Wafer epitaxial de laser GaAs de 4 polegadas e 6 polegadas, VCSEL (laser de emissão de superfície de cavidade vertical), comprimento de onda de 940 nm, junção única.

Wafer epitaxial de laser GaAs de 4 e 6 polegadas, VCSEL (laser de emissão de superfície de cavidade vertical), comprimento de onda de 940 nm, junção única. Imagem em destaque.

Descrição resumida:

Projeto especificado pelo cliente para matrizes de laser Gigabit Ethernet de alta uniformidade em wafers de 6 polegadas, com comprimento de onda óptico central de 850/940 nm, VCSEL com limitação de óxido ou implantação de prótons, para comunicação de enlace de dados digital, mouse a laser, características elétricas e ópticas, baixa sensibilidade à temperatura. O VCSEL-940 Single Junction é um laser de emissão de superfície de cavidade vertical (VCSEL) com um comprimento de onda de emissão tipicamente em torno de 940 nanômetros. Esses lasers geralmente consistem em um único poço quântico e são capazes de fornecer emissão de luz eficiente. O comprimento de onda de 940 nanômetros o coloca no espectro infravermelho, adequado para uma variedade de aplicações. Comparado com outros tipos de lasers, os VCSELs têm maior eficiência de conversão eletro-óptica. O encapsulamento do VCSEL é relativamente pequeno e fácil de integrar. A ampla aplicação do VCSEL-940 o tornou um componente importante na tecnologia moderna.

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Características

As principais características da folha epitaxial de GaAs para laser incluem

1. Estrutura de junção única: Este laser é geralmente composto por um único poço quântico, que pode fornecer emissão de luz eficiente.
2. Comprimento de onda: O comprimento de onda de 940 nm o coloca na faixa do espectro infravermelho, adequado para uma variedade de aplicações.
3. Alta eficiência: Comparado com outros tipos de lasers, o VCSEL possui alta eficiência de conversão eletro-óptica.
4. Tamanho compacto: O encapsulamento do VCSEL é relativamente pequeno e fácil de integrar.

5. Baixa corrente de limiar e alta eficiência: Os lasers de heteroestrutura enterrada exibem densidade de corrente de limiar de laser extremamente baixa (por exemplo, 4 mA/cm²) e alta eficiência quântica diferencial externa (por exemplo, 36%), com potência de saída linear superior a 15 mW.
6. Estabilidade do modo de guia de onda: O laser de heteroestrutura enterrada tem a vantagem da estabilidade do modo de guia de onda devido ao seu mecanismo de guia de onda guiado por índice de refração e à estreita largura da faixa ativa (cerca de 2 μm).
7. Excelente eficiência de conversão fotoelétrica: Ao otimizar o processo de crescimento epitaxial, é possível obter alta eficiência quântica interna e eficiência de conversão fotoelétrica, reduzindo as perdas internas.
8. Alta confiabilidade e vida útil: a tecnologia de crescimento epitaxial de alta qualidade permite preparar lâminas epitaxiais com boa aparência superficial e baixa densidade de defeitos, melhorando a confiabilidade e a vida útil do produto.
9. Adequado para uma variedade de aplicações: a folha epitaxial de diodo laser baseada em GAAS é amplamente utilizada em comunicação por fibra óptica, aplicações industriais, infravermelho, fotodetectores e outros campos.

As principais aplicações da folha epitaxial de GaAs para laser incluem:

1. Comunicação óptica e comunicação de dados: Os wafers epitaxiais de GaAs são amplamente utilizados na área de comunicação óptica, especialmente em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos, como lasers e detectores.

2. Aplicações industriais: As folhas epitaxiais de GaAs para laser também têm usos importantes em aplicações industriais, como processamento a laser, medição e sensoriamento.

3. Eletrônicos de consumo: Na eletrônica de consumo, wafers epitaxiais de GaAs são usados para fabricar VCsels (lasers de emissão de superfície de cavidade vertical), que são amplamente utilizados em smartphones e outros eletrônicos de consumo.

4. Aplicações de RF: Os materiais de GaAs apresentam vantagens significativas na área de radiofrequência e são utilizados na fabricação de dispositivos de RF de alto desempenho.

5. Lasers de pontos quânticos: Os lasers de pontos quânticos baseados em GAAS são amplamente utilizados nas áreas de comunicação, medicina e militar, especialmente na banda de comunicação óptica de 1,31 µm.

6. Chave Q passiva: O absorvedor de GaAs é usado em lasers de estado sólido bombeados por diodo com chave Q passiva, sendo adequado para microusinagem, telemetria e microcirurgia.

Essas aplicações demonstram o potencial dos wafers epitaxiais de GaAs para laser em uma ampla gama de aplicações de alta tecnologia.

A XKH oferece wafers epitaxiais de GaAs com diferentes estruturas e espessuras, adaptados às necessidades dos clientes, abrangendo uma ampla gama de aplicações, como VCSEL/HCSEL, WLAN, estações base 4G/5G, etc. Os produtos da XKH são fabricados utilizando equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, contamos com uma ampla rede de canais de fornecimento internacionais, podendo lidar com flexibilidade com o volume de pedidos e fornecer serviços de valor agregado, como adelgaçamento, segmentação, etc. Processos de entrega eficientes garantem a entrega no prazo e atendem aos requisitos de qualidade e prazos de entrega dos clientes. Após a chegada, os clientes podem obter suporte técnico completo e serviço pós-venda para garantir que o produto seja utilizado sem problemas.