Wafer de SiC 4H/6H-P de 6 polegadas, grau MPD zero, grau de produção, grau fictício

Descrição curta:

O wafer de SiC de 6 polegadas do tipo 4H/6H-P é um material semicondutor utilizado na fabricação de dispositivos eletrônicos, conhecido por sua excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a altas temperaturas e corrosão. A qualidade de produção e a classificação Zero MPD (Micro Pipe Defect) garantem sua confiabilidade e estabilidade em eletrônica de potência de alto desempenho. Os wafers de produção são utilizados na fabricação de dispositivos em larga escala com rigoroso controle de qualidade, enquanto os wafers de grau fictício são utilizados principalmente para depuração de processos e testes de equipamentos. As excelentes propriedades do SiC o tornam amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta tensão e alta frequência, como dispositivos de potência e dispositivos de RF.

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Tabela de parâmetros comuns de substratos compostos de SiC tipo 4H/6H-P

6 Substrato de carboneto de silício (SiC) de diâmetro de polegada Especificação

Nota			Produção MPD ZeroGrau (Z Nota)	Produção PadrãoGrau (P Nota)	Grau fictício (D Nota)
Diâmetro			145,5 mm ~ 150,0 mm
Grossura			350 μm ± 25 μm
Orientação de wafer			-Offeixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, No eixo:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade do microtubo			0 cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	3C-N tipo n		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientação plana primária		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Comprimento plano primário			32,5 mm ± 2,0 mm
Comprimento plano secundário			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação plana secundária			Face de silício para cima: 90° CW. do plano Prime ± 5,0°
Exclusão de Borda			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Distorção			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra polonês≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Fissuras nas bordas causadas por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm
Placas Hexagonais por Luz de Alta Intensidade			Área cumulativa ≤0,05%		Área cumulativa ≤0,1%
Áreas de politipia por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões de Carbono Visual			Área cumulativa ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arranhões na superfície do silicone causados por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤1×diâmetro da pastilha
Chips de borda de alta intensidade de luz			Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada
Contaminação da superfície de silício por alta intensidade			Nenhum
Embalagem			Cassete multiwafer ou recipiente de wafer único

Observações:

※ Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os arranhões devem ser verificados na face Si

O wafer de SiC de 6 polegadas tipo 4H/6H-P com grau Zero MPD e grau de produção ou fictício é amplamente utilizado em aplicações eletrônicas avançadas. Sua excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a ambientes severos o tornam ideal para eletrônica de potência, como interruptores e inversores de alta tensão. O grau Zero MPD garante defeitos mínimos, essenciais para dispositivos de alta confiabilidade. Os wafers de grau de produção são utilizados na fabricação em larga escala de dispositivos de potência e aplicações de RF, onde desempenho e precisão são cruciais. Os wafers de grau fictício, por outro lado, são utilizados para calibração de processos, testes de equipamentos e prototipagem, permitindo um controle de qualidade consistente em ambientes de produção de semicondutores.

As vantagens dos substratos compostos de SiC do tipo N incluem

Alta condutividade térmica: O wafer de SiC 4H/6H-P dissipa calor eficientemente, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alta temperatura e alta potência.
Alta Tensão de Ruptura: Sua capacidade de lidar com altas tensões sem falhas o torna ideal para eletrônica de potência e aplicações de comutação de alta tensão.
Grau MPD Zero (Micro Defeito em Tubulação): A densidade mínima de defeitos garante maior confiabilidade e desempenho, essenciais para dispositivos eletrônicos exigentes.
Nível de produção para fabricação em massa: Adequado para produção em larga escala de dispositivos semicondutores de alto desempenho com padrões de qualidade rigorosos.
Dummy-Grade para teste e calibração: Permite otimização de processos, testes de equipamentos e prototipagem sem usar wafers de alto custo para produção.

No geral, os wafers de SiC 4H/6H-P de 6 polegadas com grau Zero MPD, grau de produção e grau fictício oferecem vantagens significativas para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alto desempenho. Esses wafers são particularmente benéficos em aplicações que exigem operação em alta temperatura, alta densidade de potência e conversão de energia eficiente. O grau Zero MPD garante defeitos mínimos para um desempenho confiável e estável do dispositivo, enquanto os wafers de grau de produção suportam a fabricação em larga escala com rigorosos controles de qualidade. Os wafers de grau fictício oferecem uma solução econômica para otimização de processos e calibração de equipamentos, tornando-os indispensáveis para a fabricação de semicondutores de alta precisão.