Wafer de SiC 4H/6H-P de 6 polegadas, grau MPD zero, grau de produção, grau fictício.
Tabela de parâmetros comuns para substratos compósitos de SiC tipo 4H/6H-P
6 Substrato de carboneto de silício (SiC) com diâmetro de polegada Especificação
| Nota | Produção de MPD ZeroGrau (Z) Nota) | Produção padrãoNota (P) Nota) | Nota fictícia (D Nota) | ||
| Diâmetro | 145,5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| Grossura | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientação do wafer | -Offeixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, No eixo:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidade de microtubos | 0 cm-2 | ||||
| Resistividade | tipo p 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| tipo n 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientação plana primária | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Comprimento plano primário | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Comprimento plano secundário | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientação plana secundária | Face de silicone para cima: 90° no sentido horário. A partir da superfície plana Prime ± 5,0° | ||||
| Exclusão de borda | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arco/Derrapagem | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosidade | Polonês Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Rachaduras nas bordas causadas por luz de alta intensidade. | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤0,1% | |||
| Áreas politipadas por luz de alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤ 3% | |||
| Inclusões Visuais de Carbono | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤3% | |||
| Arranhões na superfície de silício causados por luz de alta intensidade | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 1 × diâmetro do wafer | |||
| Lascas de borda de alta intensidade devido à luz intensa | Nenhuma largura ou profundidade permitida ≥0,2 mm. | 5 permitidos, ≤1 mm cada | |||
| Contaminação da superfície de silício por alta intensidade | Nenhum | ||||
| Embalagem | Cassete para múltiplos wafers ou recipiente para um único wafer | ||||
Notas:
※ Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os riscos devem ser verificados na face de Si.
O wafer de SiC de 6 polegadas do tipo 4H/6H-P, com grau de pureza Zero MPD e grau de produção ou protótipo, é amplamente utilizado em aplicações eletrônicas avançadas. Sua excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a ambientes agressivos o tornam ideal para eletrônica de potência, como chaves e inversores de alta tensão. O grau de pureza Zero MPD garante defeitos mínimos, o que é crucial para dispositivos de alta confiabilidade. Os wafers de grau de produção são utilizados na fabricação em larga escala de dispositivos de potência e aplicações de RF, onde o desempenho e a precisão são fundamentais. Já os wafers de grau protótipo são utilizados para calibração de processos, testes de equipamentos e prototipagem, permitindo um controle de qualidade consistente em ambientes de produção de semicondutores.
As vantagens dos substratos compósitos de SiC do tipo N incluem:
- Alta condutividade térmicaA pastilha de SiC 4H/6H-P dissipa o calor de forma eficiente, tornando-a adequada para aplicações eletrônicas de alta temperatura e alta potência.
- Alta tensão de rupturaSua capacidade de lidar com altas tensões sem falhas o torna ideal para eletrônica de potência e aplicações de comutação de alta tensão.
- Grau de MPD (Defeito em Microtubulação) ZeroUma densidade mínima de defeitos garante maior confiabilidade e desempenho, fatores críticos para dispositivos eletrônicos exigentes.
- Qualidade de produção para fabricação em massaAdequado para a produção em larga escala de dispositivos semicondutores de alto desempenho com padrões de qualidade rigorosos.
- Grau fictício para testes e calibraçãoPermite a otimização de processos, testes de equipamentos e prototipagem sem a necessidade de wafers de produção de alto custo.
De forma geral, os wafers de SiC de 6 polegadas 4H/6H-P com grau de pureza Zero MPD, grau de produção e grau de teste oferecem vantagens significativas para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alto desempenho. Esses wafers são particularmente benéficos em aplicações que exigem operação em alta temperatura, alta densidade de potência e conversão de energia eficiente. O grau Zero MPD garante defeitos mínimos para um desempenho confiável e estável do dispositivo, enquanto os wafers de grau de produção suportam a fabricação em larga escala com rigorosos controles de qualidade. Os wafers de grau de teste fornecem uma solução econômica para otimização de processos e calibração de equipamentos, tornando-os indispensáveis para a fabricação de semicondutores de alta precisão.
Diagrama detalhado
