Grau de pesquisa de manequim condutor de bolacha 4H-N SiC de 8 polegadas 200 mm

Devido às suas propriedades físicas e eletrônicas exclusivas, o material semicondutor SiC wafer de 200 mm é usado para criar dispositivos eletrônicos de alto desempenho, alta temperatura, resistentes à radiação e de alta frequência. O preço do substrato SiC de 8 polegadas está diminuindo gradualmente à medida que a tecnologia se torna mais avançada e a demanda cresce. Desenvolvimentos tecnológicos recentes levam à fabricação em escala de produção de wafers de SiC de 200 mm. As principais vantagens dos materiais semicondutores de wafer de SiC em comparação com wafers de Si e GaAs: A intensidade do campo elétrico de 4H-SiC durante a quebra de avalanche é mais do que uma ordem de magnitude superior aos valores correspondentes para Si e GaAs. Isto leva a uma diminuição significativa na resistividade do estado Ron. A baixa resistividade no estado, combinada com alta densidade de corrente e condutividade térmica, permite o uso de matrizes muito pequenas para dispositivos de energia. A alta condutividade térmica do SiC reduz a resistência térmica do chip. As propriedades eletrônicas dos dispositivos baseados em wafers de SiC são muito estáveis ​​ao longo do tempo e à temperatura, o que garante alta confiabilidade dos produtos. O carboneto de silício é extremamente resistente à radiação forte, o que não degrada as propriedades eletrônicas do chip. A alta temperatura limite de operação do cristal (mais de 6.000°C) permite criar dispositivos altamente confiáveis ​​para condições operacionais adversas e aplicações especiais. Atualmente, podemos fornecer wafers de 200mmSiC em pequenos lotes de forma constante e contínua e ter algum estoque no armazém.