Semi-isolante de alta pureza de 3 polegadas (HPSI) SiC wafer 350um grau fictício de primeira qualidade

3 polegadas de alta pureza semi-isolante （HPSI） SiC wafer 350um grau fictício de primeira qualidade Imagem em destaque

Breve descrição:

O wafer SiC HPSI (Carbeto de Silício de Alta Pureza), com diâmetro de 3 polegadas e espessura de 350 µm ± 25 µm, foi projetado para aplicações de eletrônica de potência de ponta. Os wafers de SiC são conhecidos por suas propriedades materiais excepcionais, como alta condutividade térmica, resistência a alta tensão e perda mínima de energia, o que os torna a escolha preferida para dispositivos semicondutores de potência. Esses wafers são projetados para lidar com condições extremas, oferecendo melhor desempenho em ambientes de alta frequência, alta tensão e alta temperatura, garantindo ao mesmo tempo maior eficiência energética e durabilidade.

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Detalhes do produto

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Aplicativo

Os wafers HPSI SiC são essenciais para habilitar dispositivos de energia de próxima geração, que são usados em uma variedade de aplicações de alto desempenho:
Sistemas de conversão de energia: Os wafers de SiC servem como material central para dispositivos de energia, como MOSFETs de potência, diodos e IGBTs, que são cruciais para a conversão eficiente de energia em circuitos elétricos. Esses componentes são encontrados em fontes de alimentação de alta eficiência, acionamentos de motores e inversores industriais.

Veículos Elétricos (EVs):A crescente demanda por veículos elétricos exige o uso de eletrônica de potência mais eficiente, e os wafers de SiC estão na vanguarda dessa transformação. Nos motores EV, esses wafers oferecem alta eficiência e capacidade de comutação rápida, o que contribui para tempos de carregamento mais rápidos, maior alcance e melhor desempenho geral do veículo.

Energia Renovável:Em sistemas de energia renovável, como energia solar e eólica, os wafers de SiC são usados em inversores e conversores que permitem captura e distribuição de energia mais eficientes. A alta condutividade térmica e a tensão de ruptura superior do SiC garantem que estes sistemas operem de forma confiável, mesmo sob condições ambientais extremas.

Automação Industrial e Robótica:A eletrônica de potência de alto desempenho em sistemas de automação industrial e robótica exige dispositivos capazes de comutar rapidamente, lidar com grandes cargas de energia e operar sob alto estresse. Os semicondutores baseados em SiC atendem a esses requisitos, proporcionando maior eficiência e robustez, mesmo em ambientes operacionais adversos.

Sistemas de Telecomunicações:Na infraestrutura de telecomunicações, onde a alta confiabilidade e a conversão eficiente de energia são críticas, os wafers de SiC são usados em fontes de alimentação e conversores DC-DC. Os dispositivos SiC ajudam a reduzir o consumo de energia e a melhorar o desempenho do sistema em data centers e redes de comunicação.

Ao fornecer uma base robusta para aplicações de alta potência, o wafer HPSI SiC permite o desenvolvimento de dispositivos com eficiência energética, ajudando as indústrias na transição para soluções mais ecológicas e sustentáveis.

Propriedades

propriedade	Grau de produção	Grau de pesquisa	Nota fictícia
Diâmetro	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Grossura	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Orientação de wafer	No eixo: <0001> ± 0,5°	No eixo: <0001> ± 2,0°	No eixo: <0001> ± 2,0°
Densidade de microtubos para 95% de wafers (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Resistividade Elétrica	≥ 1E7Ω·cm	≥ 1E6Ω·cm	≥ 1E5Ω·cm
Dopante	Não dopado	Não dopado	Não dopado
Orientação Plana Primária	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Comprimento plano primário	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Comprimento plano secundário	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação Plana Secundária	Si voltado para cima: 90° CW do plano primário ± 5,0°	Si voltado para cima: 90° CW do plano primário ± 5,0°	Si voltado para cima: 90° CW do plano primário ± 5,0°
Exclusão de borda	3mm	3mm	3mm
LTV/TTV/Arco/Urdidura	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Rugosidade Superficial	Face C: Polida, Face Si: CMP	Face C: Polida, Face Si: CMP	Face C: Polida, Face Si: CMP
Rachaduras (inspecionadas por luz de alta intensidade)	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Placas hexagonais (inspecionadas por luz de alta intensidade)	Nenhum	Nenhum	Área acumulada 10%
Áreas politípicas (inspecionadas por luz de alta intensidade)	Área acumulada 5%	Área acumulada 5%	Área acumulada 10%
Arranhões (inspecionados por luz de alta intensidade)	≤ 5 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 150 mm	≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200 mm	≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200 mm
Lascas de borda	Nenhum permitido ≥ 0,5 mm de largura e profundidade	2 permitidos, ≤ 1 mm de largura e profundidade	5 permitidos, ≤ 5 mm de largura e profundidade
Contaminação de superfície (inspecionada por luz de alta intensidade)	Nenhum	Nenhum	Nenhum

Principais vantagens

Desempenho térmico superior: A alta condutividade térmica do SiC garante uma dissipação de calor eficiente em dispositivos de energia, permitindo-lhes operar em níveis e frequências de potência mais elevados sem superaquecimento. Isso se traduz em sistemas menores e mais eficientes e em uma vida útil operacional mais longa.

Alta tensão de ruptura: Com um bandgap mais amplo em comparação com o silício, os wafers de SiC suportam aplicações de alta tensão, tornando-os ideais para componentes eletrônicos de potência que precisam suportar altas tensões de ruptura, como em veículos elétricos, sistemas de energia de rede e sistemas de energia renovável.

Perda de energia reduzida: A baixa resistência e as velocidades de comutação rápidas dos dispositivos SiC resultam em perda de energia reduzida durante a operação. Isto não só melhora a eficiência, mas também aumenta a economia geral de energia dos sistemas em que são implantados.
Confiabilidade aprimorada em ambientes adversos: as propriedades robustas do material do SiC permitem que ele funcione em condições extremas, como altas temperaturas (até 600°C), altas tensões e altas frequências. Isso torna os wafers de SiC adequados para aplicações industriais, automotivas e de energia exigentes.

Eficiência Energética: Os dispositivos SiC oferecem uma densidade de potência mais alta do que os dispositivos tradicionais baseados em silício, reduzindo o tamanho e o peso dos sistemas eletrônicos de potência e, ao mesmo tempo, melhorando sua eficiência geral. Isto leva a poupanças de custos e a uma menor pegada ambiental em aplicações como energias renováveis e veículos elétricos.

Escalabilidade: O diâmetro de 3 polegadas e as tolerâncias de fabricação precisas do wafer HPSI SiC garantem que ele seja escalonável para produção em massa, atendendo aos requisitos de pesquisa e fabricação comercial.

Conclusão

O wafer HPSI SiC, com diâmetro de 3 polegadas e espessura de 350 µm ± 25 µm, é o material ideal para a próxima geração de dispositivos eletrônicos de potência de alto desempenho. Sua combinação única de condutividade térmica, alta tensão de ruptura, baixa perda de energia e confiabilidade sob condições extremas o torna um componente essencial para diversas aplicações em conversão de energia, energia renovável, veículos elétricos, sistemas industriais e telecomunicações.

Este wafer de SiC é particularmente adequado para indústrias que buscam maior eficiência, maior economia de energia e maior confiabilidade do sistema. À medida que a tecnologia de eletrônica de potência continua a evoluir, o wafer HPSI SiC fornece a base para o desenvolvimento de soluções de próxima geração com eficiência energética, impulsionando a transição para um futuro mais sustentável e de baixo carbono.