4H-N espessura da categoria 500um da pesquisa do manequim do carboneto de silicone da bolacha da carcaça de SiC de 8 polegadas

4H-N espessura SiC da categoria 500um da pesquisa do manequim do carboneto de silicone da bolacha da carcaça de 8 polegadas Imagem em destaque

Breve descrição:

Os wafers de carboneto de silício são utilizados em dispositivos eletrônicos como diodos de potência, MOSFETs, dispositivos de micro-ondas de alta potência e transistores de RF, permitindo conversão e gerenciamento de energia eficientes. Os wafers e substratos de SiC também são usados em eletrônica automotiva, sistemas aeroespaciais e tecnologias de energia renovável.

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Como você escolhe wafers de carboneto de silício e substratos de SiC?

Ao escolher wafers e substratos de carboneto de silício (SiC), há vários fatores a serem considerados. Aqui estão alguns critérios importantes:

Tipo de material: Determine o tipo de material SiC adequado à sua aplicação, como 4H-SiC ou 6H-SiC. A estrutura cristalina mais comumente usada é 4H-SiC.

Tipo de Dopagem: Decida se você precisa de um substrato de SiC dopado ou não. Os tipos de dopagem comuns são tipo N (dopado com n) ou tipo P (dopado com p), dependendo de seus requisitos específicos.

Qualidade do cristal: Avalie a qualidade do cristal dos wafers ou substratos de SiC. A qualidade desejada é determinada por parâmetros como número de defeitos, orientação cristalográfica e rugosidade superficial.

Diâmetro do wafer: Escolha o tamanho do wafer apropriado com base na sua aplicação. Os tamanhos comuns incluem 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas. Quanto maior o diâmetro, maior o rendimento que você pode obter por wafer.

Espessura: Considere a espessura desejada dos wafers ou substratos de SiC. As opções típicas de espessura variam de alguns micrômetros a várias centenas de micrômetros.

Orientação: Determine a orientação cristalográfica que se alinha aos requisitos da sua aplicação. As orientações comuns incluem (0001) para 4H-SiC e (0001) ou (0001̅) para 6H-SiC.

Acabamento superficial: Avalie o acabamento superficial dos wafers ou substratos de SiC. A superfície deve ser lisa, polida e livre de arranhões ou contaminantes.

Reputação do fornecedor: Escolha um fornecedor confiável com ampla experiência na produção de wafers e substratos de SiC de alta qualidade. Considere fatores como capacidade de fabricação, controle de qualidade e avaliações de clientes.

Custo: Considere as implicações de custo, incluindo o preço por wafer ou substrato e quaisquer despesas adicionais de personalização.

É importante avaliar cuidadosamente esses fatores e consultar especialistas ou fornecedores do setor para garantir que os wafers e substratos de SiC escolhidos atendam aos requisitos específicos de sua aplicação.