Wafer de substrato 4H-Semi SiC de 3 polegadas e 76,2 mm, wafers de SiC semi-insultos de carboneto de silício

Wafers de substrato de SiC (carboneto de silício) semi-isolados 4H de 3 polegadas são um material semicondutor comumente utilizado. 4H indica uma estrutura cristalina tetrahexaédrica. Semi-isolamento significa que o substrato possui características de alta resistência e pode ser relativamente isolado do fluxo de corrente.

Esses wafers de substrato apresentam as seguintes características: alta condutividade térmica, baixa perda de condução, excelente resistência a altas temperaturas e excelente estabilidade mecânica e química. Como o carboneto de silício possui uma ampla lacuna de energia e pode suportar altas temperaturas e condições de campo elétrico intenso, os wafers semi-isolados de 4H-SiC são amplamente utilizados em eletrônica de potência e dispositivos de radiofrequência (RF).

As principais aplicações dos wafers semi-isolados de 4H-SiC incluem:

1--Eletrônica de potência: wafers de 4H-SiC podem ser usados ​​para fabricar dispositivos de comutação de potência, como MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo Semicondutores de Óxido Metálico), IGBTs (Transistores Bipolares de Porta Isolada) e diodos Schottky. Esses dispositivos apresentam menores perdas de condução e comutação em ambientes de alta tensão e alta temperatura, além de oferecer maior eficiência e confiabilidade.

2--Dispositivos de Radiofrequência (RF): Wafers semi-isolados de 4H-SiC podem ser usados ​​para fabricar amplificadores de RF de alta potência e alta frequência, resistores de chip, filtros e outros dispositivos. O carboneto de silício apresenta melhor desempenho em alta frequência e estabilidade térmica devido à sua maior taxa de deriva de saturação de elétrons e maior condutividade térmica.

3--Dispositivos optoeletrônicos: wafers semi-isolados de 4H-SiC podem ser usados ​​para fabricar diodos laser de alta potência, detectores de luz UV e circuitos integrados optoeletrônicos.

Em termos de direcionamento de mercado, a demanda por wafers semi-isolados de 4H-SiC está aumentando com o crescimento das áreas de eletrônica de potência, RF e optoeletrônica. Isso se deve ao fato de o carboneto de silício ter uma ampla gama de aplicações, incluindo eficiência energética, veículos elétricos, energia renovável e comunicações. No futuro, o mercado de wafers semi-isolados de 4H-SiC continua muito promissor e espera-se que substituam os materiais de silício convencionais em diversas aplicações.