Lingote semi-isolante de carboneto de silício 4H-SiC de 6 pol., grau fictício

Descrição curta:

O Carbeto de Silício (SiC) está revolucionando a indústria de semicondutores, particularmente em aplicações de alta potência, alta frequência e resistência à radiação. O lingote semi-isolante de 4H-SiC de 6 polegadas, oferecido em grau fictício, é um material essencial para processos de prototipagem, pesquisa e calibração. Com ampla banda de transferência, excelente condutividade térmica e robustez mecânica, este lingote oferece uma ótima relação custo-benefício para testes e otimização de processos, sem comprometer a qualidade fundamental necessária para o desenvolvimento avançado. Este produto atende a uma variedade de aplicações, incluindo eletrônica de potência, dispositivos de radiofrequência (RF) e optoeletrônica, tornando-se uma ferramenta inestimável para a indústria e instituições de pesquisa.

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Detalhes do produto

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Propriedades

1. Propriedades físicas e estruturais
●Tipo de material: carboneto de silício (SiC)
●Politipo: 4H-SiC, estrutura cristalina hexagonal
●Diâmetro: 6 polegadas (150 mm)
●Espessura: Configurável (5-15 mm típico para grau fictício)
●Orientação do Cristal:
oPrimário: [0001] (plano C)
oOpções secundárias: Fora do eixo 4° para crescimento epitaxial otimizado
●Orientação plana primária: (10-10) ± 5°
●Orientação plana secundária: 90° no sentido anti-horário a partir do plano primário ± 5°

2. Propriedades elétricas
●Resistividade:
Semi-isolante (>106^66 Ω·cm), ideal para minimizar a capacitância parasita.
●Tipo de doping:
oDopado não intencionalmente, resultando em alta resistividade elétrica e estabilidade sob uma variedade de condições operacionais.

3. Propriedades térmicas
●Condutividade térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, permitindo dissipação de calor eficaz em sistemas de alta potência.
●Coeficiente de expansão térmica: 4,2×10−64,2 \vezes 10^{-6}4,2×10−6/K, garantindo estabilidade dimensional durante o processamento em alta temperatura.

4. Propriedades ópticas
●Bandgap: Ampla banda proibida de 3,26 eV, permitindo operação sob altas tensões e temperaturas.
●Transparência: Alta transparência para comprimentos de onda UV e visíveis, útil para testes optoeletrônicos.

5. Propriedades Mecânicas
●Dureza: Escala de Mohs 9, perdendo apenas para o diamante, garantindo durabilidade durante o processamento.
●Densidade de defeitos:
oControlado para defeitos macro mínimos, garantindo qualidade suficiente para aplicações de nível fictício.
●Planicidade: Uniformidade com desvios

Parâmetro	Detalhes	Unidade
Nota	Grau fictício
Diâmetro	150,0 ± 0,5	mm
Orientação de wafer	No eixo: <0001> ± 0,5°	grau
Resistividade elétrica	> 1E5	Ω·cm
Orientação plana primária	{10-10} ± 5,0°	grau
Comprimento plano primário	Entalhe
Rachaduras (Inspeção de Luz de Alta Intensidade)	< 3 mm em radial	mm
Placas Hexagonais (Inspeção de Luz de Alta Intensidade)	Área acumulada ≤ 5%	%
Áreas de Politipo (Inspeção de Luz de Alta Intensidade)	Área acumulada ≤ 10%	%
Densidade do microtubo	< 50	cm−2^-2−2
Lascamento de bordas	3 permitidos, cada um ≤ 3 mm	mm
Observação	Espessura do wafer de fatiamento < 1 mm, > 70% (excluindo duas extremidades) atende aos requisitos acima

Aplicações

1. Prototipagem e Pesquisa
O lingote 4H-SiC de 6 polegadas de nível fictício é um material ideal para prototipagem e pesquisa, permitindo que fabricantes e laboratórios:
● Parâmetros do processo de teste em Deposição Química de Vapor (CVD) ou Deposição Física de Vapor (PVD).
●Desenvolver e refinar técnicas de gravação, polimento e fatiamento de wafers.
●Explore novos designs de dispositivos antes de fazer a transição para materiais de nível de produção.

2. Calibração e teste do dispositivo
As propriedades semi-isolantes tornam este lingote inestimável para:
●Avaliar e calibrar as propriedades elétricas de dispositivos de alta potência e alta frequência.
●Simulação de condições operacionais para MOSFETs, IGBTs ou diodos em ambientes de teste.
●Servindo como um substituto econômico para substratos de alta pureza durante o desenvolvimento em estágio inicial.

3. Eletrônica de Potência
As características de alta condutividade térmica e ampla banda do 4H-SiC permitem uma operação eficiente em eletrônica de potência, incluindo:
●Fontes de alimentação de alta tensão.
● Inversores para veículos elétricos (VE).
●Sistemas de energia renovável, como inversores solares e turbinas eólicas.

4. Aplicações de radiofrequência (RF)
As baixas perdas dielétricas e a alta mobilidade de elétrons do 4H-SiC o tornam adequado para:
●Amplificadores e transistores de RF em infraestrutura de comunicação.
●Sistemas de radar de alta frequência para aplicações aeroespaciais e de defesa.
●Componentes de rede sem fio para tecnologias 5G emergentes.

5. Dispositivos resistentes à radiação
Devido à sua resistência inerente a defeitos induzidos por radiação, o 4H-SiC semi-isolante é ideal para:
●Equipamentos de exploração espacial, incluindo eletrônicos de satélite e sistemas de energia.
●Eletrônica resistente à radiação para monitoramento e controle nuclear.
●Aplicações de defesa que exigem robustez em ambientes extremos.

6. Optoeletrônica
A transparência óptica e a ampla banda proibida do 4H-SiC permitem seu uso em:
●Fotodetectores UV e LEDs de alta potência.
●Teste de revestimentos ópticos e tratamentos de superfície.
●Prototipagem de componentes ópticos para sensores avançados.

Vantagens do material de nível fictício

Eficiência de custos:
O grau fictício é uma alternativa mais acessível aos materiais de pesquisa ou de produção, tornando-o ideal para testes de rotina e refinamento de processos.

Personalização:
Dimensões configuráveis e orientações de cristais garantem compatibilidade com uma ampla gama de aplicações.

Escalabilidade:
O diâmetro de 6 polegadas está alinhado aos padrões da indústria, permitindo dimensionamento perfeito para processos de nível de produção.

Robustez:
Alta resistência mecânica e estabilidade térmica tornam o lingote durável e confiável sob variadas condições experimentais.

Versatilidade:
Adequado para vários setores, desde sistemas de energia até comunicações e optoeletrônica.

Conclusão

O lingote semi-isolante de carboneto de silício (4H-SiC) de 6 polegadas, de grau fictício, oferece uma plataforma confiável e versátil para pesquisa, prototipagem e testes em setores de tecnologia de ponta. Suas propriedades térmicas, elétricas e mecânicas excepcionais, aliadas à acessibilidade e à personalização, o tornam um material indispensável tanto para o meio acadêmico quanto para a indústria. Da eletrônica de potência a sistemas de RF e dispositivos resistentes à radiação, este lingote apoia a inovação em todas as etapas do desenvolvimento.
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