GaAs

Substrato de wafer epitaxial de alta potência GaAs, wafer de arsenieto de gálio, comprimento de onda de laser de 905 nm para tratamento médico a laser
Wafer epitaxial de laser GaAs de 4 polegadas e 6 polegadas VCSEL, laser de emissão de superfície de cavidade vertical, comprimento de onda de 940 nm, junção única