Substrato de carboneto de silício 6H-N de 2 polegadas, wafer de silício, polimento duplo, condutivo, grau primário, grau Mos

Descrição curta:

O substrato monocristalino de carboneto de silício (SiC) tipo 6H-n é um material semicondutor essencial amplamente utilizado em aplicações eletrônicas de alta potência, alta frequência e alta temperatura. Reconhecido por sua estrutura cristalina hexagonal, o 6H-N SiC oferece ampla banda proibida e alta condutividade térmica, tornando-o ideal para ambientes exigentes.
O alto campo elétrico de ruptura e a mobilidade eletrônica deste material permitem o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de potência eficientes, como MOSFETs e IGBTs, que podem operar em tensões e temperaturas mais altas do que aqueles feitos de silício tradicional. Sua excelente condutividade térmica garante uma dissipação de calor eficaz, essencial para manter o desempenho e a confiabilidade em aplicações de alta potência.
Em aplicações de radiofrequência (RF), as propriedades do 6H-N SiC possibilitam a criação de dispositivos capazes de operar em frequências mais altas com maior eficiência. Sua estabilidade química e resistência à radiação também o tornam adequado para uso em ambientes agressivos, incluindo os setores aeroespacial e de defesa.
Além disso, substratos de SiC 6H-N são essenciais para dispositivos optoeletrônicos, como fotodetectores ultravioleta, onde sua ampla banda permite uma detecção eficiente de luz UV. A combinação dessas propriedades torna o SiC 6H-n um material versátil e indispensável para o avanço das tecnologias eletrônicas e optoeletrônicas modernas.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produtos

As seguintes são as características do wafer de carboneto de silício:

· Nome do produto: Substrato de SiC
· Estrutura hexagonal: propriedades eletrônicas únicas.
· Alta mobilidade eletrônica: ~600 cm²/V·s.
· Estabilidade química: Resistente à corrosão.
· Resistência à radiação: adequado para ambientes agressivos.
· Baixa concentração de transportador intrínseco: eficiente em altas temperaturas.
· Durabilidade: Fortes propriedades mecânicas.
· Capacidade optoeletrônica: detecção eficaz de luz UV.

O wafer de carboneto de silício tem diversas aplicações

Aplicações de wafers de SiC:
Substratos de SiC (Carbeto de Silício) são utilizados em diversas aplicações de alto desempenho devido às suas propriedades únicas, como alta condutividade térmica, alta intensidade de campo elétrico e ampla banda proibida. Aqui estão algumas aplicações:

1. Eletrônica de Potência:
·MOSFETs de alta tensão
·IGBTs (Transistores Bipolares de Porta Isolada)
·Diodos Schottky
· Inversores de potência

2. Dispositivos de alta frequência:
·Amplificadores de RF (Radiofrequência)
·Transistores de micro-ondas
·Dispositivos de ondas milimétricas

3. Eletrônicos de alta temperatura:
·Sensores e circuitos para ambientes agressivos
·Eletrônica aeroespacial
·Eletrônica automotiva (por exemplo, unidades de controle do motor)

4. Optoeletrônica:
·Fotodetectores ultravioleta (UV)
·Diodos emissores de luz (LEDs)
·Diodos laser

5. Sistemas de Energia Renovável:
·Inversores solares
·Conversores de turbinas eólicas
·Transmissões de veículos elétricos

6.Industrial e Defesa:
·Sistemas de radar
·Comunicações via satélite
·Instrumentação de reator nuclear

Personalização de wafers de SiC

Podemos personalizar o tamanho do substrato de SiC para atender às suas necessidades específicas. Também oferecemos um wafer de SiC 4H-Semi HPSI com tamanho de 10x10 mm ou 5x5 mm.
O preço é determinado pela caixa, e os detalhes da embalagem podem ser personalizados de acordo com sua preferência.
O prazo de entrega é de 2 a 4 semanas. Aceitamos pagamentos via T/T.
Nossa fábrica conta com equipamentos de produção avançados e equipe técnica que pode personalizar diversas especificações, espessuras e formatos de wafers de SiC de acordo com os requisitos específicos dos clientes.