Wafer de SiC 4H-N de 8 polegadas e 200 mm, condutor, para pesquisa
Devido às suas propriedades físicas e eletrônicas únicas, o material semicondutor de wafer de SiC de 200 mm é usado para criar dispositivos eletrônicos de alto desempenho, alta temperatura, resistentes à radiação e alta frequência. O preço do substrato de SiC de 8 polegadas está diminuindo gradualmente à medida que a tecnologia se torna mais avançada e a demanda cresce. Desenvolvimentos tecnológicos recentes levaram à produção em escala de wafers de SiC de 200 mm. As principais vantagens dos materiais semicondutores de wafer de SiC em comparação com wafers de Si e GaAs: A intensidade do campo elétrico do 4H-SiC durante a ruptura por avalanche é mais do que uma ordem de magnitude maior do que os valores correspondentes para Si e GaAs. Isso leva a uma diminuição significativa na resistividade no estado on-state (RON). A baixa resistividade no estado on-state, combinada com alta densidade de corrente e condutividade térmica, permite o uso de matrizes muito pequenas para dispositivos de energia. A alta condutividade térmica do SiC reduz a resistência térmica do chip. As propriedades eletrônicas dos dispositivos baseados em wafers de SiC são muito estáveis ao longo do tempo e em temperatura, o que garante alta confiabilidade dos produtos. O carboneto de silício é extremamente resistente à radiação forte, o que não degrada as propriedades eletrônicas do chip. A alta temperatura limite de operação do cristal (acima de 6000°C) permite a criação de dispositivos altamente confiáveis para condições operacionais adversas e aplicações especiais. Atualmente, podemos fornecer wafers de 200 mmSiC em pequenos lotes de forma constante e contínua, e temos alguns estoques em estoque.
Especificação
Número | Item | Unidade | Produção | Pesquisar | Fictício |
1. Parâmetros | |||||
1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | orientação da superfície | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2. Parâmetro elétrico | |||||
2.1 | dopante | -- | Nitrogênio tipo n | Nitrogênio tipo n | Nitrogênio tipo n |
2.2 | resistividade | ohm · cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3. Parâmetro mecânico | |||||
3.1 | diâmetro | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
3.2 | grossura | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | Orientação do entalhe | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
3.4 | Profundidade do entalhe | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
3,5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Urdidura | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
4. Estrutura | |||||
4.1 | densidade de microtubos | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | teor de metal | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | TPB | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Qualidade positiva | |||||
5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
5.2 | acabamento de superfície | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
5.3 | partícula | ea/wafer | ≤100 (tamanho ≥0,3μm) | NA | NA |
5.4 | arranhar | ea/wafer | ≤5, Comprimento total ≤200 mm | NA | NA |
5.5 | Borda lascas/entalhes/rachaduras/manchas/contaminação | -- | Nenhum | Nenhum | NA |
5.6 | Áreas de politipo | -- | Nenhum | Área ≤10% | Área ≤30% |
5.7 | marcação frontal | -- | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
6. Qualidade de volta | |||||
6.1 | acabamento traseiro | -- | MP com face C | MP com face C | MP com face C |
6.2 | arranhar | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Borda com defeitos nas costas lascas/entalhes | -- | Nenhum | Nenhum | NA |
6.4 | Rugosidade nas costas | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6,5 | Marcação traseira | -- | Entalhe | Entalhe | Entalhe |
7. Borda | |||||
7.1 | borda | -- | Chanfro | Chanfro | Chanfro |
8. Pacote | |||||
8.1 | embalagem | -- | Pronto para epi com vácuo embalagem | Pronto para epi com vácuo embalagem | Pronto para epi com vácuo embalagem |
8.2 | embalagem | -- | Multi-wafer embalagem de cassete | Multi-wafer embalagem de cassete | Multi-wafer embalagem de cassete |
Diagrama Detalhado



