GaN-On-Safira de 6 polegadas

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Breve descrição:

150mm 6 polegadas GaN em silício / safira / SiC bolacha epi-camada de nitreto de gálio bolacha epitaxial

O wafer de substrato de safira de 6 polegadas é um material semicondutor de alta qualidade que consiste em camadas de nitreto de gálio (GaN) cultivadas em um substrato de safira. O material possui excelentes propriedades de transporte eletrônico e é ideal para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência.

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Detalhes do produto

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150mm 6 polegadas GaN em silício / safira / SiC bolacha epi-camada de nitreto de gálio bolacha epitaxial

Método de fabricação: O processo de fabricação envolve o crescimento de camadas de GaN em um substrato de safira usando técnicas avançadas, como deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) ou epitaxia por feixe molecular (MBE). O processo de deposição é realizado sob condições controladas para garantir alta qualidade cristalina e filme uniforme.

Aplicações GaN-On-Sapphire de 6 polegadas: chips de substrato de safira de 6 polegadas são amplamente utilizados em comunicações de microondas, sistemas de radar, tecnologia sem fio e optoeletrônica.

Algumas aplicações comuns incluem

1. Amplificador de potência Rf

2. Indústria de iluminação LED

3. Equipamento de comunicação de rede sem fio

4. Dispositivos eletrônicos em ambiente de alta temperatura

5. Dispositivos optoeletrônicos

Especificações do produto

- Tamanho: O diâmetro do substrato é de 6 polegadas (cerca de 150 mm).

- Qualidade da superfície: A superfície foi finamente polida para fornecer excelente qualidade de espelho.

- Espessura: A espessura da camada GaN pode ser personalizada de acordo com requisitos específicos.

- Embalagem: O substrato é cuidadosamente embalado com materiais antiestáticos para evitar danos durante o transporte.

- Bordas de posicionamento: O substrato possui bordas de posicionamento específicas que facilitam o alinhamento e operação durante a preparação do dispositivo.

- Outros parâmetros: Parâmetros específicos como finura, resistividade e concentração de dopagem podem ser ajustados de acordo com as necessidades do cliente.

Com suas propriedades de material superiores e diversas aplicações, os wafers de substrato de safira de 6 polegadas são uma escolha confiável para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de alto desempenho em vários setores.

Substrato	6” 1mm <111> Si tipo p	6” 1mm <111> Si tipo p
Epi Grosso Média	~5um	~7h
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Arco	+/-45um	+/-45um
Rachadura	<5 mm	<5 mm
VB vertical	>1000 V	>1400V
HEMTAl%	25-35%	25-35%
HEMT GrossoMédia	20-30 nm	20-30 nm
Boné Insitu SiN	5-60 nm	5-60 nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilidade	~2.000cm²/Vs (<2%)	~2.000cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330 ohm/m² (<2%)	<330 ohm/m² (<2%)