Substrato de wafer de germânio de 2 polegadas (50,8 mm) monocristalino 1SP 2SP
Informações detalhadas
Os chips de germânio possuem propriedades semicondutoras. Desempenharam um papel importante no desenvolvimento da física do estado sólido e da eletrônica de estado sólido. O germânio tem uma densidade de fusão de 5,32 g/cm³, podendo ser classificado como um metal disperso fino. Sua estabilidade química permite que não interaja com o ar ou o vapor de água à temperatura ambiente, mas a 600-700 °C, o dióxido de germânio é rapidamente gerado. Não reage com ácido clorídrico nem com ácido sulfúrico diluído. Quando o ácido sulfúrico concentrado é aquecido, o germânio se dissolve lentamente. Em ácido nítrico e água régia, o germânio se dissolve facilmente. O efeito de soluções alcalinas sobre o germânio é muito fraco, mas o álcali fundido em contato com o ar pode dissolvê-lo rapidamente. O germânio não reage com carbono, portanto, quando fundido em um cadinho de grafite, não será contaminado por carbono. O germânio possui boas propriedades semicondutoras, como mobilidade eletrônica e mobilidade de lacunas. O desenvolvimento do germânio ainda apresenta grande potencial.
Especificação
| Método de crescimento | CZ | ||
| instituto de cristal | Sistema cúbico | ||
| Constante da rede | a=5,65754 Å | ||
| Densidade | 5,323 g/cm³ | ||
| Ponto de fusão | 937,4℃ | ||
| Doping | Desdopagem | Dopagem-Sb | Doping-Ga |
| Tipo | / | N | P |
| resistência | >35Ωcm | 0,01~35 Ωcm | 0,05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103/cm2 | <4×103/cm2 | <4×103/cm2 |
| Diâmetro | 2 polegadas/50,8 mm | ||
| Grossura | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Superfície | DSP e SSP | ||
| Orientação | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å (5µm×5µm) | ||
| Pacote | Pacote de nível 100, sala de nível 1000 | ||
Diagrama detalhado



