Transmitância ótica alta DSP/SSP da janela da safira da bolacha da safira de Dia50.8mm
Por que Safira?
Características da safira de cristal único
1. A safira tem uma alta transmitância óptica, por isso é amplamente utilizada como material dielétrico de tubo microeletrônico, elemento de condução ultrassônica, cavidade de laser de guia de onda e outros elementos ópticos, como materiais de janela para dispositivos militares infravermelhos, veículos espaciais, lasers de alta intensidade e óptica comunicações.
2. A safira tem alta rigidez, alta resistência, alta temperatura de trabalho, resistência à abrasão, características de resistência à corrosão, portanto, o substrato de safira é frequentemente usado em ambientes agressivos, como medidor de água de caldeira (resistência a altas temperaturas), scanner de código de barras de commodities, rolamento, e outras manufaturas de precisão (resistência ao desgaste), carvão, gás, sensores de detecção de poços e janelas de detectores (anticorrosão).
3. A safira possui características de isolamento elétrico, transparência, boa condutividade térmica e alta rigidez, por isso pode ser usada como material de substrato de circuitos integrados, como LED e circuitos microeletrônicos, circuitos integrados de ultra-alta velocidade.
Especificação
Diâmetro | 50,8 mm +/- 0,1 mm ou +/- 0,02 mm |
Grossura | 0,43 mm ± 0,1 mm ou +/- 0,02 mm |
Orientação | Plano C/Plano A/Plano M/Plano R |
Qualidade da superfície (arranhar e escavar) | 60/40, 40/20 ou melhor |
Precisão de superfície | λ/10, λ/2, λ |
Abertura clara | >85%, >90% |
Paralelismo | +/-3', +/-30'' |
Bisel | 0,1 ~ 0,3 mm × 45 graus |
Revestimento | AR, BBAR ou mediante solicitação do cliente (UV, VIS, IR) |
Não | Propriedades | Alvo | Tolerância | Observações | |
1 | Diâmetro | 50,8 mm | ± 0,1 mm | ||
2 | Grossura | 430μm | ±15μm | ||
3 | Orientação da superfície do plano C | fora do eixo C para M0,2° | ± 0,1° | ||
4 | Comprimento plano primário | 16mm | ±11 mm | ||
5 | Orientação plana primária | Avião A (11-20) | ±0,1° | ||
6 | Rugosidade do verso | 0,8~1,2um | |||
7 | Rugosidade frontal | <0,3nm | |||
8 | Borda de wafer | Tipo R | |||
9 | Variação total da espessura, TTV | ≤ 10μm(LTV≤5μm, 5*5) | |||
10 | SORI | ≤10μm | |||
11 | Arco | -10 μm ≤ ARCO ≤ 0 | |||
12 | Marca a laser | N / D | não tenho | ||
Pacote | 25 wafers em um cassete | ||||
Capacidade de rastreamento | Os wafers devem ser rastreáveis em relação ao número do cassete |
Perguntas frequentes
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