Wafer de AlN sobre NPSS: Camada de nitreto de alumínio de alto desempenho em substrato de safira não polido para aplicações de alta temperatura, alta potência e radiofrequência.

Descrição resumida:

O wafer AlN-on-NPSS combina uma camada de nitreto de alumínio (AlN) de alto desempenho com um substrato de safira não polido (NPSS) para oferecer uma solução ideal para aplicações de alta temperatura, alta potência e radiofrequência (RF). A combinação exclusiva da excepcional condutividade térmica e das propriedades elétricas do AlN, juntamente com a excelente resistência mecânica do substrato, torna este wafer a escolha preferencial para aplicações exigentes, como eletrônica de potência, dispositivos de alta frequência e componentes ópticos. Com excelente dissipação de calor, baixa perda e compatibilidade com ambientes de alta temperatura, este wafer possibilita o desenvolvimento de dispositivos de próxima geração com desempenho superior.

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Características

Camada de AlN de alto desempenhoO nitreto de alumínio (AlN) é conhecido por suas propriedades...alta condutividade térmica(~200 W/m·K),banda proibida larga, ealta tensão de ruptura, tornando-o um material ideal paraalta potência, alta frequência, ealta temperaturaaplicações.

Substrato de safira não polido (NPSS)A safira não polida proporciona umcusto-benefício, mecanicamente robustobase, garantindo uma fundação estável para o crescimento epitaxial sem a complexidade do polimento da superfície. As excelentes propriedades mecânicas do NPSS o tornam durável para ambientes desafiadores.

Alta estabilidade térmicaA pastilha de AlN sobre NPSS pode suportar flutuações extremas de temperatura, tornando-a adequada para uso emeletrônica de potência, sistemas automotivos, LEDs, eaplicações ópticasque exigem desempenho estável em condições de alta temperatura.

Isolamento elétricoO AlN possui excelentes propriedades de isolamento elétrico, tornando-o perfeito para aplicações ondeisolamento elétricoé fundamental, incluindodispositivos de radiofrequênciaeeletrônica de micro-ondas.

Dissipação de calor superiorCom alta condutividade térmica, a camada de AlN garante uma dissipação de calor eficaz, o que é essencial para manter o desempenho e a longevidade de dispositivos que operam com alta potência e frequência.

Parâmetros técnicos

Parâmetro	Especificação
Diâmetro do wafer	2 polegadas, 4 polegadas (tamanhos personalizados disponíveis)
Tipo de substrato	Substrato de safira não polido (NPSS)
Espessura da camada de AlN	2µm a 10µm (personalizável)
Espessura do substrato	430µm ± 25µm (para 2 polegadas), 500µm ± 25µm (para 4 polegadas)
Condutividade térmica	200 W/m·K
Resistividade elétrica	Alto isolamento, adequado para aplicações de radiofrequência.
Rugosidade da superfície	Ra ≤ 0,5µm (para camada de AlN)
Pureza do material	AlN de alta pureza (99,9%)
Cor	Branco/Branco-sujo (camada de AlN com substrato NPSS de cor clara)
Deformação do wafer	< 30µm (típico)
Tipo de doping	Sem dopagem (pode ser personalizado)

Aplicações

Owafer de AlN sobre NPSSFoi projetado para uma ampla variedade de aplicações de alto desempenho em diversos setores:

Eletrônica de Alta PotênciaA alta condutividade térmica e as propriedades isolantes da camada de AlN a tornam um material ideal paratransistores de potência, retificadores, ecircuitos integrados de potênciausado emautomotivo, industrial, eenergia renovávelsistemas.

Componentes de radiofrequência (RF)As excelentes propriedades de isolamento elétrico do AlN, aliadas à sua baixa perda, permitem a produção deTransistores de RF, HEMTs (Transistores de Alta Mobilidade de Elétrons)e outroscomponentes de micro-ondasque operam de forma eficiente em altas frequências e níveis de potência.

Dispositivos ÓpticosOs wafers de AlN sobre NPSS são usados emdiodos laser, LEDs, efotodetectores, onde oalta condutividade térmicaerobustez mecânicasão essenciais para manter o desempenho ao longo de uma vida útil prolongada.

Sensores de Alta TemperaturaA capacidade do wafer de suportar calor extremo o torna adequado parasensores de temperaturaemonitoramento ambientalem setores comoaeroespacial, automotivo, epetróleo e gás.

Embalagem de semicondutores: Usado em espalhadores de calorecamadas de gerenciamento térmicoEm sistemas de embalagem, garantindo a confiabilidade e a eficiência dos semicondutores.

Perguntas e Respostas

P: Qual é a principal vantagem dos wafers de AlN sobre NPSS em relação a materiais tradicionais como o silício?

A: A principal vantagem é do AlNalta condutividade térmica, o que lhe permite dissipar o calor de forma eficiente, tornando-o ideal paraalta potênciaeaplicações de alta frequênciaonde o gerenciamento térmico é crítico. Além disso, o AlN possui umbanda proibida largae excelenteisolamento elétrico, tornando-o superior para uso emRFedispositivos de micro-ondasem comparação com o silício tradicional.

P: A camada de AlN em wafers NPSS pode ser personalizada?

R: Sim, a camada de AlN pode ser personalizada em termos de espessura (variando de 2 µm a 10 µm ou mais) para atender às necessidades específicas da sua aplicação. Também oferecemos personalização em termos de tipo de dopagem (tipo N ou tipo P) e camadas adicionais para funções especializadas.

P: Qual é a aplicação típica desse wafer na indústria automotiva?

A: Na indústria automotiva, wafers de AlN sobre NPSS são comumente usados emeletrônica de potência, sistemas de iluminação LED, esensores de temperaturaEles proporcionam gerenciamento térmico e isolamento elétrico superiores, o que é essencial para sistemas de alta eficiência que operam sob condições de temperatura variáveis.