Wafer de substrato 4H-Semi SiC de 3 polegadas 76,2 mm Wafers SiC semi-insultuosos de carboneto de silício

Breve descrição:

Wafer SiC de cristal único de alta qualidade (carboneto de silício) para a indústria eletrônica e optoeletrônica. O wafer SiC de 3 polegadas é um material semicondutor de próxima geração, wafers semi-isolantes de carboneto de silício de 3 polegadas de diâmetro. Os wafers são destinados à fabricação de dispositivos de potência, RF e optoeletrônicos.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Especificação do produto

Wafers de substrato de SiC (carboneto de silício) semi-isolados de 3 polegadas 4H são um material semicondutor comumente usado. 4H indica uma estrutura cristalina tetrahexaédrica. Semi-isolamento significa que o substrato possui características de alta resistência e pode ser um tanto isolado do fluxo de corrente.

Tais wafers de substrato têm as seguintes características: alta condutividade térmica, baixa perda de condução, excelente resistência a altas temperaturas e excelente estabilidade mecânica e química. Como o carboneto de silício tem uma ampla lacuna de energia e pode suportar altas temperaturas e condições de alto campo elétrico, os wafers semi-isolados 4H-SiC são amplamente utilizados em eletrônica de potência e dispositivos de radiofrequência (RF).

As principais aplicações de wafers semi-isolados 4H-SiC incluem:

1 - Eletrônica de potência: wafers 4H-SiC podem ser usados para fabricar dispositivos de comutação de energia, como MOSFETs (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico), IGBTs (transistores bipolares de porta isolada) e diodos Schottky. Esses dispositivos apresentam menores perdas de condução e comutação em ambientes de alta tensão e alta temperatura e oferecem maior eficiência e confiabilidade.

2 - Dispositivos de radiofrequência (RF): Wafers semi-isolados 4H-SiC podem ser usados para fabricar amplificadores de potência de RF de alta potência e alta frequência, resistores de chip, filtros e outros dispositivos. O carboneto de silício tem melhor desempenho em alta frequência e estabilidade térmica devido à sua maior taxa de deriva de saturação de elétrons e maior condutividade térmica.

3 - Dispositivos optoeletrônicos: wafers semi-isolados 4H-SiC podem ser usados para fabricar diodos laser de alta potência, detectores de luz UV e circuitos integrados optoeletrônicos.

Em termos de direção de mercado, a demanda por wafers semi-isolados 4H-SiC está aumentando com os campos crescentes de eletrônica de potência, RF e optoeletrônica. Isto deve-se ao facto de o carboneto de silício ter uma vasta gama de aplicações, incluindo eficiência energética, veículos eléctricos, energias renováveis e comunicações. No futuro, o mercado de wafers semi-isolados 4H-SiC continua muito promissor e deverá substituir os materiais convencionais de silício em diversas aplicações.