categoria do manequim da categoria da produção da categoria zero da bolacha SiC de 4H/6H-P 6 polegadas MPD

categoria do manequim da categoria da produção da categoria da bolacha SiC de 4H/6H-P 6inch zero MPD Imagem em destaque

Breve descrição:

O wafer SiC de 6 polegadas tipo 4H/6H-P é um material semicondutor usado na fabricação de dispositivos eletrônicos, conhecido por sua excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a altas temperaturas e corrosão. O grau de produção e o grau Zero MPD (Micro Pipe Defect) garantem sua confiabilidade e estabilidade em eletrônica de potência de alto desempenho. Os wafers de nível de produção são usados para fabricação de dispositivos em larga escala com rigoroso controle de qualidade, enquanto os wafers de nível fictício são usados principalmente para depuração de processos e testes de equipamentos. As excelentes propriedades do SiC tornam-no amplamente aplicado em dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta tensão e alta frequência, como dispositivos de energia e dispositivos de RF.

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Tabela de parâmetros comuns de substratos compostos de SiC tipo 4H/6H-P

6 Substrato de carboneto de silício (SiC) de diâmetro em polegadas Especificação

Nota			Produção Zero MPDNota (Z Nota)	Produção PadrãoNota (P Nota)	Nota fictícia (D Nota)
Diâmetro			145,5mm~150,0mm
Grossura			350 μm ± 25 μm
Orientação de wafer			-Offeixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, no eixo:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade do Microtubo			0cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1Ωꞏcm		≤0,3Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1mΩꞏcm
Orientação Plana Primária		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Comprimento plano primário			32,5 mm ± 2,0 mm
Comprimento plano secundário			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação Plana Secundária			Silício voltado para cima: 90° CW. do plano Prime ± 5,0°
Exclusão de borda			3mm		6mm
LTV/TTV/Arco/Urdidura			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra≤1 nm polonês
			CMP Ra≤0,2nm		Ra≤0,5nm
Rachaduras nas bordas por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único≤2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões visuais de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arranhões na superfície do silicone por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo≤1×diâmetro do wafer
Edge Chips de alta intensidade de luz			Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada
Contaminação de superfície de silício por alta intensidade			Nenhum
Embalagem			Cassete Multi-wafer ou Recipiente Único de Wafer

Notas:

※ Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão de borda. # Os arranhões devem ser verificados no Si face o

O wafer SiC de 6 polegadas tipo 4H/6H-P com grau Zero MPD e grau de produção ou fictício é amplamente utilizado em aplicações eletrônicas avançadas. Sua excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a ambientes agressivos o tornam ideal para eletrônica de potência, como interruptores e inversores de alta tensão. A classe Zero MPD garante defeitos mínimos, essenciais para dispositivos de alta confiabilidade. Os wafers de nível de produção são usados na fabricação em larga escala de dispositivos de energia e aplicações de RF, onde o desempenho e a precisão são cruciais. Os wafers de qualidade fictícia, por outro lado, são usados para calibração de processos, testes de equipamentos e prototipagem, permitindo controle de qualidade consistente em ambientes de produção de semicondutores.

As vantagens dos substratos compostos de SiC tipo N incluem

Alta condutividade térmica: O wafer SiC 4H/6H-P dissipa o calor com eficiência, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alta temperatura e alta potência.
Alta tensão de ruptura: Sua capacidade de lidar com altas tensões sem falhas o torna ideal para eletrônica de potência e aplicações de comutação de alta tensão.
Grau zero MPD (defeito de microtubo): A densidade mínima de defeitos garante maior confiabilidade e desempenho, fundamental para dispositivos eletrônicos exigentes.
Grau de produção para fabricação em massa: Adequado para produção em larga escala de dispositivos semicondutores de alto desempenho com rigorosos padrões de qualidade.
Dummy-Grade para testes e calibração: permite a otimização de processos, testes de equipamentos e prototipagem sem usar wafers de alto custo e nível de produção.

No geral, os wafers SiC 4H/6H-P de 6 polegadas com grau Zero MPD, grau de produção e grau fictício oferecem vantagens significativas para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alto desempenho. Esses wafers são particularmente benéficos em aplicações que exigem operação em alta temperatura, alta densidade de potência e conversão de energia eficiente. A classe Zero MPD garante defeitos mínimos para um desempenho confiável e estável do dispositivo, enquanto os wafers de nível de produção suportam a fabricação em larga escala com controles de qualidade rigorosos. Os wafers de grau fictício fornecem uma solução econômica para otimização de processos e calibração de equipamentos, tornando-os indispensáveis para a fabricação de semicondutores de alta precisão.