Modelo de AlN NPSS/FSS de 2 polegadas e 4 polegadas para área de semicondutores

Imagem em destaque de AlN em FSS de 2 polegadas e 4 polegadas NPSS/FSS AlN para área de semicondutores

Descrição curta:

Os wafers de AlN sobre FSS (Substrato Flexível) oferecem uma combinação única de condutividade térmica excepcional, resistência mecânica e propriedades de isolamento elétrico do Nitreto de Alumínio (AlN), aliados à flexibilidade de um substrato de alto desempenho. Esses wafers de 2 e 4 polegadas são projetados especificamente para aplicações avançadas em semicondutores, especialmente onde o gerenciamento térmico e a flexibilidade do dispositivo são críticos. Com a opção de NPSS (Substrato Não Polido) e FSS (Substrato Flexível) como base, esses moldes de AlN são ideais para aplicações em eletrônica de potência, dispositivos de RF e sistemas eletrônicos flexíveis, onde alta condutividade térmica e integração flexível são essenciais para melhorar o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

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Detalhes do produto

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Propriedades

Composição do material:
Nitreto de alumínio (AlN) – Camada cerâmica branca de alto desempenho que proporciona excelente condutividade térmica (tipicamente 200-300 W/m·K), bom isolamento elétrico e alta resistência mecânica.
Substrato Flexível (FSS) – Filmes poliméricos flexíveis (como poliimida, PET, etc.) que oferecem durabilidade e flexibilidade sem comprometer a funcionalidade da camada de AlN.

Tamanhos de wafer disponíveis:
2 polegadas (50,8 mm)
4 polegadas (100 mm)

Grossura:
Camada AlN: 100-2000 nm
Espessura do substrato FSS: 50µm-500µm (personalizável com base nos requisitos)

Opções de acabamento de superfície:
NPSS (Substrato Não Polido) – Superfície de substrato não polida, adequada para certas aplicações que exigem perfis de superfície mais rugosos para melhor adesão ou integração.
FSS (Substrato Flexível) – Filme flexível polido ou não polido, com opção de superfícies lisas ou texturizadas, dependendo das necessidades específicas da aplicação.

Propriedades elétricas:
Isolante – As propriedades de isolamento elétrico do AlN o tornam ideal para aplicações de semicondutores de alta tensão e potência.
Constante dielétrica: ~9,5
Condutividade térmica: 200-300 W/m·K (dependendo do grau e espessura específicos do AlN)

Propriedades mecânicas:
Flexibilidade: O AlN é depositado em um substrato flexível (FSS), o que permite flexão e flexibilidade.
Dureza da superfície: O AlN é altamente durável e resiste a danos físicos em condições normais de operação.

Aplicações

Dispositivos de alta potência: Ideal para eletrônicos de potência que exigem alta dissipação térmica, como conversores de potência, amplificadores de RF e módulos de LED de alta potência.

Componentes de RF e micro-ondas: Adequado para componentes como antenas, filtros e ressonadores, onde tanto a condutividade térmica quanto a flexibilidade mecânica são necessárias.

Eletrônica Flexível: Perfeito para aplicações onde os dispositivos precisam se adaptar a superfícies não planas ou exigem um design leve e flexível (por exemplo, dispositivos vestíveis, sensores flexíveis).

Embalagem de semicondutores: Usado como substrato em encapsulamento de semicondutores, oferecendo dissipação térmica em aplicações que geram alto calor.

LEDs e Optoeletrônica: Para dispositivos que exigem operação em alta temperatura com dissipação de calor robusta.

Tabela de Parâmetros

Propriedade	Valor ou intervalo
Tamanho do wafer	2 polegadas (50,8 mm), 4 polegadas (100 mm)
Espessura da camada de AlN	100 nm – 2000 nm
Espessura do substrato FSS	50µm – 500µm (personalizável)
Condutividade térmica	200 – 300 W/m·K
Propriedades elétricas	Isolante (Constante Dielétrica: ~9,5)
Acabamento de superfície	Polido ou não polido
Tipo de substrato	NPSS (Substrato Não Polido), FSS (Substrato Flexível)
Flexibilidade Mecânica	Alta flexibilidade, ideal para eletrônicos flexíveis
Cor	Branco a Off-White (dependendo do substrato)

Aplicações

●Eletrônica de Potência:A combinação de alta condutividade térmica e flexibilidade torna esses wafers perfeitos para dispositivos de energia, como conversores de energia, transistores e reguladores de tensão que exigem dissipação de calor eficiente.
●Dispositivos de RF/Microondas:Devido às propriedades térmicas superiores e à baixa condutividade elétrica do AlN, esses wafers são usados em componentes de RF, como amplificadores, osciladores e antenas.
●Eletrônica Flexível:A flexibilidade da camada FSS combinada com o excelente gerenciamento térmico do AlN a torna a escolha ideal para sensores e eletrônicos vestíveis.
●Embalagem de semicondutores:Usado para encapsulamento de semicondutores de alto desempenho, onde a dissipação térmica eficaz e a confiabilidade são essenciais.
●Aplicações de LED e optoeletrônica:O nitreto de alumínio é um excelente material para embalagens de LED e outros dispositivos optoeletrônicos que exigem alta resistência ao calor.

Perguntas e Respostas (Perguntas Frequentes)

P1: Quais são os benefícios de usar AlN em wafers FSS?

A1: AlN em wafers de FSS combinam a alta condutividade térmica e as propriedades de isolamento elétrico do AlN com a flexibilidade mecânica de um substrato polimérico. Isso permite melhor dissipação de calor em sistemas eletrônicos flexíveis, mantendo a integridade do dispositivo sob condições de flexão e alongamento.

P2: Quais tamanhos estão disponíveis para AlN em wafers FSS?

A2:Nós oferecemos2 polegadase4 polegadastamanhos de wafer. Tamanhos personalizados podem ser discutidos mediante solicitação para atender às necessidades específicas da sua aplicação.

Q3: Posso personalizar a espessura da camada de AlN?

A3:Sim, oEspessura da camada de AlNpode ser personalizado, com intervalos típicos de100 nm a 2000 nmdependendo dos requisitos da sua aplicação.