Substrato de carboneto de silício 2Inch 6H-N Wafer Sic Duplamente Polido Classe Principal Condutora Mos Grade

O substrato de cristal único de carboneto de silício (SiC) tipo 6H n é um material semicondutor essencial amplamente utilizado em aplicações eletrônicas de alta potência, alta frequência e alta temperatura. Famoso por sua estrutura cristalina hexagonal, o SiC 6H-N oferece amplo bandgap e alta condutividade térmica, tornando-o ideal para ambientes exigentes.
O alto campo elétrico de ruptura e a mobilidade dos elétrons deste material permitem o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de potência eficientes, como MOSFETs e IGBTs, que podem operar em tensões e temperaturas mais altas do que aqueles feitos de silício tradicional. Sua excelente condutividade térmica garante uma dissipação de calor eficaz, fundamental para manter o desempenho e a confiabilidade em aplicações de alta potência.
Em aplicações de radiofrequência (RF), as propriedades do 6H-N SiC suportam a criação de dispositivos capazes de operar em frequências mais altas com maior eficiência. A sua estabilidade química e resistência à radiação também o tornam adequado para utilização em ambientes agressivos, incluindo os setores aeroespacial e de defesa.
Além disso, os substratos 6H-N SiC são essenciais para dispositivos optoeletrônicos, como fotodetectores ultravioleta, onde seu amplo bandgap permite a detecção eficiente de luz UV. A combinação dessas propriedades torna o SiC tipo 6H n um material versátil e indispensável no avanço das modernas tecnologias eletrônicas e optoeletrônicas.