Substrato de SiC de grau de produção de SiC de 8 polegadas 4H-N

substrato SiC da bolacha 4H-N da categoria da produção de 8inch SiC Imagem em destaque

Breve descrição:

Substratos SiC de 8 polegadas são usados em dispositivos eletrônicos de alta potência, como MOSFETs de potência (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico), diodos Schottky e outros dispositivos semicondutores de potência.

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Detalhes do produto

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A tabela a seguir mostra as especificações de nossos wafers SiC de 8 polegadas:

Especificações SiC DSP tipo N de 8 polegadas
Número	Item	Unidade	Produção	Pesquisar	Fictício
1: parâmetros
1.1	politipo	--	4H	4H	4H
1.2	orientação da superfície	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Parâmetro elétrico
2.1	dopante	--	Nitrogênio tipo n	Nitrogênio tipo n	Nitrogênio tipo n
2.2	resistividade	ohm·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3: Parâmetro mecânico
3.1	diâmetro	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	grossura	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientação do entalhe	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Profundidade do entalhe	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Arco	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Urdidura	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4:Estrutura
4.1	densidade do microtubo	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	conteúdo metálico	átomos/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	DBP	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4,5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10.000	NA
5. Qualidade frontal
5.1	frente	--	Si	Si	Si
5.2	acabamento superficial	--	CMP de face Si	CMP de face Si	CMP de face Si
5.3	partícula	cada/bolacha	≤100(tamanho≥0,3μm)	NA	NA
5.4	arranhar	cada/bolacha	≤5,Comprimento Total≤200mm	NA	NA
5.5	Borda lascas/recortes/rachaduras/manchas/contaminação	--	Nenhum	Nenhum	NA
5.6	Áreas politípicas	--	Nenhum	Área ≤10%	Área ≤30%
5.7	marcação frontal	--	Nenhum	Nenhum	Nenhum
6: Qualidade traseira
6.1	acabamento traseiro	--	Deputado face C	Deputado face C	Deputado face C
6.2	arranhar	mm	NA	NA	NA
6.3	Borda de defeitos traseiros chips/recuos	--	Nenhum	Nenhum	NA
6.4	Rugosidade nas costas	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6,5	Marcação traseira	--	Entalhe	Entalhe	Entalhe
7: borda
7.1	borda	--	Chanfro	Chanfro	Chanfro
8: Pacote
8.1	embalagem	--	Epi-pronto com vácuo embalagem	Epi-pronto com vácuo embalagem	Epi-pronto com vácuo embalagem
8.2	embalagem	--	Multi-wafer embalagem de cassete	Multi-wafer embalagem de cassete	Multi-wafer embalagem de cassete