Dia300x1.0mmt Espessura Wafer Safira C-Plane SSP/DSP

Imagem em destaque SSP/DSP do C-Plane SSP/DSP da bolacha de safira da espessura de Dia300x1.0mmt

Breve descrição:

pode produzir wafers de safira com várias orientações de superfície (plano c, r, a e m) e controlar o ângulo de corte em até 0,1 grau. Usando nossa tecnologia proprietária, somos capazes de alcançar a alta qualidade necessária para aplicações como crescimento epitaxial e colagem de wafer.

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Detalhes do produto

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Introdução da caixa de wafer

Materiais Cristalinos	99,999% de Al2O3, alta pureza, monocristalino, Al2O3
Qualidade de cristal	Inclusões, marcas de bloco, gêmeos, cores, microbolhas e centros de dispersão são inexistentes
Diâmetro	2 polegadas	3 polegadas	4 polegadas	6 polegadas ~ 12 polegadas
Diâmetro	50,8±0,1 mm	76,2±0,2 mm	100±0,3 mm	De acordo com as disposições da produção padrão
Grossura	430±15µm	550±15µm	650±20µm	Pode ser personalizado pelo cliente
Orientação	Plano C (0001) para plano M (1-100) ou plano A (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, plano R (1-1 0 2), plano A (1 1-2 0), plano M (1-1 0 0), qualquer orientação, qualquer ângulo
Comprimento plano primário	16,0±1mm	22,0±1,0mm	32,5±1,5mm	De acordo com as disposições da produção padrão
Orientação plana primária	Plano A (1 1-2 0 ) ± 0,2°
TTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
LTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
TIR	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
ARCO	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Urdidura	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Superfície frontal	Epi-polido (Ra<0,2nm)

*Arco: O desvio do ponto central da superfície mediana de um wafer livre e não fixado do plano de referência, onde o plano de referência é definido pelos três cantos de um triângulo equilátero.

*Warp: A diferença entre as distâncias máxima e mínima da superfície mediana de um wafer livre e não fixado do plano de referência definido acima.

Produtos e serviços de alta qualidade para dispositivos semicondutores de próxima geração e crescimento epitaxial:

Alto grau de planicidade (TTV controlado, arco, urdidura, etc.)

Limpeza de alta qualidade (baixa contaminação por partículas, baixa contaminação por metais)

Perfuração de substrato, ranhuramento, corte e polimento traseiro

Anexação de dados como limpeza e formato do substrato (opcional)

Se você precisar de substratos de safira, não hesite em entrar em contato:

correspondência:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

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