Bolachas SiC de carboneto de silício de 2 polegadas e 50,8 mm dopadas com pesquisa de produção tipo N e grau fictício

Breve descrição:

Tecnologia Xinkehui de Xangai. Co., Ltd oferece a melhor seleção e preços para wafers e substratos de carboneto de silício de alta qualidade com diâmetros de até seis polegadas com tipos N e semi-isolantes. Pequenas e grandes empresas de dispositivos semicondutores e laboratórios de pesquisa em todo o mundo usam e confiam em nossos wafers de carboneto de silicone.

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Os critérios paramétricos para wafers SiC não dopados 4H-N de 2 polegadas incluem

Material do substrato: carboneto de silício 4H (4H-SiC)

Estrutura cristalina: tetrahexaédrica (4H)

Doping: Não dopado (4H-N)

Tamanho: 2 polegadas

Tipo de condutividade: tipo N (n-dopado)

Condutividade: Semicondutor

Perspectiva de mercado: Os wafers de SiC não dopados 4H-N têm muitas vantagens, como alta condutividade térmica, baixa perda de condução, excelente resistência a altas temperaturas e alta estabilidade mecânica e, portanto, têm uma ampla perspectiva de mercado em eletrônica de potência e aplicações de RF. Com o desenvolvimento de energia renovável, veículos elétricos e comunicações, há uma demanda crescente por dispositivos com alta eficiência, operação em alta temperatura e alta tolerância de potência, o que proporciona uma oportunidade de mercado mais ampla para wafers de SiC não dopados 4H-N.

Usos: wafers SiC não dopados 4H-N de 2 polegadas podem ser usados para fabricar uma variedade de eletrônicos de potência e dispositivos de RF, incluindo, mas não se limitando a:

MOSFETs 1--4H-SiC: Transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico para aplicações de alta potência/alta temperatura. Esses dispositivos possuem baixas perdas de condução e comutação para proporcionar maior eficiência e confiabilidade.

JFETs 2--4H-SiC: FETs de junção para amplificadores de potência de RF e aplicações de comutação. Esses dispositivos oferecem desempenho de alta frequência e alta estabilidade térmica.

Diodos Schottky 3--4H-SiC: Diodos para aplicações de alta potência, alta temperatura e alta frequência. Esses dispositivos oferecem alta eficiência com baixas perdas de condução e comutação.

Dispositivos optoeletrônicos 4--4H-SiC: Dispositivos usados em áreas como diodos laser de alta potência, detectores UV e circuitos integrados optoeletrônicos. Esses dispositivos possuem características de alta potência e frequência.

Em resumo, os wafers de SiC não dopados 4H-N de 2 polegadas têm potencial para uma ampla gama de aplicações, especialmente em eletrônica de potência e RF. Seu desempenho superior e estabilidade em altas temperaturas os tornam um forte candidato para substituir os materiais de silício tradicionais em aplicações de alto desempenho, alta temperatura e alta potência.