Substrato de wafer de germânio de 2 polegadas e 50,8 mm de cristal único 1SP 2SP

Breve descrição:

O germânio de alta pureza é um material semicondutor utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores. O único cristal de germânio dopado com impurezas específicas pode ser usado para fazer vários transistores, retificadores e outros dispositivos. O cristal único de germânio de alta pureza tem um alto coeficiente de refração, transparente ao infravermelho, não através da luz visível e infravermelha, pode ser usado como prisma ou lente para luz infravermelha. Compostos de germânio são usados ​​na fabricação de placas fluorescentes e diversos vidros de alta refração. Também é usado em detectores de radiação e materiais termoelétricos.


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Informações detalhadas

Os chips de germânio possuem propriedades semicondutoras. Desempenhou um papel importante no desenvolvimento da física do estado sólido e da eletrônica do estado sólido. O germânio tem uma densidade de fusão de 5,32g/cm 3, o germânio pode ser classificado como um metal disperso fino, estabilidade química do germânio, não interage com o ar ou vapor de água à temperatura ambiente, mas a 600 ~ 700 ℃, o dióxido de germânio é gerado rapidamente . Não funciona com ácido clorídrico, ácido sulfúrico diluído. Quando o ácido sulfúrico concentrado é aquecido, o germânio se dissolve lentamente. No ácido nítrico e na água régia, o germânio é facilmente dissolvido. O efeito da solução alcalina no germânio é muito fraco, mas o álcali fundido no ar pode fazer com que o germânio se dissolva rapidamente. O germânio não funciona com carbono, por isso é derretido em cadinho de grafite e não será contaminado por carbono. O germânio tem boas propriedades semicondutoras, como mobilidade de elétrons, mobilidade de buracos e assim por diante. O desenvolvimento do germânio ainda tem um grande potencial.

Especificação

Método de crescimento CZ
instituição de cristal Sistema cúbico
Constante de rede uma=5,65754Å
Densidade 5,323g/cm3
Ponto de fusão 937,4 ℃
Dopagem Desdoping Doping-Sb Doping-Ga
Tipo /

N

P
resistência >35Ωcm 0,01~35Ωcm 0,05~35Ωcm
DEP <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
Diâmetro 2 polegadas/50,8mm
Grossura 0,5 mm, 1,0 mm
Superfície DSP e SSP
Orientação <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å(5µm×5µm)
Pacote Pacote de nota 100, sala de nota 1000

Diagrama Detalhado

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