Wafer de silício 4H-N condutor de 8 polegadas (200 mm) para pesquisa (modelo fictício).

Devido às suas propriedades físicas e eletrônicas únicas, o material semicondutor em wafers de SiC de 200 mm é utilizado na criação de dispositivos eletrônicos de alto desempenho, resistentes a altas temperaturas, radiação e alta frequência. O preço do substrato de SiC de 8 polegadas está diminuindo gradualmente à medida que a tecnologia avança e a demanda aumenta. Os recentes desenvolvimentos tecnológicos possibilitaram a fabricação em escala de wafers de SiC de 200 mm. As principais vantagens dos materiais semicondutores em wafers de SiC em comparação com wafers de Si e GaAs são: a intensidade do campo elétrico do 4H-SiC durante a ruptura por avalanche é mais de uma ordem de magnitude superior aos valores correspondentes para Si e GaAs. Isso leva a uma redução significativa na resistividade no estado ligado (Ron). A baixa resistividade no estado ligado, combinada com alta densidade de corrente e condutividade térmica, permite o uso de chips muito pequenos para dispositivos de potência. A alta condutividade térmica do SiC reduz a resistência térmica do chip. As propriedades eletrônicas dos dispositivos baseados em wafers de SiC são muito estáveis ​​ao longo do tempo e em diferentes temperaturas, o que garante alta confiabilidade dos produtos. O carboneto de silício é extremamente resistente à radiação intensa, o que não degrada as propriedades eletrônicas do chip. A alta temperatura limite de operação do cristal (acima de 6000 °C) permite a criação de dispositivos altamente confiáveis ​​para condições operacionais severas e aplicações especiais. Atualmente, podemos fornecer pequenos lotes de wafers de SiC de 200 mm de forma estável e contínua, e temos alguns em estoque.