Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas e 50,8 mm dopados com SiC do tipo N, pesquisa de produção e grau fictício

Material do substrato: carboneto de silício 4H (4H-SiC)

Estrutura cristalina: tetrahexaédrica (4H)

Dopagem: Não dopado (4H-N)

Tamanho: 2 polegadas

Tipo de condutividade: tipo N (dopado com n)

Condutividade: Semicondutor

Perspectivas de Mercado: Os wafers de SiC não dopados de 4H-N apresentam diversas vantagens, como alta condutividade térmica, baixa perda de condução, excelente resistência a altas temperaturas e alta estabilidade mecânica, o que os torna um mercado promissor em eletrônica de potência e aplicações de RF. Com o desenvolvimento das energias renováveis, veículos elétricos e comunicações, há uma demanda crescente por dispositivos com alta eficiência, operação em altas temperaturas e alta tolerância à potência, o que proporciona uma oportunidade de mercado mais ampla para os wafers de SiC não dopados de 4H-N.

Usos: wafers de SiC não dopados de 4H-N de 2 polegadas podem ser usados ​​para fabricar uma variedade de dispositivos eletrônicos de potência e RF, incluindo, mas não se limitando a:

MOSFETs 1-4H-SiC: Transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico para aplicações de alta potência/alta temperatura. Esses dispositivos apresentam baixas perdas de condução e comutação, proporcionando maior eficiência e confiabilidade.

JFETs 2-4H-SiC: FETs de junção para amplificadores de potência de RF e aplicações de comutação. Esses dispositivos oferecem desempenho de alta frequência e alta estabilidade térmica.

Diodos Schottky 3-4H-SiC: Diodos para aplicações de alta potência, alta temperatura e alta frequência. Esses dispositivos oferecem alta eficiência com baixas perdas por condução e comutação.

Dispositivos Optoeletrônicos 4--4H-SiC: Dispositivos utilizados em áreas como diodos laser de alta potência, detectores UV e circuitos integrados optoeletrônicos. Esses dispositivos possuem características de alta potência e frequência.

Em resumo, wafers de SiC 4H-N não dopados de 2 polegadas têm potencial para uma ampla gama de aplicações, especialmente em eletrônica de potência e RF. Seu desempenho superior e estabilidade em altas temperaturas os tornam um forte candidato à substituição de materiais de silício tradicionais em aplicações de alto desempenho, alta temperatura e alta potência.