Pastilha de safira de 50,8 mm de diâmetro com janela de safira e alta transmitância óptica (DSP/SSP).

Wafer de safira de 50,8 mm de diâmetro, janela de safira, alta transmitância óptica, DSP/SSP, imagem em destaque.

Descrição resumida:

Devido à menor incompatibilidade da rede cristalina e às propriedades químicas e físicas estáveis, o wafer de safira (Al₂O₃) é um substrato popular para nitretos III-V, supercondutores e filmes epitaxiais magnéticos. É amplamente utilizado no crescimento epitaxial de GaN e filmes finos, silício sobre safira, no mercado de LEDs e na indústria óptica.

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Características

Por que safira?

Características da safira monocristalina
1. A safira possui alta transmitância óptica, sendo amplamente utilizada como material dielétrico em tubos microeletrônicos, elemento condutor ultrassônico, cavidade laser de guia de ondas e outros elementos ópticos, bem como material para janelas em dispositivos militares infravermelhos, veículos espaciais, lasers de alta intensidade e comunicações ópticas.

2. A safira possui alta rigidez, alta resistência, alta temperatura de trabalho, resistência à abrasão e à corrosão, sendo, portanto, frequentemente utilizada em substratos agressivos, como medidores de nível de água em caldeiras (resistência a altas temperaturas), leitores de código de barras em produtos comerciais, rolamentos e outras peças de fabricação de precisão (resistência ao desgaste), além de sensores de detecção de carvão, gás e poços, e janelas de detectores (anticorrosão).

3. A safira possui características de isolamento elétrico, transparência, boa condutividade térmica e alta rigidez, podendo ser utilizada como material de substrato para circuitos integrados, como LEDs e circuitos microeletrônicos, além de circuitos integrados de ultra-alta velocidade.

Especificação

Diâmetro	50,8 mm +/- 0,1 mm ou +/- 0,02 mm
Grossura	0,43 mm ± 0,1 mm ou +/- 0,02 mm
Orientação	Plano C/Plano A/Plano M/Plano R
Qualidade da superfície (riscos e marcas)	60/40, 40/20 ou melhor
Precisão da superfície	λ/10, λ/2, λ
Abertura livre	>85%, >90%
Paralelismo	+/-3', +/-30''
Bisel	0,1~0,3 mm × 45 graus
Revestimento	AR, BBAR ou mediante solicitação do cliente (UV, VIS, IR)

Não	Propriedades	Alvo	Tolerância	Observações
1	Diâmetro	50,8 mm	± 0,1 mm
2	Grossura	430 μm	±15 μm
3	Orientação da superfície do plano C	fora do eixo C até M0,2°	± 0,1°
4	Comprimento plano primário	16 mm	±11 mm
5	Orientação plana primária	Plano A (11-20)	±0,1°
6	Rugosidade da parte traseira	0,8~1,2um
7	Rugosidade da face frontal	<0,3 nm
8	Borda do wafer	Tipo R
9	Variação Total da Espessura, TTV	≤ 10μm (LTV≤5μm, 5*5)
10	SORI	≤10 μm
11	Arco	-10 μm ≤ BOW ≤ 0
12	Marcação a laser	N / D		não ter
	Pacote	25 wafers em um cassete
	Capacidade de rastreamento	Os wafers devem ser rastreáveis em relação ao número da cassete.

Perguntas frequentes

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