Wafer de carboneto de silício de 2 polegadas, tipo 6H-N, grau primário, grau de pesquisa, grau fictício, espessura de 330 μm e 430 μm

Wafer de carboneto de silício de 2 polegadas, tipo 6H-N, grau primário, grau de pesquisa, grau fictício, espessura de 330 μm, 430 μm, imagem em destaque

Descrição curta:

Existem muitos polimorfos diferentes de carboneto de silício e o carboneto de silício 6H é um entre quase 200 polimorfos. O carboneto de silício 6H é de longe a modificação mais comum de carbonetos de silício para interesses comerciais. As pastilhas de carboneto de silício 6H são de suma importância. Elas podem ser usadas como semicondutores. É amplamente utilizado em ferramentas abrasivas e de corte, como discos de corte, devido à sua durabilidade e baixo custo do material. É usado em coletes à prova de balas e coletes à prova de balas modernos. Também é usado na indústria automobilística, onde é usado para fabricar discos de freio. Em grandes aplicações de fundição, é usado para manter metais em fusão em cadinhos. Seu uso em aplicações elétricas e eletrônicas é tão conhecido que não requer qualquer debate. Além disso, é usado em dispositivos eletrônicos de potência, LEDs, astronomia, pirometria de filamentos finos, joias, produção de grafeno e aço, e como catalisador. Oferecemos pastilhas de carboneto de silício 6H com qualidade distinta e impressionantes 99,99%.

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As seguintes são as características do wafer de carboneto de silício:

1. O wafer de carboneto de silício (SiC) possui excelentes propriedades elétricas e térmicas. Apresenta baixa expansão térmica.

2. O wafer de carboneto de silício (SiC) possui propriedades de dureza superiores. Apresenta bom desempenho em altas temperaturas.

3. O wafer de carboneto de silício (SiC) possui alta resistência à corrosão, erosão e oxidação. Além disso, o wafer de carboneto de silício (SiC) também é mais brilhante do que diamantes ou zircônia cúbica.

4. Maior resistência à radiação: os wafers SIC possuem maior resistência à radiação, tornando-os adequados para uso em ambientes com alta radiação. Exemplos incluem espaçonaves e instalações nucleares.
5. Maior dureza: os wafers de SIC são mais duros que os de silício, o que aumenta a durabilidade dos wafers durante o processamento.

6. Menor constante dielétrica: A constante dielétrica dos wafers SIC é menor que a do silício, o que ajuda a reduzir a capacitância parasita no dispositivo e melhorar o desempenho de alta frequência.

O wafer de carboneto de silício tem diversas aplicações

O SiC é utilizado na fabricação de dispositivos de altíssima tensão e alta potência, como diodos, transistores de potência e dispositivos de micro-ondas de alta potência. Comparados aos dispositivos de Si convencionais, os dispositivos de potência baseados em SiC apresentam maior velocidade de comutação, tensões mais altas, menores resistências parasitas, menor tamanho e menor necessidade de resfriamento devido à sua capacidade de suportar altas temperaturas.
Embora o wafer de carboneto de silício (SiC-6H) - 6H tenha propriedades eletrônicas superiores, o wafer de carboneto de silício (SiC-6H) - 6H é o mais facilmente preparado e melhor estudado.
1. Eletrônica de Potência: Wafers de Carboneto de Silício são utilizados na produção de Eletrônica de Potência, que são utilizados em uma ampla gama de aplicações, incluindo veículos elétricos, sistemas de energia renovável e equipamentos industriais. A alta condutividade térmica e a baixa perda de potência do Carboneto de Silício o tornam um material ideal para essas aplicações.
2. Iluminação LED: Wafers de carboneto de silício são utilizados na produção de iluminação LED. A alta resistência do carboneto de silício permite a produção de LEDs mais duráveis e duráveis do que as fontes de iluminação tradicionais.
3. Dispositivos Semicondutores: Wafers de Carboneto de Silício são utilizados na produção de Dispositivos Semicondutores, utilizados em uma ampla gama de aplicações, incluindo telecomunicações, computação e eletrônicos de consumo. A alta condutividade térmica e a baixa perda de potência do Carboneto de Silício o tornam um material ideal para essas aplicações.
4. Células solares: Wafers de carboneto de silício são usados na produção de células solares. A alta resistência do carboneto de silício torna possível a produção de células solares mais duráveis e duradouras do que as células solares tradicionais.
No geral, o wafer de carboneto de silício ZMSH é um produto versátil e de alta qualidade, podendo ser utilizado em uma ampla gama de aplicações. Sua alta condutividade térmica, baixa perda de potência e alta resistência o tornam um material ideal para dispositivos eletrônicos de alta temperatura e alta potência. Com um arco/deformação de ≤ 50 µm, rugosidade superficial de ≤ 1,2 nm e resistividade de alta/baixa resistividade, o wafer de carboneto de silício é uma escolha confiável e eficiente para qualquer aplicação que exija uma superfície plana e lisa.
Nosso produto de substrato de SiC conta com suporte técnico e serviços abrangentes para garantir desempenho ideal e satisfação do cliente.
Nossa equipe de especialistas está disponível para ajudar na seleção de produtos, instalação e solução de problemas.
Oferecemos treinamento e educação sobre o uso e a manutenção de nossos produtos para ajudar nossos clientes a maximizar seus investimentos.
Além disso, fornecemos atualizações e melhorias contínuas de produtos para garantir que nossos clientes sempre tenham acesso à tecnologia mais recente.