Wafer de safira de 50,8 mm de diâmetro, janela de safira, DSP/SSP de alta transmitância óptica

Wafer de safira de 50,8 mm com janela de safira e DSP/SSP de alta transmitância óptica. Imagem em destaque

Descrição curta:

Devido à estrutura menos descombinada e às propriedades químicas e físicas estáveis, as pastilhas de safira (Al2O3) são substratos populares para nitretos III-V, supercondutores e epifilmes magnéticos. São amplamente utilizadas em crescimento epitaxial de GaN e filmes finos, silício sobre safira, no mercado de LEDs e na indústria óptica.

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Características

Por que Safira?

Características da safira de cristal único
1. A safira tem alta transmitância óptica, por isso é amplamente utilizada como material dielétrico de tubo microeletrônico, elemento de condução ultrassônica, cavidade de laser de guia de onda e outros elementos ópticos, como materiais de janela para dispositivos militares infravermelhos, veículos espaciais, lasers de alta intensidade e comunicações ópticas.

2. A safira tem características de alta rigidez, alta resistência, alta temperatura de trabalho, resistência à abrasão e resistência à corrosão, portanto, o substrato de safira é frequentemente usado em ambientes severos, como medidores de água de caldeira (resistência a altas temperaturas), leitores de código de barras de commodities, rolamentos e outras manufaturas de precisão (resistência ao desgaste), carvão, gás, sensores de detecção de poços e janelas de detectores (anticorrosão).

3. A safira tem características de isolamento elétrico, transparência, boa condutividade térmica e alta rigidez, podendo ser usada como material de substrato de circuitos integrados, como LEDs e circuitos microeletrônicos, circuitos integrados de ultra-alta velocidade.

Especificação

Diâmetro	50,8 mm +/- 0,1 mm ou +/- 0,02 mm
Grossura	0,43 mm ± 0,1 mm ou +/- 0,02 mm
Orientação	Plano C/Plano A/Plano M/Plano R
Qualidade da superfície (riscos e escavações)	60/40, 40/20 ou melhor
Precisão de superfície	λ/10, λ/2, λ
Abertura clara	>85%, >90%
Paralelismo	+/-3', +/-30''
Chanfro	0,1~0,3 mm×45 graus
Revestimento	AR, BBAR ou a pedido do cliente (UV, VIS, IR)

Não	Propriedades	Alvo	Tolerância	Observações
1	Diâmetro	50,8 mm	± 0,1 mm
2	Grossura	430μm	±15μm
3	Orientação da superfície do plano C	fora do eixo C para M0,2°	± 0,1°
4	Comprimento plano primário	16 mm	±11 mm
5	Orientação plana primária	Plano A (11-20)	±0,1°
6	Rugosidade do lado posterior	0,8~1,2um
7	Rugosidade da parte frontal	<0,3 nm
8	Borda de wafer	Tipo R
9	Variação Total da Espessura, TTV	≤ 10μm (LTV≤5μm, 5*5)
10	SORI	≤10μm
11	Arco	-10 μm ≤ BOW ≤ 0
12	Marca a laser	N / D		não tem
	Pacote	25 wafers em um cassete
	Capacidade de rastreamento	Os wafers devem ser rastreáveis em relação ao número do cassete

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