Substrato de carboneto de silício de 2 polegadas 6H-N diâmetro polido dupla face 50,8 mm grau de produção grau de pesquisa

Substrato de carboneto de silício de 2 polegadas 6H-N, dupla face polida, diâmetro 50,8 mm, grau de produção, grau de pesquisa Imagem em destaque

Breve descrição:

O carboneto de silício (SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor contendo silício e carbono com fórmula química SiC. O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam em altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos. O SiC também é um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o cultivo de dispositivos GaN e também serve como dissipador de calor em altas temperaturas. LEDs de energia.
Os wafers de carboneto de silício são um material de alto desempenho usado na produção de dispositivos eletrônicos. É feito de uma camada de carboneto de silício em uma cúpula de cristal de silício e está disponível em diferentes graus, tipos e acabamentos superficiais. Os wafers possuem planicidade Lambda/10, o que garante a mais alta qualidade e desempenho para dispositivos eletrônicos feitos de wafers. Os wafers de carboneto de silício são ideais para uso em eletrônica de potência, tecnologia LED e sensores avançados. Fornecemos wafers de carboneto de silício (sic) de alta qualidade para as indústrias eletrônica e fotônica.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

A seguir estão as características do wafer de carboneto de silício de 2 polegadas:

1. Melhor resistência à radiação: os wafers SIC têm maior resistência à radiação, tornando-os adequados para uso em ambientes de radiação. Os exemplos incluem naves espaciais e instalações nucleares.

2. Maior dureza: os wafers SIC são mais duros que o silício, o que aumenta a durabilidade dos wafers durante o processamento.

3. Menor constante dielétrica: A constante dielétrica dos wafers SIC é menor que a do silício, o que ajuda a reduzir a capacitância parasita no dispositivo e melhorar o desempenho de alta frequência.

4. Maior velocidade de deriva de elétrons saturados: Os wafers SIC têm uma velocidade de deriva de elétrons saturados mais alta que o silício, dando aos dispositivos SIC uma vantagem em aplicações de alta frequência.

5. Maior densidade de potência: Com as características acima, os dispositivos wafer SIC podem atingir maior potência em um tamanho menor.

O wafer de carboneto de silício de 2 polegadas tem diversas aplicações.
1. Eletrônica de potência: Os wafers de SiC são amplamente utilizados em equipamentos eletrônicos de potência, como conversores de energia, inversores e interruptores de alta tensão, devido à sua alta tensão de ruptura e características de baixa perda de energia.

2. Veículos elétricos: wafers de carboneto de silício são usados na eletrônica de potência de veículos elétricos para melhorar a eficiência e reduzir o peso, resultando em carregamento mais rápido e maior autonomia de condução.

3. Energia renovável: Os wafers de carboneto de silício desempenham um papel vital em aplicações de energia renovável, como inversores solares e sistemas de energia eólica, melhorando a eficiência e a confiabilidade da conversão de energia.

4. Aeroespacial e Defesa: Os wafers de SiC são essenciais na indústria aeroespacial e de defesa para aplicações de alta temperatura, alta potência e resistentes à radiação, incluindo sistemas de energia de aeronaves e sistemas de radar.

A ZMSH fornece serviços de personalização de produtos para nossos wafers de carboneto de silício. Nossos wafers são feitos de camadas de carboneto de silício de alta qualidade provenientes da China para garantir durabilidade e confiabilidade. Os clientes podem escolher entre nossa seleção de tamanhos e especificações de wafers para atender às suas necessidades específicas.

Nossos wafers de carboneto de silício vêm em diferentes modelos e tamanhos, o modelo é carboneto de silício.

Oferecemos uma variedade de tratamentos de superfície, incluindo polimento de face única/dupla face com rugosidade superficial ≤1,2nm e planicidade Lambda/10. Também oferecemos opções de alta/baixa resistividade que podem ser personalizadas de acordo com suas necessidades. Nosso EPD de ≤1E10/cm2 garante que nossos wafers atendam aos mais altos padrões da indústria.

Nos preocupamos com cada detalhe da embalagem, limpeza, antiestático, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e formato do produto, faremos um processo de embalagem diferente! Quase por cassetes de wafer únicos ou cassetes de 25 unidades em salas de limpeza de grau 100.