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Wafer de substrato de SiC 4H-N de 8 polegadas, carboneto de silício, modelo de pesquisa, espessura de 500 µm

Wafer de substrato de SiC 4H-N de 8 polegadas, carboneto de silício, modelo de pesquisa, espessura de 500 µm. Imagem em destaque
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Descrição curta:

Wafers de carboneto de silício são utilizados em dispositivos eletrônicos como diodos de potência, MOSFETs, dispositivos de micro-ondas de alta potência e transistores de RF, permitindo conversão e gerenciamento eficientes de energia. Wafers e substratos de SiC também são utilizados em eletrônica automotiva, sistemas aeroespaciais e tecnologias de energia renovável.


Características

Como você escolhe wafers de carboneto de silício e substratos de SiC?

Ao escolher wafers e substratos de carboneto de silício (SiC), há vários fatores a considerar. Aqui estão alguns critérios importantes:

Tipo de material: Determine o tipo de material de SiC adequado à sua aplicação, como 4H-SiC ou 6H-SiC. A estrutura cristalina mais comumente utilizada é a 4H-SiC.

Tipo de dopagem: decida se você precisa de um substrato de SiC dopado ou não dopado. Os tipos comuns de dopagem são tipo N (dopado com n) ou tipo P (dopado com p), dependendo das suas necessidades específicas.

Qualidade do Cristal: Avalie a qualidade do cristal dos wafers ou substratos de SiC. A qualidade desejada é determinada por parâmetros como o número de defeitos, a orientação cristalográfica e a rugosidade da superfície.

Diâmetro do wafer: Escolha o tamanho de wafer apropriado para a sua aplicação. Os tamanhos comuns incluem 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas. Quanto maior o diâmetro, maior o rendimento obtido por wafer.

Espessura: Considere a espessura desejada dos wafers ou substratos de SiC. As opções de espessura típicas variam de alguns micrômetros a várias centenas de micrômetros.

Orientação: Determine a orientação cristalográfica que se alinha aos requisitos da sua aplicação. Orientações comuns incluem (0001) para 4H-SiC e (0001) ou (0001̅) para 6H-SiC.

Acabamento da Superfície: Avalie o acabamento da superfície dos wafers ou substratos de SiC. A superfície deve ser lisa, polida e livre de arranhões ou contaminantes.

Reputação do Fornecedor: Escolha um fornecedor respeitável com vasta experiência na produção de wafers e substratos de SiC de alta qualidade. Considere fatores como capacidade de fabricação, controle de qualidade e avaliações de clientes.

Custo: considere as implicações de custo, incluindo o preço por wafer ou substrato e quaisquer despesas adicionais de personalização.

É importante avaliar cuidadosamente esses fatores e consultar especialistas do setor ou fornecedores para garantir que os wafers e substratos de SiC escolhidos atendam aos requisitos específicos da sua aplicação.

Diagrama Detalhado

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