Wafer de AlN sobre NPSS: Camada de nitreto de alumínio de alto desempenho em substrato de safira não polido para aplicações de alta temperatura, alta potência e RF
Características
Camada AlN de alto desempenho: O nitreto de alumínio (AlN) é conhecido por suaalta condutividade térmica(~200 W/m·K),ampla lacuna de banda, ealta tensão de ruptura, tornando-se um material ideal paraalta potência, alta frequência, ealta temperaturaaplicações.
Substrato de safira não polido (NPSS):A safira não polida proporciona umacusto-efetivo, mecanicamente robustobase, garantindo uma base estável para o crescimento epitaxial sem a complexidade do polimento da superfície. As excelentes propriedades mecânicas do NPSS o tornam durável para ambientes desafiadores.
Alta estabilidade térmica: O wafer AlN-on-NPSS pode suportar flutuações extremas de temperatura, tornando-o adequado para uso emeletrônica de potência, sistemas automotivos, LEDs, eaplicações ópticasque exigem desempenho estável em condições de alta temperatura.
Isolamento elétrico: O AlN possui excelentes propriedades de isolamento elétrico, tornando-o perfeito para aplicações ondeisolamento elétricoé crítico, incluindoDispositivos de RFeeletrônica de micro-ondas.
Dissipação de calor superior: Com alta condutividade térmica, a camada de AlN garante uma dissipação de calor eficaz, essencial para manter o desempenho e a longevidade dos dispositivos que operam com alta potência e frequência.
Parâmetros técnicos
| Parâmetro | Especificação |
| Diâmetro da pastilha | 2 polegadas, 4 polegadas (tamanhos personalizados disponíveis) |
| Tipo de substrato | Substrato de safira não polido (NPSS) |
| Espessura da camada de AlN | 2µm a 10µm (personalizável) |
| Espessura do substrato | 430µm ± 25µm (para 2 polegadas), 500µm ± 25µm (para 4 polegadas) |
| Condutividade térmica | 200 W/m·K |
| Resistividade elétrica | Alto isolamento, adequado para aplicações de RF |
| Rugosidade da superfície | Ra ≤ 0,5µm (para camada de AlN) |
| Pureza do material | AlN de alta pureza (99,9%) |
| Cor | Branco/Esbranquiçado (camada de AlN com substrato NPSS de cor clara) |
| Wafer Warp | < 30µm (típico) |
| Tipo de doping | Não dopado (pode ser personalizado) |
Aplicações
OWafer de AlN sobre NPSSfoi projetado para uma ampla variedade de aplicações de alto desempenho em vários setores:
Eletrônica de alta potência: A alta condutividade térmica e as propriedades isolantes da camada de AlN tornam-na um material ideal paratransistores de potência, retificadores, eCIs de potênciausado emautomotivo, industrial, eenergia renovávelsistemas.
Componentes de radiofrequência (RF):As excelentes propriedades de isolamento elétrico do AlN, juntamente com sua baixa perda, permitem a produção deTransistores de RF, HEMTs (Transistores de Alta Mobilidade Eletrônica), e outroscomponentes de micro-ondasque operam eficientemente em altas frequências e níveis de potência.
Dispositivos Ópticos: Os wafers de AlN sobre NPSS são usados emdiodos laser, LEDs, efotodetectores, onde oalta condutividade térmicaerobustez mecânicasão essenciais para manter o desempenho ao longo da vida útil.
Sensores de alta temperatura:A capacidade do wafer de resistir ao calor extremo o torna adequado parasensores de temperaturaemonitoramento ambientalem indústrias comoaeroespacial, automotivo, epetróleo e gás.
Embalagem de semicondutores: Usado em dissipadores de calorecamadas de gerenciamento térmicoem sistemas de encapsulamento, garantindo a confiabilidade e eficiência dos semicondutores.
Perguntas e respostas
P: Qual é a principal vantagem dos wafers de AlN sobre NPSS em relação a materiais tradicionais como o silício?
R: A principal vantagem é o AlNalta condutividade térmica, o que lhe permite dissipar o calor de forma eficiente, tornando-o ideal paraalta potênciaeaplicações de alta frequênciaonde o gerenciamento de calor é crítico. Além disso, o AlN tem umampla lacuna de bandae excelenteisolamento elétrico, tornando-o superior para uso emRFedispositivos de micro-ondascomparado ao silício tradicional.
P: A camada de AlN em wafers NPSS pode ser personalizada?
R: Sim, a camada de AlN pode ser personalizada em termos de espessura (variando de 2 µm a 10 µm ou mais) para atender às necessidades específicas da sua aplicação. Também oferecemos personalização em termos de tipo de dopagem (tipo N ou tipo P) e camadas adicionais para funções especializadas.
P: Qual é a aplicação típica desse wafer na indústria automotiva?
R: Na indústria automotiva, os wafers de AlN sobre NPSS são comumente usados emeletrônica de potência, Sistemas de iluminação LED, esensores de temperatura. Eles fornecem gerenciamento térmico e isolamento elétrico superiores, o que é essencial para sistemas de alta eficiência que operam sob condições de temperatura variáveis.
Diagrama Detalhado
