Wafer de safira de 300 mm de diâmetro x 1,0 mm de espessura, plano C, SSP/DSP

Imagem em destaque de um wafer de safira de 300 mm de diâmetro e 1,0 mm de espessura, com tecnologia SSP/DSP no plano C.

Descrição resumida:

A Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. produz wafers de safira com diversas orientações de superfície (planos c, r, a e m) e controla o ângulo de desvio com precisão de até 0,1 grau. Utilizando nossa tecnologia proprietária, conseguimos atingir a alta qualidade necessária para aplicações como crescimento epitaxial e colagem de wafers.

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Características

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Introdução à caixa de wafers

Materiais cristalinos	99,999% de Al2O3, Alta Pureza, Monocristalino, Al2O3
Qualidade cristalina	Inclusões, marcas de bloco, geminações, coloração, microbolhas e centros de dispersão são inexistentes.
Diâmetro	2 polegadas	3 polegadas	4 polegadas	6 polegadas ～ 12 polegadas
Diâmetro	50,8 ± 0,1 mm	76,2±0,2mm	100±0,3mm	Em conformidade com as disposições da produção padrão.
Grossura	430±15µm	550±15µm	650±20µm	Pode ser personalizado pelo cliente.
Orientação	Plano C (0001) ao plano M (1-100) ou plano A (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, plano R (1-1 0 2), plano A (1 1-2 0 ), plano M (1-1 0 0), qualquer orientação, qualquer ângulo
Comprimento plano primário	16,0±1mm	22,0±1,0mm	32,5±1,5 mm	Em conformidade com as disposições da produção padrão.
Orientação plana primária	Plano A (1 1-2 0 ) ± 0,2°
TTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
LTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
TIR	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
ARCO	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Urdidura	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Superfície frontal	Polido epitaxialmente (Ra < 0,2 nm)

*Curvatura: O desvio do ponto central da superfície mediana de um wafer livre e não fixado em relação ao plano de referência, onde o plano de referência é definido pelos três vértices de um triângulo equilátero.

*Deformação: A diferença entre as distâncias máxima e mínima da superfície mediana de um wafer livre e não fixado em relação ao plano de referência definido acima.

Produtos e serviços de alta qualidade para dispositivos semicondutores de última geração e crescimento epitaxial:

Alto grau de planicidade (TTV, curvatura, empenamento, etc. controlados)

Limpeza de alta qualidade (baixa contaminação por partículas, baixa contaminação por metais)

Perfuração, ranhuramento, corte e polimento da face posterior do substrato

Anexo de dados como limpeza e formato do substrato (opcional)

Caso necessite de substratos de safira, entre em contato conosco.

correspondência:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

Entraremos em contato o mais breve possível!