Substrato de carbeto de silício de 2 polegadas, 6H-N, polido em ambos os lados, diâmetro de 50,8 mm, grau de produção, grau de pesquisa

Descrição resumida:

O carbeto de silício (SiC), também conhecido como carborundum, é um semicondutor composto por silício e carbono, com fórmula química SiC. O SiC é utilizado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam em altas temperaturas ou altas voltagens, ou ambas. O SiC também é um componente importante de LEDs, um substrato popular para o crescimento de dispositivos de GaN e atua como dissipador de calor em LEDs de alta potência.
As pastilhas de carbeto de silício são um material de alto desempenho usado na produção de dispositivos eletrônicos. São fabricadas a partir de uma camada de carbeto de silício em uma cúpula de cristal de silício e estão disponíveis em diferentes graus, tipos e acabamentos de superfície. As pastilhas possuem uma planicidade de λ/10, o que garante a mais alta qualidade e desempenho para dispositivos eletrônicos fabricados com elas. As pastilhas de carbeto de silício são ideais para uso em eletrônica de potência, tecnologia LED e sensores avançados. Fornecemos pastilhas de carbeto de silício (SiC) de alta qualidade para as indústrias eletrônica e fotônica.


Características

A seguir, as características de uma pastilha de carbeto de silício de 2 polegadas:

1. Melhor resistência à radiação: os wafers de SiC possuem maior resistência à radiação, tornando-os adequados para uso em ambientes radioativos. Exemplos incluem espaçonaves e instalações nucleares.

2. Maior dureza: os wafers de SiC são mais duros que os de silício, o que aumenta a durabilidade dos wafers durante o processamento.

3. Constante dielétrica mais baixa: A constante dielétrica dos wafers de SiC é menor que a do silício, o que ajuda a reduzir a capacitância parasita no dispositivo e a melhorar o desempenho em altas frequências.

4. Maior velocidade de deriva de elétrons saturada: os wafers de SiC possuem uma velocidade de deriva de elétrons saturada maior do que o silício, conferindo aos dispositivos de SiC uma vantagem em aplicações de alta frequência.

5. Maior densidade de potência: Com as características acima, os dispositivos de wafer de SiC podem atingir maior potência de saída em um tamanho menor.

A pastilha de carbeto de silício de 2 polegadas tem diversas aplicações.
1. Eletrônica de potência: Os wafers de SiC são amplamente utilizados em equipamentos de eletrônica de potência, como conversores de potência, inversores e chaves de alta tensão, devido às suas características de alta tensão de ruptura e baixa perda de potência.

2. Veículos elétricos: Pastilhas de carboneto de silício são utilizadas na eletrônica de potência de veículos elétricos para melhorar a eficiência e reduzir o peso, resultando em carregamento mais rápido e maior autonomia.

3. Energia renovável: As pastilhas de carbeto de silício desempenham um papel vital em aplicações de energia renovável, como inversores solares e sistemas de energia eólica, melhorando a eficiência e a confiabilidade da conversão de energia.

4. Aeroespacial e Defesa: Os wafers de SiC são essenciais na indústria aeroespacial e de defesa para aplicações de alta temperatura, alta potência e resistência à radiação, incluindo sistemas de energia de aeronaves e sistemas de radar.

A ZMSH oferece serviços de personalização de produtos para nossos wafers de carbeto de silício. Nossos wafers são fabricados com camadas de carbeto de silício de alta qualidade provenientes da China, garantindo durabilidade e confiabilidade. Os clientes podem escolher entre nossa seleção de tamanhos e especificações de wafers para atender às suas necessidades específicas.

Nossos wafers de carboneto de silício vêm em diferentes modelos e tamanhos; o modelo é Carboneto de Silício.

Oferecemos uma gama de tratamentos de superfície, incluindo polimento de um ou dois lados com rugosidade superficial ≤1,2 nm e planicidade Lambda/10. Também oferecemos opções de alta e baixa resistividade que podem ser personalizadas de acordo com suas necessidades. Nossa densidade de elétrons por polegada quadrada (EPD) de ≤1E10/cm² garante que nossos wafers atendam aos mais altos padrões da indústria.

Nos preocupamos com cada detalhe da embalagem, limpeza, tratamento antiestático e proteção contra impactos. De acordo com a quantidade e o formato do produto, adotamos um processo de embalagem diferente! Geralmente utilizamos cassetes individuais ou cassetes com 25 unidades em uma sala limpa de nível 100.

Diagrama detalhado

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