Wafer de substrato de carbeto de silício semi-isolante 4H de 3 polegadas (76,2 mm)
Especificações do produto
Os wafers de substrato de SiC (carboneto de silício) semi-isolantes 4H de 3 polegadas são um material semicondutor comumente usado. 4H indica uma estrutura cristalina tetrahexaédrica. Semi-isolante significa que o substrato possui características de alta resistência e pode ser isolado, em certa medida, do fluxo de corrente.
Esses substratos de silício apresentam as seguintes características: alta condutividade térmica, baixa perda por condução, excelente resistência a altas temperaturas e excelente estabilidade mecânica e química. Devido à ampla banda proibida do carbeto de silício e à sua capacidade de suportar altas temperaturas e campos elétricos intensos, os substratos semi-isolados de 4H-SiC são amplamente utilizados em eletrônica de potência e dispositivos de radiofrequência (RF).
As principais aplicações de wafers semi-isolados de 4H-SiC incluem:
1 - Eletrônica de potência: wafers de 4H-SiC podem ser usados para fabricar dispositivos de comutação de potência, como MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor), IGBTs (Transistores Bipolares de Porta Isolada) e diodos Schottky. Esses dispositivos apresentam menores perdas de condução e comutação em ambientes de alta tensão e alta temperatura, oferecendo maior eficiência e confiabilidade.
2 - Dispositivos de Radiofrequência (RF): Pastilhas semi-isoladas de 4H-SiC podem ser usadas para fabricar amplificadores de potência de RF de alta potência e alta frequência, resistores de chip, filtros e outros dispositivos. O carboneto de silício apresenta melhor desempenho em altas frequências e maior estabilidade térmica devido à sua maior taxa de deriva de saturação de elétrons e maior condutividade térmica.
3 - Dispositivos optoeletrônicos: wafers semi-isolados de 4H-SiC podem ser usados para fabricar diodos laser de alta potência, detectores de luz UV e circuitos integrados optoeletrônicos.
Em termos de direção do mercado, a demanda por wafers semi-isolados de 4H-SiC está aumentando com o crescimento dos campos da eletrônica de potência, radiofrequência (RF) e optoeletrônica. Isso se deve ao fato de o carboneto de silício ter uma ampla gama de aplicações, incluindo eficiência energética, veículos elétricos, energias renováveis e comunicações. No futuro, o mercado de wafers semi-isolados de 4H-SiC permanece muito promissor e espera-se que substitua os materiais de silício convencionais em diversas aplicações.
Diagrama detalhado
