Wafers epitaxiais de GaN sobre SiC personalizados (100 mm, 150 mm) – Múltiplas opções de substrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Wafers epitaxiais de GaN sobre SiC personalizados (100 mm, 150 mm) – Várias opções de substrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) Imagem em destaque

Descrição curta:

Nossos wafers epitaxiais GaN-on-SiC personalizados oferecem desempenho superior para aplicações de alta potência e alta frequência, combinando as propriedades excepcionais do nitreto de gálio (GaN) com a robusta condutividade térmica e resistência mecânica deCarboneto de silício (SiC)Disponíveis em tamanhos de wafer de 100 mm e 150 mm, esses wafers são construídos em uma variedade de substratos de SiC, incluindo os tipos 4H-N, HPSI e 4H/6H-P, adaptados para atender a requisitos específicos de eletrônica de potência, amplificadores de RF e outros dispositivos semicondutores avançados. Com camadas epitaxiais personalizáveis e substratos de SiC exclusivos, nossos wafers são projetados para garantir alta eficiência, gerenciamento térmico e confiabilidade para aplicações industriais exigentes.

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Detalhes do produto

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Características

●Espessura da camada epitaxial: Personalizável de1,0 µmpara3,5 µm, otimizado para alto desempenho de potência e frequência.

●Opções de substrato de SiC: Disponível com vários substratos de SiC, incluindo:

4H-N: 4H-SiC dopado com nitrogênio de alta qualidade para aplicações de alta frequência e alta potência.
HPSI: SiC semi-isolante de alta pureza para aplicações que exigem isolamento elétrico.
4H/6H-P: 4H e 6H-SiC mistos para um equilíbrio entre alta eficiência e confiabilidade.

●Tamanhos de wafers: Disponível em100 mme150 mmdiâmetros para versatilidade no dimensionamento e integração de dispositivos.

●Alta Tensão de Ruptura: A tecnologia GaN em SiC fornece alta tensão de ruptura, permitindo desempenho robusto em aplicações de alta potência.

●Alta condutividade térmica: A condutividade térmica inerente do SiC (aproximadamente 490 W/m·K) garante excelente dissipação de calor para aplicações de alto consumo de energia.

Especificações técnicas

Parâmetro	Valor
Diâmetro da pastilha	100 mm, 150 mm
Espessura da camada epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizável)
Tipos de substrato de SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Condutividade térmica do SiC	490 W/m·K
Resistividade do SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-isolante,4H/6H-P: Misto 4H/6H
Espessura da camada GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentração de portadores de GaN	10^18 cm^-3 a 10^19 cm^-3 (personalizável)
Qualidade da superfície do wafer	Rugosidade RMS: < 1 nm
Densidade de deslocamento	< 1 x 10^6 cm^-2
Arco de Wafer	< 50 µm
Planicidade da bolacha	< 5 µm
Temperatura máxima de operação	400°C (típico para dispositivos GaN-on-SiC)

Aplicações

●Eletrônica de Potência:Os wafers de GaN sobre SiC oferecem alta eficiência e dissipação de calor, tornando-os ideais para amplificadores de potência, dispositivos de conversão de energia e circuitos inversores de energia usados em veículos elétricos, sistemas de energia renovável e máquinas industriais.
●Amplificadores de potência RF:A combinação de GaN e SiC é perfeita para aplicações de RF de alta frequência e alta potência, como telecomunicações, comunicações via satélite e sistemas de radar.
●Aeroespacial e Defesa:Esses wafers são adequados para tecnologias aeroespaciais e de defesa que exigem sistemas de comunicação e eletrônica de potência de alto desempenho que possam operar em condições adversas.
●Aplicações automotivas:Ideal para sistemas de energia de alto desempenho em veículos elétricos (VEs), veículos híbridos (VEHs) e estações de carregamento, permitindo conversão e controle de energia eficientes.
●Sistemas militares e de radar:Os wafers de GaN sobre SiC são usados em sistemas de radar por sua alta eficiência, capacidade de manuseio de energia e desempenho térmico em ambientes exigentes.
●Aplicações de micro-ondas e ondas milimétricas:Para sistemas de comunicação de última geração, incluindo 5G, o GaN-on-SiC oferece desempenho ideal em faixas de micro-ondas de alta potência e ondas milimétricas.

Perguntas e respostas

P1: Quais são os benefícios de usar SiC como substrato para GaN?

A1:O carboneto de silício (SiC) oferece condutividade térmica superior, alta tensão de ruptura e resistência mecânica em comparação com substratos tradicionais como o silício. Isso torna os wafers de GaN sobre SiC ideais para aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura. O substrato de SiC ajuda a dissipar o calor gerado pelos dispositivos de GaN, melhorando a confiabilidade e o desempenho.

P2: A espessura da camada epitaxial pode ser personalizada para aplicações específicas?

A2:Sim, a espessura da camada epitaxial pode ser personalizada dentro de uma faixa de1,0 µm a 3,5 µm, dependendo dos requisitos de potência e frequência da sua aplicação. Podemos adaptar a espessura da camada de GaN para otimizar o desempenho de dispositivos específicos, como amplificadores de potência, sistemas de RF ou circuitos de alta frequência.

Q3: Qual é a diferença entre substratos 4H-N, HPSI e 4H/6H-P SiC?

A3:

4H-N:O 4H-SiC dopado com nitrogênio é comumente usado em aplicações de alta frequência que exigem alto desempenho eletrônico.
HPSI: O SiC semi-isolante de alta pureza fornece isolamento elétrico, ideal para aplicações que exigem condutividade elétrica mínima.
4H/6H-P: Uma mistura de 4H e 6H-SiC que equilibra o desempenho, oferecendo uma combinação de alta eficiência e robustez, adequada para diversas aplicações de eletrônica de potência.

T4: Esses wafers de GaN sobre SiC são adequados para aplicações de alta potência, como veículos elétricos e energia renovável?

A4:Sim, os wafers de GaN-sobre-SiC são adequados para aplicações de alta potência, como veículos elétricos, energia renovável e sistemas industriais. A alta tensão de ruptura, a alta condutividade térmica e as capacidades de processamento de energia dos dispositivos de GaN-sobre-SiC permitem que eles funcionem com eficiência em circuitos de controle e conversão de energia exigentes.

Q5: Qual é a densidade de deslocamento típica para essas bolachas?

A5:A densidade de deslocamento dessas pastilhas de GaN sobre SiC é tipicamente< 1 x 10^6 cm^-2, o que garante crescimento epitaxial de alta qualidade, minimizando defeitos e melhorando o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

P6: Posso solicitar um tamanho específico de wafer ou tipo de substrato de SiC?

A6:Sim, oferecemos tamanhos de wafer personalizados (100 mm e 150 mm) e tipos de substrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) para atender às necessidades específicas da sua aplicação. Entre em contato conosco para obter mais opções de personalização e discutir suas necessidades.

P7: Como os wafers de GaN sobre SiC funcionam em ambientes extremos?

A7:Os wafers de GaN sobre SiC são ideais para ambientes extremos devido à sua alta estabilidade térmica, alta capacidade de processamento de energia e excelente capacidade de dissipação de calor. Esses wafers apresentam bom desempenho em condições de alta temperatura, alta potência e alta frequência, comumente encontradas em aplicações aeroespaciais, de defesa e industriais.

Conclusão

Nossos wafers epitaxiais personalizados de GaN sobre SiC combinam as propriedades avançadas de GaN e SiC para proporcionar desempenho superior em aplicações de alta potência e alta frequência. Com múltiplas opções de substrato de SiC e camadas epitaxiais personalizáveis, esses wafers são ideais para indústrias que exigem alta eficiência, gerenciamento térmico e confiabilidade. Seja para eletrônica de potência, sistemas de RF ou aplicações de defesa, nossos wafers de GaN sobre SiC oferecem o desempenho e a flexibilidade que você precisa.