Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm em NPSS/FSS Modelo AlN em safira

Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm em modelo NPSS/FSS AlN em safira Imagem em destaque

Breve descrição:

AlN-On-Sapphire refere-se a uma combinação de materiais em que filmes de nitreto de alumínio são cultivados em substratos de safira. Nesta estrutura, o filme de nitreto de alumínio de alta qualidade pode ser cultivado por deposição química de vapor (CVD) ou deposição química de vapor organométrica (MOCVD), o que faz com que o filme de nitreto de alumínio e o substrato de safira tenham uma boa combinação. As vantagens desta estrutura são que o nitreto de alumínio possui alta condutividade térmica, alta estabilidade química e excelentes propriedades ópticas, enquanto o substrato de safira possui excelentes propriedades mecânicas e térmicas e transparência.

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AlN-On-Safira

AlN-On-Sapphire pode ser usado para fazer uma variedade de dispositivos fotoelétricos, como:
1. Chips de LED: Os chips de LED são geralmente feitos de filmes de nitreto de alumínio e outros materiais. A eficiência e a estabilidade dos LEDs podem ser melhoradas usando wafers AlN-On-Sapphire como substrato de chips de LED.
2. Lasers: Os wafers AlN-On-Sapphire também podem ser usados como substratos para lasers, que são comumente usados em processamento médico, de comunicações e de materiais.
3. Células solares: A fabricação de células solares requer o uso de materiais como o nitreto de alumínio. AlN-On-Sapphire como substrato pode melhorar a eficiência e a vida útil das células solares.
4. Outros dispositivos optoeletrônicos: Os wafers AlN-On-Sapphire também podem ser usados para fabricar fotodetectores, dispositivos optoeletrônicos e outros dispositivos optoeletrônicos.

Concluindo, os wafers AlN-On-Sapphire são amplamente utilizados no campo optoelétrico devido à sua alta condutividade térmica, alta estabilidade química, baixa perda e excelentes propriedades ópticas.

Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm em NPSS/FSS

Item	Observações
Descrição	Modelo AlN-on-NPSS	Modelo AlN-on-FSS
Diâmetro da bolacha	50,8 mm, 100 mm
Substrato	c-avião NPSS	Plano C Safira Planar (FSS)
Espessura do substrato	50,8 mm, safira planar plana de 100 mmc (FSS) 100 mm: 650 um
Espessura da epi-camada AIN	3~4um (alvo: 3,3um)
Condutividade	Isolante
Superfície	Conforme crescido
	RMS<1nm	RMS<2nm
Parte traseira	Moído
FWHM(002)XRC	< 150 segundos de arco	< 150 segundos de arco
FWHM(102)XRC	<300 segundos de arco	<300 segundos de arco
Exclusão de borda	<2mm	<3mm
Orientação plana primária	a-plano+0,1°
Comprimento plano primário	50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Pacote	Embalado em caixa de transporte ou recipiente de wafer único