Wafer de SiC 4H-N de 8 polegadas e 200 mm, condutor, para pesquisa

Devido às suas propriedades físicas e eletrônicas únicas, o material semicondutor de wafer de SiC de 200 mm é usado para criar dispositivos eletrônicos de alto desempenho, alta temperatura, resistentes à radiação e alta frequência. O preço do substrato de SiC de 8 polegadas está diminuindo gradualmente à medida que a tecnologia se torna mais avançada e a demanda cresce. Desenvolvimentos tecnológicos recentes levaram à produção em escala de wafers de SiC de 200 mm. As principais vantagens dos materiais semicondutores de wafer de SiC em comparação com wafers de Si e GaAs: A intensidade do campo elétrico do 4H-SiC durante a ruptura por avalanche é mais do que uma ordem de magnitude maior do que os valores correspondentes para Si e GaAs. Isso leva a uma diminuição significativa na resistividade no estado on-state (RON). A baixa resistividade no estado on-state, combinada com alta densidade de corrente e condutividade térmica, permite o uso de matrizes muito pequenas para dispositivos de energia. A alta condutividade térmica do SiC reduz a resistência térmica do chip. As propriedades eletrônicas dos dispositivos baseados em wafers de SiC são muito estáveis ​​ao longo do tempo e em temperatura, o que garante alta confiabilidade dos produtos. O carboneto de silício é extremamente resistente à radiação forte, o que não degrada as propriedades eletrônicas do chip. A alta temperatura limite de operação do cristal (acima de 6000°C) permite a criação de dispositivos altamente confiáveis ​​para condições operacionais adversas e aplicações especiais. Atualmente, podemos fornecer wafers de 200 mmSiC em pequenos lotes de forma constante e contínua, e temos alguns estoques em estoque.