Substrato de wafer epitaxial de alta potência GaAs, wafer de arsenieto de gálio, comprimento de onda de laser de 905 nm para tratamento médico a laser
As principais características da folha epitaxial de laser de GaAs incluem:
1. Alta mobilidade eletrônica: O arsenieto de gálio tem alta mobilidade eletrônica, o que faz com que as pastilhas epitaxiais de laser de GaAs tenham boas aplicações em dispositivos de alta frequência e dispositivos eletrônicos de alta velocidade.
2. Luminescência de transição de banda proibida direta: Como um material de banda proibida direta, o arsenieto de gálio pode converter eficientemente energia elétrica em energia luminosa em dispositivos optoeletrônicos, tornando-o ideal para a fabricação de lasers.
3. Comprimento de onda: os lasers GaAs 905 normalmente operam a 905 nm, o que os torna adequados para muitas aplicações, incluindo biomedicina.
4. Alta eficiência: com alta eficiência de conversão fotoelétrica, ele pode efetivamente converter energia elétrica em saída de laser.
5. Alta potência de saída: pode atingir alta potência de saída e é adequado para cenários de aplicação que exigem uma fonte de luz forte.
6. Bom desempenho térmico: o material GaAs tem boa condutividade térmica, ajudando a reduzir a temperatura operacional do laser e melhorar a estabilidade.
7. Ampla capacidade de ajuste: a potência de saída pode ser ajustada alterando a corrente de acionamento para se adaptar a diferentes requisitos de aplicação.
As principais aplicações dos comprimidos epitaxiais de laser de GaAs incluem:
1. Comunicação por fibra óptica: a folha epitaxial de laser GaAs pode ser usada para fabricar lasers em comunicação por fibra óptica para obter transmissão de sinal óptico de alta velocidade e longa distância.
2. Aplicações industriais: No campo industrial, as folhas epitaxiais de laser GaAs podem ser usadas para medição de alcance a laser, marcação a laser e outras aplicações.
3. VCSEL: O laser de emissão de superfície de cavidade vertical (VCSEL) é um importante campo de aplicação da folha epitaxial de laser de GaAs, amplamente utilizada em comunicação óptica, armazenamento óptico e detecção óptica.
4. Campo infravermelho e pontual: a folha epitaxial de laser GaAs também pode ser usada para fabricar lasers infravermelhos, geradores de pontos e outros dispositivos, desempenhando um papel importante na detecção de infravermelho, exibição de luz e outros campos.
A preparação da lâmina epitaxial a laser de GaAs depende principalmente da tecnologia de crescimento epitaxial, incluindo deposição química de vapor metal-orgânico (MOCVD), epitaxial de feixe molecular (MBE) e outros métodos. Essas técnicas permitem controlar com precisão a espessura, a composição e a estrutura cristalina da camada epitaxial para obter lâminas epitaxiais a laser de GaAs de alta qualidade.
A XKH oferece customizações de chapas epitaxiais de GaAs em diferentes estruturas e espessuras, abrangendo uma ampla gama de aplicações em comunicações ópticas, VCSEL, infravermelho e campos de ponto de luz. Os produtos da XKH são fabricados com equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, a XKH possui uma ampla gama de canais de fornecimento internacionais, que podem lidar com flexibilidade com o número de pedidos e fornecer serviços de valor agregado, como refinamento e subdivisão. Processos de entrega eficientes garantem a entrega no prazo e atendem aos requisitos dos clientes em termos de qualidade e prazos de entrega. Os clientes podem obter suporte técnico abrangente e serviço pós-venda após a chegada para garantir que o produto seja colocado em uso sem problemas.
Diagrama Detalhado
