedades semicondutoras, como mobilidade eletrônica e mobilidade de lacunas. O desenvolvimento do germânio ainda apresenta grande potencial.

Especificação

Método de crescimento CZ
instituto de cristal Sistema cúbico
Constante da rede a=5,65754 Å
Densidade 5,323 g/cm³
Ponto de fusão 937,4℃
Doping Desdopagem Dopagem-Sb Doping-Ga
Tipo /

N

P
resistência >35Ωcm 0,01~35 Ωcm 0,05~35 Ωcm
EPD <4×103/cm2 <4×103/cm2 <4×103/cm2
Diâmetro 2 polegadas/50,8 mm
Grossura 0,5 mm, 1,0 mm
Superfície DSP e SSP
Orientação <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å (5µm×5µm)
Pacote Pacote de nível 100, sala de nível 1000

Diagrama detalhado

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