Molde AlN de 50,8 mm/100 mm em molde AlN NPSS/FSS em safira

Modelo de AlN de 50,8 mm/100 mm em NPSS/FSS Modelo de AlN em safira Imagem em destaque

Descrição curta:

AlN-Sobre-Safira refere-se a uma combinação de materiais na qual filmes de nitreto de alumínio são cultivados em substratos de safira. Nessa estrutura, filmes de nitreto de alumínio de alta qualidade podem ser cultivados por deposição química de vapor (CVD) ou deposição química de vapor organométrica (MOCVD), o que torna o filme de nitreto de alumínio e o substrato de safira uma boa combinação. As vantagens dessa estrutura são que o nitreto de alumínio possui alta condutividade térmica, alta estabilidade química e excelentes propriedades ópticas, enquanto o substrato de safira possui excelentes propriedades mecânicas e térmicas, além de transparência.

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AlN-Sobre-Safira

O AlN-On-Sapphire pode ser usado para fabricar uma variedade de dispositivos fotoelétricos, como:
1. Chips de LED: Os chips de LED geralmente são feitos de filmes de nitreto de alumínio e outros materiais. A eficiência e a estabilidade dos LEDs podem ser melhoradas com o uso de wafers de AlN sobre safira como substrato.
2. Lasers: wafers de AlN sobre safira também podem ser usados como substratos para lasers, que são comumente usados em aplicações médicas, de comunicação e de processamento de materiais.
3. Células solares: A fabricação de células solares requer o uso de materiais como nitreto de alumínio. O AlN sobre safira como substrato pode aumentar a eficiência e a vida útil das células solares.
4. Outros dispositivos optoeletrônicos: wafers de AlN sobre safira também podem ser usados para fabricar fotodetectores, dispositivos optoeletrônicos e outros dispositivos optoeletrônicos.

Concluindo, os wafers de AlN sobre safira são amplamente utilizados no campo optoelétrico devido à sua alta condutividade térmica, alta estabilidade química, baixa perda e excelentes propriedades ópticas.

Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm em NPSS/FSS

Item	Observações
Descrição	Modelo AlN-on-NPSS	Modelo AlN-on-FSS
Diâmetro da bolacha	50,8 mm, 100 mm
Substrato	NPSS do plano C	c-plane Planar Sapphire (FSS)
Espessura do substrato	50,8 mm, 100 mm c-plane Safira Planar (FSS) 100 mm: 650 um
Espessura da epi-camada AIN	3~4 um (alvo: 3,3 um)
Condutividade	Isolante
Superfície	Como crescido
	RMS<1 nm	RMS<2 nm
Parte traseira	Moído
FWHM(002)XRC	< 150 segundos de arco	< 150 segundos de arco
FWHM(102)XRC	< 300 segundos de arco	< 300 segundos de arco
Exclusão de Borda	< 2 mm	< 3 mm
Orientação plana primária	a-plano+0,1°
Comprimento plano primário	50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Pacote	Embalado em caixa de transporte ou recipiente de wafer único