Substrato de wafer de germânio de 2 polegadas e 50,8 mm, cristal único 1SP 2SP

Descrição curta:

O germânio de alta pureza é um material semicondutor utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores. O germânio monocristalino dopado com traços de impurezas específicas pode ser usado na fabricação de diversos transistores, retificadores e outros dispositivos. O germânio monocristalino de alta pureza possui alto coeficiente de refração, sendo transparente ao infravermelho, não passando pela luz visível e infravermelha, podendo ser usado como prisma ou lente para luz infravermelha. Os compostos de germânio são utilizados na fabricação de placas fluorescentes e diversos vidros de alta refração. Também é utilizado em detectores de radiação e materiais termoelétricos.


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Informações detalhadas

Os chips de germânio possuem propriedades semicondutoras. Desempenhou um papel importante no desenvolvimento da física do estado sólido e da eletrônica de estado sólido. O germânio tem uma densidade de fusão de 5,32 g/cm3, pode ser classificado como um metal fino disperso, estabilidade química do germânio, não interage com o ar ou vapor de água à temperatura ambiente, mas a 600 ~ 700 ℃, o dióxido de germânio é gerado rapidamente. Não funciona com ácido clorídrico, ácido sulfúrico diluído. Quando o ácido sulfúrico concentrado é aquecido, o germânio se dissolve lentamente. Em ácido nítrico e água régia, o germânio é facilmente dissolvido. O efeito da solução alcalina sobre o germânio é muito fraco, mas o álcali fundido no ar pode fazer com que o germânio se dissolva rapidamente. O germânio não funciona com carbono, por isso é fundido em um cadinho de grafite e não será contaminado por carbono. O germânio possui boas propriedades semicondutoras, como mobilidade de elétrons, mobilidade de lacunas e assim por diante. O desenvolvimento do germânio ainda tem grande potencial.

Especificação

Método de crescimento CZ
instituição de cristal Sistema cúbico
Constante de rede a=5,65754 Å
Densidade 5,323g/cm3
Ponto de fusão 937,4℃
Doping Desdopagem Doping-Sb Doping-Ga
Tipo /

N

P
resistência >35Ωcm 0,01~35 Ωcm 0,05~35 Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
Diâmetro 2 polegadas/50,8 mm
Grossura 0,5 mm, 1,0 mm
Superfície DSP e SSP
Orientação <100>、<110>、<111>、±0,5º
Ra ≤5Å(5µm×5µm)
Pacote Pacote de 100 graus, sala de 1000 graus

Diagrama Detalhado

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