Nitreto de gálio em wafer de silício de 4 polegadas e 6 polegadas, orientação de substrato de silício personalizado, resistividade e opções de tipo N/tipo P
Características
●Ampla lacuna de banda:GaN (3,4 eV) proporciona uma melhoria significativa no desempenho de alta frequência, alta potência e alta temperatura em comparação ao silício tradicional, tornando-o ideal para dispositivos de energia e amplificadores de RF.
●Orientação do substrato de Si personalizável:Escolha entre diferentes orientações de substrato de Si, como <111>, <100> e outras para atender aos requisitos específicos do dispositivo.
● Resistividade personalizada:Selecione entre diferentes opções de resistividade para Si, de semi-isolante a alta resistividade e baixa resistividade para otimizar o desempenho do dispositivo.
●Tipo de doping:Disponível em dopagem tipo N ou tipo P para atender aos requisitos de dispositivos de energia, transistores de RF ou LEDs.
●Alta Tensão de Ruptura:Os wafers de GaN sobre Si têm alta tensão de ruptura (até 1200 V), o que lhes permite lidar com aplicações de alta tensão.
●Velocidades de comutação mais rápidas:O GaN tem maior mobilidade de elétrons e menores perdas de comutação do que o silício, tornando os wafers de GaN sobre Si ideais para circuitos de alta velocidade.
●Desempenho térmico aprimorado:Apesar da baixa condutividade térmica do silício, o GaN-on-Si ainda oferece estabilidade térmica superior, com melhor dissipação de calor do que os dispositivos de silício tradicionais.
Especificações técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Tamanho do wafer | 4 polegadas, 6 polegadas |
| Orientação do substrato Si | <111>, <100>, personalizado |
| Resistividade do Si | Alta resistividade, semi-isolante, baixa resistividade |
| Tipo de doping | Tipo N, tipo P |
| Espessura da camada GaN | 100 nm – 5000 nm (personalizável) |
| Camada de barreira AlGaN | 24% – 28% Al (típico 10-20 nm) |
| Tensão de ruptura | 600 V – 1200 V |
| Mobilidade eletrônica | 2000 cm²/V·s |
| Frequência de comutação | Até 18 GHz |
| Rugosidade da superfície do wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistência da folha de GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Deformação total da bolacha | < 25 µm (máximo) |
| Condutividade térmica | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Aplicações
Eletrônica de Potência: GaN-on-Si é ideal para eletrônica de potência, como amplificadores de potência, conversores e inversores usados em sistemas de energia renovável, veículos elétricos (VEs) e equipamentos industriais. Sua alta tensão de ruptura e baixa resistência de ativação garantem uma conversão de energia eficiente, mesmo em aplicações de alta potência.
Comunicações de RF e micro-ondas: Os wafers de GaN-on-Si oferecem recursos de alta frequência, tornando-os perfeitos para amplificadores de potência de RF, comunicações via satélite, sistemas de radar e tecnologias 5G. Com velocidades de comutação mais altas e a capacidade de operar em frequências mais altas (até18 GHz), os dispositivos GaN oferecem desempenho superior nessas aplicações.
Eletrônica automotiva: GaN-on-Si é usado em sistemas de energia automotiva, incluindocarregadores de bordo (OBCs)eConversores DC-DC. Sua capacidade de operar em temperaturas mais altas e suportar níveis de tensão mais altos o torna ideal para aplicações em veículos elétricos que exigem conversão de energia robusta.
LED e Optoeletrônica: GaN é o material de escolha para LEDs azuis e brancos. Os wafers de GaN-on-Si são usados para produzir sistemas de iluminação LED de alta eficiência, proporcionando excelente desempenho em iluminação, tecnologias de exibição e comunicações ópticas.
Perguntas e respostas
P1: Qual é a vantagem do GaN sobre o silício em dispositivos eletrônicos?
A1:GaN tem umbanda mais ampla (3,4 eV)do que o silício (1,1 eV), o que lhe permite suportar tensões e temperaturas mais elevadas. Essa propriedade permite que o GaN lide com aplicações de alta potência com mais eficiência, reduzindo as perdas de energia e aumentando o desempenho do sistema. O GaN também oferece velocidades de comutação mais rápidas, cruciais para dispositivos de alta frequência, como amplificadores de RF e conversores de potência.
P2: Posso personalizar a orientação do substrato de Si para minha aplicação?
A2:Sim, nós oferecemosorientações de substrato de Si personalizáveiscomo<111>, <100>, e outras orientações, dependendo dos requisitos do seu dispositivo. A orientação do substrato de Si desempenha um papel fundamental no desempenho do dispositivo, incluindo características elétricas, comportamento térmico e estabilidade mecânica.
T3: Quais são os benefícios de usar wafers de GaN sobre Si para aplicações de alta frequência?
A3:Os wafers de GaN-on-Si oferecem qualidade superiorvelocidades de comutação, permitindo uma operação mais rápida em frequências mais altas em comparação ao silício. Isso os torna ideais paraRFemicroondasaplicações, bem como de alta frequênciadispositivos de energiacomoHEMTs(Transistores de alta mobilidade eletrônica) eAmplificadores de RFA maior mobilidade eletrônica do GaN também resulta em menores perdas de comutação e melhor eficiência.
T4: Quais opções de dopagem estão disponíveis para wafers de GaN sobre Si?
A4:Nós oferecemos ambosTipo NeTipo Popções de dopagem, que são comumente usadas para diferentes tipos de dispositivos semicondutores.Dopagem tipo Né ideal paratransistores de potênciaeAmplificadores de RF, enquantoDopagem tipo Pé frequentemente usado para dispositivos optoeletrônicos como LEDs.
Conclusão
Nossos wafers personalizados de nitreto de gálio sobre silício (GaN sobre Si) oferecem a solução ideal para aplicações de alta frequência, alta potência e alta temperatura. Com orientações de substrato de Si personalizáveis, resistividade e dopagem tipo N/tipo P, esses wafers são personalizados para atender às necessidades específicas de indústrias que vão desde eletrônica de potência e sistemas automotivos até comunicação por radiofrequência e tecnologias de LED. Aproveitando as propriedades superiores do GaN e a escalabilidade do silício, esses wafers oferecem desempenho, eficiência e proteção aprimorados para dispositivos de próxima geração.
Diagrama Detalhado
