Wafer de SiC de grau de produção de 8 polegadas, substrato de SiC 4H-N
A tabela a seguir mostra as especificações de nossos wafers de SiC de 8 polegadas:
| Especificações do DSP SiC tipo N de 8 polegadas | |||||
| Número | Item | Unidade | Produção | Pesquisar | Fictício |
| 1:parâmetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientação da superfície | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2: Parâmetro elétrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | Nitrogênio tipo n | Nitrogênio tipo n | Nitrogênio tipo n |
| 2.2 | resistividade | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3: Parâmetro mecânico | |||||
| 3.1 | diâmetro | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | grossura | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientação do entalhe | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profundidade do entalhe | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3,5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3,8 | Urdidura | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3,9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4: Estrutura | |||||
| 4.1 | densidade de microtubos | cada/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | teor de metal | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | cada/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Transtorno de Personalidade Borderline | cada/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4,5 | TED | cada/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualidade frontal | |||||
| 5.1 | frente | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabamento de superfície | -- | CMP de face Si | CMP de face Si | CMP de face Si |
| 5.3 | partícula | cada/wafer | ≤100 (tamanho ≥ 0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | arranhar | cada/wafer | ≤5, Comprimento total ≤200 mm | NA | NA |
| 5,5 | Borda lascas/arranhões/rachaduras/manchas/contaminação | -- | Nenhum | Nenhum | NA |
| 5.6 | Áreas de politipos | -- | Nenhum | Área ≤10% | Área ≤30% |
| 5.7 | marcação frontal | -- | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
| 6: Qualidade das costas | |||||
| 6.1 | acabamento traseiro | -- | MP com face em C | MP com face em C | MP com face em C |
| 6.2 | arranhar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Defeitos na borda traseira lascas/recortes | -- | Nenhum | Nenhum | NA |
| 6.4 | aspereza nas costas | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6,5 | Marcação traseira | -- | Entalhe | Entalhe | Entalhe |
| 7:borda | |||||
| 7.1 | borda | -- | Chanfro | Chanfro | Chanfro |
| 8: Pacote | |||||
| 8.1 | embalagem | -- | Pronto para epidural com vácuo embalagem | Pronto para epidural com vácuo embalagem | Pronto para epidural com vácuo embalagem |
| 8.2 | embalagem | -- | Multi-wafer embalagem de cassete | Multi-wafer embalagem de cassete | Multi-wafer embalagem de cassete |
Diagrama detalhado
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