GaAs laser epitaxial wafer 4 polegadas 6 polegadas VCSEL cavidade vertical emissão de superfície comprimento de onda do laser 940nm junção única
As principais características da folha epitaxial do laser GaAs incluem
1. Estrutura de junção única: Este laser geralmente é composto por um único poço quântico, que pode fornecer emissão de luz eficiente.
2. Comprimento de onda: O comprimento de onda de 940 nm o torna na faixa do espectro infravermelho, adequado para uma variedade de aplicações.
3. Alta eficiência: Comparado com outros tipos de lasers, o VCSEL possui uma alta eficiência de conversão eletro-óptica.
4. Compacidade: O pacote VCSEL é relativamente pequeno e fácil de integrar.
5. Corrente de baixo limiar e alta eficiência: Lasers de heteroestrutura enterrados exibem densidade de corrente de limiar de laser extremamente baixa (por exemplo, 4mA/cm²) e alta eficiência quântica diferencial externa (por exemplo, 36%), com potência de saída linear superior a 15mW.
6. Estabilidade do modo guia de ondas: O laser de heteroestrutura enterrada tem a vantagem da estabilidade do modo guia de ondas devido ao seu mecanismo de guia de ondas guiado por índice de refração e largura estreita da faixa ativa (cerca de 2μm).
7. Excelente eficiência de conversão fotoelétrica: Ao otimizar o processo de crescimento epitaxial, alta eficiência quântica interna e eficiência de conversão fotoelétrica podem ser obtidas para reduzir a perda interna.
8. Alta confiabilidade e vida útil: a tecnologia de crescimento epitaxial de alta qualidade pode preparar folhas epitaxiais com boa aparência superficial e baixa densidade de defeitos, melhorando a confiabilidade e a vida útil do produto.
9. Adequado para uma variedade de aplicações: a folha epitaxial de diodo laser baseada em GAAS é amplamente utilizada em comunicação de fibra óptica, aplicações industriais, infravermelho e fotodetectores e outros campos.
As principais formas de aplicação da folha epitaxial do laser GaAs incluem
1. Comunicação óptica e comunicação de dados: Os wafers epitaxiais de GaAs são amplamente utilizados no campo da comunicação óptica, especialmente em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos, como lasers e detectores.
2. Aplicações industriais: As folhas epitaxiais de laser GaAs também têm usos importantes em aplicações industriais, como processamento, medição e detecção de laser.
3. Eletrônicos de consumo: Na eletrônica de consumo, os wafers epitaxiais de GaAs são usados para fabricar VCsels (lasers emissores de superfície de cavidade vertical), que são amplamente utilizados em smartphones e outros eletrônicos de consumo.
4. Aplicações de RF: Os materiais GaAs têm vantagens significativas no campo de RF e são usados para fabricar dispositivos de RF de alto desempenho.
5. Lasers de pontos quânticos: Os lasers de pontos quânticos baseados em GAAS são amplamente utilizados nas áreas de comunicação, médica e militar, especialmente na banda de comunicação óptica de 1,31 µm.
6. Interruptor Q passivo: O absorvedor GaAs é usado para lasers de estado sólido bombeados por diodo com interruptor Q passivo, que é adequado para microusinagem, alcance e microcirurgia.
Essas aplicações demonstram o potencial dos wafers epitaxiais de laser GaAs em uma ampla gama de aplicações de alta tecnologia.
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