Wafer epitaxial GaN-on-SiC personalizado (100 mm, 150 mm) – Múltiplas opções de substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Descrição resumida:

Nossos wafers epitaxiais de GaN sobre SiC personalizados oferecem desempenho superior para aplicações de alta potência e alta frequência, combinando as propriedades excepcionais do nitreto de gálio (GaN) com a robusta condutividade térmica e resistência mecânica do SiC.Carboneto de silício (SiC)Disponíveis nos tamanhos de 100 mm e 150 mm, esses wafers são fabricados com uma variedade de substratos de SiC, incluindo os tipos 4H-N, HPSI e 4H/6H-P, projetados para atender às necessidades específicas de eletrônica de potência, amplificadores de RF e outros dispositivos semicondutores avançados. Com camadas epitaxiais personalizáveis e substratos de SiC exclusivos, nossos wafers são projetados para garantir alta eficiência, gerenciamento térmico e confiabilidade para aplicações industriais exigentes.

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Características

●Espessura da camada epitaxialPersonalizável a partir de1,0 µmpara3,5 µmOtimizado para alto desempenho em potência e frequência.

● Opções de substrato de SiCDisponível com diversos substratos de SiC, incluindo:

4H-NCarboneto de silício 4H dopado com nitrogênio de alta qualidade para aplicações de alta frequência e alta potência.
HPSICarboneto de silício (SiC) semi-isolante de alta pureza para aplicações que exigem isolamento elétrico.
4H/6H-PMistura de 4H e 6H-SiC para um equilíbrio entre alta eficiência e confiabilidade.

●Tamanhos de waferDisponível em100 mme150 mmdiâmetros para versatilidade no dimensionamento e integração de dispositivos.

●Alta tensão de rupturaA tecnologia GaN sobre SiC proporciona alta tensão de ruptura, permitindo um desempenho robusto em aplicações de alta potência.

● Alta condutividade térmicaA condutividade térmica inerente do SiC (aproximadamente 490 W/m·K) garante excelente dissipação de calor para aplicações que exigem muita energia.

Especificações técnicas

Parâmetro	Valor
Diâmetro do wafer	100 mm, 150 mm
Espessura da camada epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizável)
Tipos de substrato de SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Condutividade térmica do SiC	490 W/m·K
Resistividade do SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSISemi-isolante,4H/6H-PMistura 4H/6H
Espessura da camada de GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentração de portadores de GaN	10^18 cm^-3 a 10^19 cm^-3 (personalizável)
Qualidade da superfície do wafer	Rugosidade RMS: < 1 nm
Densidade de deslocamento	< 1 x 10^6 cm^-2
Laço de hóstia	< 50 µm
Planicidade do wafer	< 5 µm
Temperatura máxima de operação	400°C (típico para dispositivos GaN-on-SiC)

Aplicações

●Eletrônica de potência:As placas de GaN sobre SiC oferecem alta eficiência e dissipação de calor, tornando-as ideais para amplificadores de potência, dispositivos de conversão de energia e circuitos inversores de potência usados em veículos elétricos, sistemas de energia renovável e máquinas industriais.
●Amplificadores de potência de RF:A combinação de GaN e SiC é perfeita para aplicações de radiofrequência de alta frequência e alta potência, como telecomunicações, comunicações via satélite e sistemas de radar.
●Aeroespacial e Defesa:Esses wafers são adequados para tecnologias aeroespaciais e de defesa que exigem eletrônica de potência e sistemas de comunicação de alto desempenho capazes de operar em condições adversas.
●Aplicações Automotivas:Ideal para sistemas de energia de alto desempenho em veículos elétricos (VEs), veículos híbridos (HEVs) e estações de carregamento, permitindo conversão e controle de energia eficientes.
●Sistemas militares e de radar:As pastilhas de GaN sobre SiC são utilizadas em sistemas de radar devido à sua alta eficiência, capacidade de gerenciamento de energia e desempenho térmico em ambientes exigentes.
● Aplicações de micro-ondas e ondas milimétricas:Para sistemas de comunicação de próxima geração, incluindo o 5G, o GaN-on-SiC oferece desempenho ideal em faixas de micro-ondas de alta potência e ondas milimétricas.

Perguntas e Respostas

P1: Quais são os benefícios de usar SiC como substrato para GaN?

A1:O carboneto de silício (SiC) oferece condutividade térmica superior, alta tensão de ruptura e resistência mecânica em comparação com substratos tradicionais como o silício. Isso torna os wafers de GaN sobre SiC ideais para aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura. O substrato de SiC ajuda a dissipar o calor gerado pelos dispositivos de GaN, melhorando a confiabilidade e o desempenho.

Q2: A espessura da camada epitaxial pode ser personalizada para aplicações específicas?

A2:Sim, a espessura da camada epitaxial pode ser personalizada dentro de uma faixa de valores.1,0 µm a 3,5 µmDependendo dos requisitos de potência e frequência da sua aplicação, podemos ajustar a espessura da camada de GaN para otimizar o desempenho de dispositivos específicos, como amplificadores de potência, sistemas de RF ou circuitos de alta frequência.

Q3: Qual é a diferença entre os substratos de SiC 4H-N, HPSI e 4H/6H-P?

A3:

4H-NO 4H-SiC dopado com nitrogênio é comumente usado em aplicações de alta frequência que exigem alto desempenho eletrônico.
HPSIO SiC semi-isolante de alta pureza proporciona isolamento elétrico, ideal para aplicações que exigem condutividade elétrica mínima.
4H/6H-PUma mistura de 4H e 6H-SiC que equilibra o desempenho, oferecendo uma combinação de alta eficiência e robustez, adequada para diversas aplicações em eletrônica de potência.

Q4: Essas pastilhas de GaN sobre SiC são adequadas para aplicações de alta potência, como veículos elétricos e energia renovável?

A4:Sim, os wafers de GaN sobre SiC são ideais para aplicações de alta potência, como veículos elétricos, energia renovável e sistemas industriais. A alta tensão de ruptura, a alta condutividade térmica e a capacidade de gerenciamento de energia dos dispositivos de GaN sobre SiC permitem que eles tenham um desempenho eficaz em circuitos exigentes de conversão e controle de energia.

Q5: Qual é a densidade típica de deslocamentos para esses wafers?

A5:A densidade de deslocamentos nesses wafers de GaN sobre SiC é tipicamente< 1 x 10^6 cm^-2, o que garante um crescimento epitaxial de alta qualidade, minimizando defeitos e melhorando o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

P6: Posso solicitar um tamanho de wafer ou tipo de substrato de SiC específico?

A6:Sim, oferecemos tamanhos de wafer personalizados (100 mm e 150 mm) e tipos de substrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) para atender às necessidades específicas da sua aplicação. Entre em contato conosco para obter mais opções de personalização e discutir suas necessidades.

Q7: Como os wafers de GaN sobre SiC se comportam em ambientes extremos?

A7:As pastilhas de GaN sobre SiC são ideais para ambientes extremos devido à sua alta estabilidade térmica, alta capacidade de potência e excelentes propriedades de dissipação de calor. Essas pastilhas apresentam bom desempenho em condições de alta temperatura, alta potência e alta frequência, comumente encontradas em aplicações aeroespaciais, de defesa e industriais.

Conclusão

Nossos wafers epitaxiais GaN-on-SiC personalizados combinam as propriedades avançadas do GaN e do SiC para oferecer desempenho superior em aplicações de alta potência e alta frequência. Com múltiplas opções de substrato de SiC e camadas epitaxiais personalizáveis, esses wafers são ideais para indústrias que exigem alta eficiência, gerenciamento térmico e confiabilidade. Seja para eletrônica de potência, sistemas de RF ou aplicações de defesa, nossos wafers GaN-on-SiC oferecem o desempenho e a flexibilidade que você precisa.