Nitreto de gálio (GaN) epitaxial cultivado em wafers de safira de 4 e 6 polegadas para MEMS
Propriedades de GaN em wafers de safira
●Alta eficiência:Dispositivos baseados em GaN fornecem cinco vezes mais potência do que dispositivos baseados em silício, melhorando o desempenho em diversas aplicações eletrônicas, incluindo amplificação de RF e optoeletrônica.
●Ampla lacuna de banda:A ampla largura de banda do GaN permite alta eficiência em temperaturas elevadas, tornando-o ideal para aplicações de alta potência e alta frequência.
●Durabilidade:A capacidade do GaN de lidar com condições extremas (altas temperaturas e radiação) garante um desempenho duradouro em ambientes adversos.
●Tamanho pequeno:O GaN permite a produção de dispositivos mais compactos e leves em comparação aos materiais semicondutores tradicionais, facilitando a produção de eletrônicos menores e mais potentes.
Resumo
O nitreto de gálio (GaN) está emergindo como o semicondutor de escolha para aplicações avançadas que exigem alta potência e eficiência, como módulos front-end de RF, sistemas de comunicação de alta velocidade e iluminação LED. Os wafers epitaxiais de GaN, quando cultivados em substratos de safira, oferecem uma combinação de alta condutividade térmica, alta tensão de ruptura e ampla resposta de frequência, essenciais para o desempenho ideal em dispositivos de comunicação sem fio, radares e bloqueadores. Esses wafers estão disponíveis em diâmetros de 4 e 6 polegadas, com espessuras variadas de GaN para atender a diferentes requisitos técnicos. As propriedades únicas do GaN o tornam um candidato ideal para o futuro da eletrônica de potência.
Parâmetros do produto
| Característica do produto | Especificação |
| Diâmetro da pastilha | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrato | Safira |
| Espessura da camada GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tipo GaN/Doping | Tipo N (tipo P disponível mediante solicitação) |
| Orientação de cristais de GaN | <0001> |
| Tipo de polimento | Polido de um lado (SSP), polido de dois lados (DSP) |
| Espessura de Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Variação Total da Espessura) | ≤ 10 μm |
| Arco | ≤ 10 μm |
| Urdidura | ≤ 10 μm |
| Área de superfície | Área de superfície utilizável > 90% |
Perguntas e respostas
P1: Quais são as principais vantagens de usar GaN em relação aos semicondutores tradicionais baseados em silício?
A1: O GaN oferece diversas vantagens significativas em relação ao silício, incluindo uma banda mais larga, que lhe permite lidar com tensões de ruptura mais altas e operar com eficiência em temperaturas mais altas. Isso o torna ideal para aplicações de alta potência e alta frequência, como módulos de RF, amplificadores de potência e LEDs. A capacidade do GaN de lidar com densidades de potência mais altas também permite dispositivos menores e mais eficientes em comparação com alternativas baseadas em silício.
P2: Os wafers de GaN em safira podem ser usados em aplicações MEMS (sistemas microeletromecânicos)?
A2Sim, GaN em wafers de safira é adequado para aplicações MEMS, especialmente onde são necessárias alta potência, estabilidade térmica e baixo ruído. A durabilidade e a eficiência do material em ambientes de alta frequência o tornam ideal para dispositivos MEMS usados em sistemas de comunicação sem fio, sensores e radar.
Q3: Quais são as possíveis aplicações do GaN na comunicação sem fio?
A3: O GaN é amplamente utilizado em módulos front-end de RF para comunicação sem fio, incluindo infraestrutura 5G, sistemas de radar e bloqueadores. Sua alta densidade de potência e condutividade térmica o tornam perfeito para dispositivos de alta potência e alta frequência, permitindo melhor desempenho e formatos menores em comparação com soluções baseadas em silício.
Q4: Quais são os prazos de entrega e quantidades mínimas de pedido para GaN em wafers de safira?
A4: Os prazos de entrega e as quantidades mínimas para pedido variam de acordo com o tamanho do wafer, a espessura do GaN e as necessidades específicas do cliente. Entre em contato conosco diretamente para obter preços detalhados e disponibilidade de acordo com suas especificações.
Q5: Posso obter espessura de camada de GaN ou níveis de dopagem personalizados?
A5Sim, oferecemos personalização da espessura e dos níveis de dopagem de GaN para atender às necessidades específicas da aplicação. Informe-nos as especificações desejadas e forneceremos uma solução personalizada.
Diagrama Detalhado
