Suporte de substrato de wafer de safira de 150 mm, 6 polegadas, 0,7 mm e 0,5 mm, plano C SSP/DSP

Imagem em destaque do substrato de wafer de safira C-Plane SSP/DSP de 150 mm, 6 polegadas, 0,7 mm e 0,5 mm

Descrição curta:

Todas as descrições acima são corretas para cristais de safira. O excelente desempenho do cristal de safira o torna amplamente utilizado em campos técnicos de ponta. Com o rápido desenvolvimento da indústria de LED, a demanda por materiais de cristal de safira também está aumentando.

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Características

Aplicações

As aplicações para wafers de safira de 6 polegadas incluem:

1. Fabricação de LED: o wafer de safira pode ser usado como substrato de chips de LED, e sua dureza e condutividade térmica podem melhorar a estabilidade e a vida útil dos chips de LED.

2. Fabricação a laser: O wafer de safira também pode ser usado como substrato do laser, para ajudar a melhorar o desempenho do laser e prolongar sua vida útil.

3. Fabricação de semicondutores: Os wafers de safira são amplamente utilizados na fabricação de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, incluindo síntese óptica, células solares, dispositivos eletrônicos de alta frequência, etc.

4. Outras aplicações: O wafer de safira também pode ser usado para fabricar telas sensíveis ao toque, dispositivos ópticos, células solares de película fina e outros produtos de alta tecnologia.

Especificação

Material	Al2O3 monocristal de alta pureza, pastilha de safira.
Dimensão	150 mm +/- 0,05 mm, 6 polegadas
Grossura	1300 +/- 25 um
Orientação	Plano C (0001) fora do plano M (1-100) 0,2 +/- 0,05 graus
Orientação plana primária	Um plano +/- 1 grau
Comprimento plano primário	47,5 mm +/- 1 mm
Variação Total da Espessura (TTV)	<20 um
Arco	<25 um
Urdidura	<25 um
Coeficiente de Expansão Térmica	6,66 x 10-6 / °C paralelo ao eixo C, 5 x 10-6 /°C perpendicular ao eixo C
Rigidez Dielétrica	4,8 x 105 V/cm
Constante Dielétrica	11,5 (1 MHz) ao longo do eixo C, 9,3 (1 MHz) perpendicular ao eixo C
Tangente de perda dielétrica (também conhecida como fator de dissipação)	menos de 1 x 10-4
Condutividade térmica	40 W/(mK) a 20℃
Polimento	Polimento de um lado (SSP) ou polimento de dois lados (DSP) Ra < 0,5 nm (por AFM). O verso da pastilha SSP foi finamente moído até Ra = 0,8 - 1,2 µm.
Transmitância	88% +/-1% a 460 nm