Substrato composto LN-sobre-Si de 6 a 8 polegadas com espessura de 0,3 a 50 μm de Si/SiC/Safira

Descrição curta:

O substrato compósito LN-sobre-Si de 6 a 8 polegadas é um material de alto desempenho que integra filmes finos de niobato de lítio (LN) monocristalino com substratos de silício (Si), com espessuras que variam de 0,3 μm a 50 μm. Ele foi projetado para a fabricação avançada de semicondutores e dispositivos optoeletrônicos. Utilizando técnicas avançadas de ligação ou crescimento epitaxial, este substrato garante a alta qualidade cristalina do filme fino de LN, aproveitando o grande tamanho do wafer (6 a 8 polegadas) do substrato de silício para aumentar a eficiência da produção e a relação custo-benefício.
Comparado aos materiais LN convencionais a granel, o substrato compósito LN-sobre-Si de 6 a 8 polegadas oferece correspondência térmica e estabilidade mecânica superiores, tornando-o adequado para processamento em larga escala em nível de wafer. Além disso, materiais de base alternativos, como SiC ou safira, podem ser selecionados para atender a requisitos específicos de aplicação, incluindo dispositivos de RF de alta frequência, fotônica integrada e sensores MEMS.

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Detalhes do produto

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Parâmetros técnicos

0,3-50μm LN/LT em isoladores
Camada superior
Diâmetro	6-8 polegadas
Orientação	X, Z, Y-42 etc.
Materiais	Tenente-general, LN
Grossura	0,3-50μm
Substrato (personalizado)
Material	Si, SiC, Safira, Espinélio, Quartzo

Principais características

O substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas se distingue por suas propriedades de material exclusivas e parâmetros ajustáveis, permitindo ampla aplicabilidade nas indústrias de semicondutores e optoeletrônica:

1. Compatibilidade com wafers grandes: o tamanho do wafer de 6 a 8 polegadas garante integração perfeita com as linhas de fabricação de semicondutores existentes (por exemplo, processos CMOS), reduzindo os custos de produção e permitindo a produção em massa.

2. Alta qualidade cristalina: técnicas epitaxiais ou de ligação otimizadas garantem baixa densidade de defeitos na película fina de LN, tornando-a ideal para moduladores ópticos de alto desempenho, filtros de ondas acústicas de superfície (SAW) e outros dispositivos de precisão.

3. Espessura ajustável (0,3–50 μm): camadas LN ultrafinas (<1 μm) são adequadas para chips fotônicos integrados, enquanto camadas mais espessas (10–50 μm) suportam dispositivos RF de alta potência ou sensores piezoelétricos.

4. Várias opções de substrato: além de Si, SiC (alta condutividade térmica) ou safira (alto isolamento) podem ser selecionados como materiais de base para atender às demandas de aplicações de alta frequência, alta temperatura ou alta potência.

5. Estabilidade térmica e mecânica: o substrato de silício fornece suporte mecânico robusto, minimizando deformações ou rachaduras durante o processamento e melhorando o rendimento do dispositivo.

Esses atributos posicionam o substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas como um material preferencial para tecnologias de ponta, como comunicações 5G, LiDAR e óptica quântica.

Principais aplicações

O substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas é amplamente adotado em indústrias de alta tecnologia devido às suas propriedades eletro-ópticas, piezoelétricas e acústicas excepcionais:

1. Comunicações ópticas e fotônica integrada: permite moduladores eletro-ópticos de alta velocidade, guias de onda e circuitos integrados fotônicos (PICs), atendendo às demandas de largura de banda de data centers e redes de fibra óptica.

Dispositivos RF 2,5G/6G: O alto coeficiente piezoelétrico do LN o torna ideal para filtros de ondas acústicas de superfície (SAW) e ondas acústicas em massa (BAW), aprimorando o processamento de sinal em estações base 5G e dispositivos móveis.

3. MEMS e sensores: O efeito piezoelétrico do LN-on-Si facilita acelerômetros de alta sensibilidade, biossensores e transdutores ultrassônicos para aplicações médicas e industriais.

4. Tecnologias Quânticas: Como um material óptico não linear, filmes finos de LN são usados em fontes de luz quântica (por exemplo, pares de fótons emaranhados) e chips quânticos integrados.

5. Lasers e óptica não linear: camadas LN ultrafinas permitem dispositivos eficientes de geração de segundo harmônico (SHG) e oscilação paramétrica óptica (OPO) para processamento de laser e análise espectroscópica.

O substrato composto LN-on-Si padronizado de 6 a 8 polegadas permite que esses dispositivos sejam fabricados em fábricas de wafers de grande escala, reduzindo significativamente os custos de produção.

Personalização e Serviços

Oferecemos suporte técnico abrangente e serviços de personalização para substratos compostos de LN sobre Si de 6 a 8 polegadas para atender a diversas necessidades de P&D e produção:

1. Fabricação personalizada: a espessura do filme LN (0,3–50 μm), a orientação do cristal (corte X/corte Y) e o material do substrato (Si/SiC/safira) podem ser ajustados para otimizar o desempenho do dispositivo.

2. Processamento em nível de wafer: fornecimento em massa de wafers de 6 e 8 polegadas, incluindo serviços de back-end, como corte, polimento e revestimento, garantindo que os substratos estejam prontos para integração do dispositivo.

3. Consultoria técnica e testes: caracterização de materiais (por exemplo, XRD, AFM), testes de desempenho eletro-óptico e suporte à simulação de dispositivos para agilizar a validação do projeto.

Nossa missão é estabelecer o substrato composto LN-on-Si de 6 a 8 polegadas como uma solução de material essencial para aplicações optoeletrônicas e semicondutoras, oferecendo suporte completo, desde P&D até produção em massa.

Conclusão

O substrato compósito LN-on-Si de 6 a 8 polegadas, com seu grande tamanho de wafer, qualidade superior do material e versatilidade, está impulsionando avanços em comunicações ópticas, RF 5G e tecnologias quânticas. Seja para fabricação em larga escala ou soluções personalizadas, fornecemos substratos confiáveis e serviços complementares para impulsionar a inovação tecnológica.