Wafer de carbeto de silício de 2 polegadas, tipo 6H-N, grau primário, grau de pesquisa, grau fictício, espessura de 330 μm a 430 μm.

Wafer de carboneto de silício de 2 polegadas, tipo 6H-N, grau de pureza elevado, grau de pesquisa, grau de teste, espessura de 330 μm a 430 μm. Imagem em destaque.

Descrição resumida:

Existem muitos polimorfos diferentes de carbeto de silício, e o carbeto de silício 6H é um deles, entre quase 200. O carbeto de silício 6H é, de longe, a modificação mais comum de carbeto de silício para fins comerciais. Os wafers de carbeto de silício 6H são de suma importância. Podem ser usados como semicondutores. São amplamente utilizados em ferramentas abrasivas e de corte, como discos de corte, devido à sua durabilidade e baixo custo. São usados em coletes à prova de balas e armaduras corporais compostas modernas. Também são utilizados na indústria automobilística, onde são usados na fabricação de discos de freio. Em grandes fundições, são usados para conter metais em fusão em cadinhos. Seu uso em aplicações elétricas e eletrônicas é tão conhecido que dispensa apresentações. Além disso, são usados em dispositivos eletrônicos de potência, LEDs, astronomia, pirometria de filamento fino, joalheria, produção de grafeno e aço, e como catalisador. Oferecemos wafers de carbeto de silício 6H com qualidade excepcional e pureza impressionante de 99,99%.

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Características

A seguir, as características da pastilha de carbeto de silício:

1. A pastilha de carbeto de silício (SiC) possui ótimas propriedades elétricas e excelentes propriedades térmicas. A pastilha de carbeto de silício (SiC) tem baixa expansão térmica.

2. A pastilha de carbeto de silício (SiC) possui propriedades de dureza superiores. A pastilha de carbeto de silício (SiC) apresenta bom desempenho em altas temperaturas.

3. A pastilha de carbeto de silício (SiC) possui alta resistência à corrosão, erosão e oxidação. Além disso, a pastilha de carbeto de silício (SiC) também é mais brilhante do que diamantes ou zircônia cúbica.

4. Melhor resistência à radiação: Os wafers de SiC possuem maior resistência à radiação, tornando-os adequados para uso em ambientes radioativos. Exemplos incluem espaçonaves e instalações nucleares.
5. Maior dureza: os wafers de SiC são mais duros que os de silício, o que aumenta a durabilidade dos wafers durante o processamento.

6. Constante dielétrica mais baixa: A constante dielétrica dos wafers de SiC é menor que a do silício, o que ajuda a reduzir a capacitância parasita no dispositivo e a melhorar o desempenho em altas frequências.

A pastilha de carbeto de silício tem diversas aplicações.

O SiC é utilizado na fabricação de dispositivos de altíssima tensão e potência, como diodos, transistores de potência e dispositivos de micro-ondas de alta potência. Comparados aos dispositivos de silício convencionais, os dispositivos de potência baseados em SiC apresentam maior velocidade de comutação, tensões mais elevadas, menor resistência parasita, tamanho reduzido e menor necessidade de refrigeração devido à sua capacidade de operar em altas temperaturas.
Embora o wafer de carbeto de silício (SiC-6H) - 6H possua propriedades eletrônicas superiores, o wafer de carbeto de silício (SiC-6H) – 6H é o mais fácil de preparar e o mais estudado.
1. Eletrônica de Potência: Os wafers de carboneto de silício são utilizados na produção de eletrônica de potência, que é empregada em uma ampla gama de aplicações, incluindo veículos elétricos, sistemas de energia renovável e equipamentos industriais. A alta condutividade térmica e a baixa perda de potência do carboneto de silício o tornam um material ideal para essas aplicações.
2. Iluminação LED: Pastilhas de carbeto de silício são utilizadas na produção de iluminação LED. A alta resistência do carbeto de silício permite a produção de LEDs mais duráveis e com maior vida útil do que as fontes de iluminação tradicionais.
3. Dispositivos semicondutores: Os wafers de carbeto de silício são utilizados na produção de dispositivos semicondutores, que são empregados em uma ampla gama de aplicações, incluindo telecomunicações, computação e eletrônicos de consumo. A alta condutividade térmica e a baixa perda de potência do carbeto de silício o tornam um material ideal para essas aplicações.
4. Células solares: Pastilhas de carbeto de silício são utilizadas na produção de células solares. A alta resistência do carbeto de silício possibilita a produção de células solares mais duráveis e com maior vida útil do que as células solares tradicionais.
De modo geral, a pastilha de carbeto de silício ZMSH é um produto versátil e de alta qualidade que pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações. Sua alta condutividade térmica, baixa perda de potência e alta resistência a tornam um material ideal para dispositivos eletrônicos de alta temperatura e alta potência. Com uma curvatura/empenamento de ≤50 µm, rugosidade superficial de ≤1,2 nm e resistividade alta/baixa, a pastilha de carbeto de silício é uma escolha confiável e eficiente para qualquer aplicação que exija uma superfície plana e lisa.
Nosso produto com substrato de SiC vem acompanhado de suporte técnico e serviços abrangentes para garantir o desempenho ideal e a satisfação do cliente.
Nossa equipe de especialistas está disponível para auxiliar na seleção, instalação e solução de problemas dos produtos.
Oferecemos treinamento e capacitação sobre o uso e a manutenção de nossos produtos para ajudar nossos clientes a maximizar seu investimento.
Além disso, fornecemos atualizações e melhorias contínuas aos produtos para garantir que nossos clientes sempre tenham acesso à tecnologia mais recente.