Wafer epitaxial de laser GaAs de 4 polegadas e 6 polegadas VCSEL, laser de emissão de superfície de cavidade vertical, comprimento de onda de 940 nm, junção única
As principais características da folha epitaxial de laser de GaAs incluem
1. Estrutura de junção única: Este laser geralmente é composto de um único poço quântico, que pode fornecer emissão de luz eficiente.
2. Comprimento de onda: O comprimento de onda de 940 nm o coloca na faixa do espectro infravermelho, adequado para uma variedade de aplicações.
3. Alta eficiência: Comparado com outros tipos de lasers, o VCSEL tem uma alta eficiência de conversão eletro-óptica.
4. Compacidade: O pacote VCSEL é relativamente pequeno e fácil de integrar.
5. Corrente de limiar baixo e alta eficiência: Lasers de heteroestrutura enterrada apresentam densidade de corrente de limiar de laser extremamente baixa (por exemplo, 4 mA/cm²) e alta eficiência quântica diferencial externa (por exemplo, 36%), com potência de saída linear superior a 15 mW.
6. Estabilidade do modo guia de onda: O laser de heteroestrutura enterrado tem a vantagem da estabilidade do modo guia de onda devido ao seu mecanismo de guia de onda guiado por índice de refração e largura de faixa ativa estreita (cerca de 2 μm).
7. Excelente eficiência de conversão fotoelétrica: Ao otimizar o processo de crescimento epitaxial, é possível obter alta eficiência quântica interna e eficiência de conversão fotoelétrica para reduzir a perda interna.
8. Alta confiabilidade e vida útil: a tecnologia de crescimento epitaxial de alta qualidade pode preparar folhas epitaxiais com boa aparência de superfície e baixa densidade de defeitos, melhorando a confiabilidade e a vida útil do produto.
9. Adequado para uma variedade de aplicações: a folha epitaxial de diodo laser baseada em GAAS é amplamente utilizada em comunicação de fibra óptica, aplicações industriais, infravermelho e fotodetectores e outros campos.
As principais formas de aplicação da folha epitaxial de laser de GaAs incluem
1. Comunicação óptica e comunicação de dados: os wafers epitaxiais de GaAs são amplamente utilizados no campo da comunicação óptica, especialmente em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos, como lasers e detectores.
2. Aplicações industriais: As folhas epitaxiais de laser de GaAs também têm usos importantes em aplicações industriais, como processamento, medição e detecção a laser.
3. Eletrônicos de consumo: Em eletrônicos de consumo, wafers epitaxiais de GaAs são usados para fabricar VCsels (lasers de emissão de superfície de cavidade vertical), que são amplamente utilizados em smartphones e outros eletrônicos de consumo.
4. Aplicações de RF: Os materiais GaAs têm vantagens significativas no campo de RF e são usados para fabricar dispositivos de RF de alto desempenho.
5. Lasers de pontos quânticos: os lasers de pontos quânticos baseados em GAAS são amplamente utilizados nas áreas de comunicação, médica e militar, especialmente na banda de comunicação óptica de 1,31 µm.
6. Interruptor Q passivo: O absorvedor de GaAs é usado para lasers de estado sólido bombeados por diodo com interruptor Q passivo, o que é adequado para microusinagem, alcance e microcirurgia.
Essas aplicações demonstram o potencial dos wafers epitaxiais de laser de GaAs em uma ampla gama de aplicações de alta tecnologia.
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