Wafer de safira de 4 polegadas C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Aplicativos
● Substrato de crescimento para compostos III-V e II-VI.
● Eletrônica e optoeletrônica.
● Aplicações de IR.
● Circuito Integrado de Silício em Safira (SOS).
● Circuito Integrado de Radiofrequência (RFIC).
Na produção de LED, wafers de safira são usados como substrato para o crescimento de cristais de nitreto de gálio (GaN), que emitem luz quando uma corrente elétrica é aplicada. A safira é um material de substrato ideal para o crescimento de GaN porque possui uma estrutura cristalina e coeficiente de expansão térmica semelhantes ao GaN, o que minimiza defeitos e melhora a qualidade do cristal.
Na óptica, os wafers de safira são usados como janelas e lentes em ambientes de alta pressão e alta temperatura, bem como em sistemas de imagem infravermelha, devido à sua alta transparência e dureza.
Especificação
Item | Plano C de 4 polegadas (0001) Wafers de safira de 650μm | |
Materiais Cristalinos | 99.999%, Al2O3 monocristalino de alta pureza | |
Nota | Prime, Epi-Ready | |
Orientação de superfície | Plano C (0001) | |
Plano C fora do ângulo em direção ao eixo M 0,2 +/- 0,1° | ||
Diâmetro | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Grossura | 650 μm +/- 25 μm | |
Orientação Plana Primária | Plano A (11-20) +/- 0,2° | |
Comprimento plano primário | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Único lado polido | Superfície frontal | Epi-polido, Ra <0,2 nm (por AFM) |
(SSP) | Superfície traseira | Moído fino, Ra = 0,8 μm a 1,2 μm |
Lado Duplo Polido | Superfície frontal | Epi-polido, Ra <0,2 nm (por AFM) |
(DSP) | Superfície traseira | Epi-polido, Ra <0,2 nm (por AFM) |
TTV | < 20 μm | |
ARCO | < 20 μm | |
URDIDURA | < 20 μm | |
Limpeza / Embalagem | Limpeza de salas limpas classe 100 e embalagem a vácuo, | |
25 peças em embalagem de um cassete ou embalagem de peça única. |
Embalagem e envio
De modo geral, fornecemos o pacote em caixa de cassete de 25 unidades; Também podemos embalar em recipiente de wafer único com sala de limpeza de grau 100, de acordo com a necessidade do cliente.