Nitreto de gálio em wafer de silício de 4 e 6 polegadas com opções personalizadas de orientação, resistividade e tipos N/P do substrato de silício.
Características
●Ampla faixa de banda:O GaN (3,4 eV) proporciona uma melhoria significativa no desempenho em alta frequência, alta potência e alta temperatura em comparação com o silício tradicional, tornando-o ideal para dispositivos de potência e amplificadores de RF.
● Orientação personalizável do substrato de silício:Escolha entre diferentes orientações de substrato de silício, como <111>, <100> e outras, para atender aos requisitos específicos do dispositivo.
● Resistividade personalizada:Selecione entre diferentes opções de resistividade para o silício, desde semi-isolante até alta resistividade e baixa resistividade, para otimizar o desempenho do dispositivo.
●Tipo de doping:Disponível com dopagem tipo N ou tipo P para atender aos requisitos de dispositivos de potência, transistores de RF ou LEDs.
●Alta tensão de ruptura:As placas de GaN sobre Si possuem alta tensão de ruptura (até 1200V), permitindo que sejam utilizadas em aplicações de alta tensão.
●Velocidades de comutação mais rápidas:O GaN possui maior mobilidade de elétrons e menores perdas de comutação do que o silício, tornando os wafers de GaN sobre Si ideais para circuitos de alta velocidade.
●Desempenho térmico aprimorado:Apesar da baixa condutividade térmica do silício, o GaN-on-Si ainda oferece estabilidade térmica superior, com melhor dissipação de calor do que os dispositivos de silício tradicionais.
Especificações técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Tamanho do wafer | 4 polegadas, 6 polegadas |
| Orientação do substrato de silício | <111>, <100>, personalizado |
| Resistividade do Si | Alta resistividade, Semi-isolante, Baixa resistividade |
| Tipo de doping | Tipo N, tipo P |
| Espessura da camada de GaN | 100 nm – 5000 nm (personalizável) |
| Camada de barreira de AlGaN | 24% – 28% Al (típico 10-20 nm) |
| Tensão de ruptura | 600V – 1200V |
| Mobilidade eletrônica | 2000 cm²/V·s |
| Frequência de comutação | Até 18 GHz |
| Rugosidade da superfície do wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistência de folha do GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Deformação total do wafer | < 25 µm (máximo) |
| Condutividade térmica | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Aplicações
Eletrônica de potênciaA tecnologia GaN-on-Si é ideal para eletrônica de potência, como amplificadores de potência, conversores e inversores usados em sistemas de energia renovável, veículos elétricos (VEs) e equipamentos industriais. Sua alta tensão de ruptura e baixa resistência em condução garantem uma conversão de energia eficiente, mesmo em aplicações de alta potência.
Comunicações de radiofrequência e micro-ondasAs placas de GaN sobre silício oferecem capacidades de alta frequência, tornando-as perfeitas para amplificadores de potência de RF, comunicações via satélite, sistemas de radar e tecnologias 5G. Com velocidades de comutação mais altas e a capacidade de operar em frequências mais elevadas (até 1000 GHz), elas permitem alcançar altas frequências de operação.18 GHzOs dispositivos GaN oferecem desempenho superior nessas aplicações.
Eletrônica AutomotivaA tecnologia GaN-on-Si é utilizada em sistemas de energia automotivos, incluindocarregadores de bordo (OBCs)eConversores CC-CCSua capacidade de operar em temperaturas mais altas e suportar níveis de tensão mais elevados o torna uma boa opção para aplicações em veículos elétricos que exigem uma conversão de energia robusta.
LEDs e OptoeletrônicaO GaN é o material de escolha para LEDs azuis e brancosAs pastilhas de GaN sobre Si são utilizadas para produzir sistemas de iluminação LED de alta eficiência, proporcionando excelente desempenho em iluminação, tecnologias de exibição e comunicações ópticas.
Perguntas e Respostas
Q1: Qual é a vantagem do GaN sobre o silício em dispositivos eletrônicos?
A1:O GaN tem ummaior intervalo de banda (3,4 eV)A energia de banda proibida do GaN é maior que a do silício (1,1 eV), o que permite que ele suporte tensões e temperaturas mais altas. Essa propriedade possibilita que o GaN lide com aplicações de alta potência de forma mais eficiente, reduzindo a perda de energia e aumentando o desempenho do sistema. O GaN também oferece velocidades de comutação mais rápidas, que são cruciais para dispositivos de alta frequência, como amplificadores de RF e conversores de potência.
P2: Posso personalizar a orientação do substrato de silício para minha aplicação?
A2:Sim, nós oferecemos.orientações de substrato de Si personalizáveiscomo<111>, <100>e outras orientações, dependendo dos requisitos do seu dispositivo. A orientação do substrato de silício desempenha um papel fundamental no desempenho do dispositivo, incluindo características elétricas, comportamento térmico e estabilidade mecânica.
P3: Quais são os benefícios de usar wafers de GaN sobre Si para aplicações de alta frequência?
A3:As pastilhas de GaN sobre Si oferecem desempenho superior.alternar velocidades, permitindo uma operação mais rápida em frequências mais altas em comparação com o silício. Isso os torna ideais paraRFemicro-ondasaplicações, bem como alta frequênciadispositivos de energiacomoHEMTs(Transistores de Alta Mobilidade de Elétrons) eAmplificadores de RFA maior mobilidade eletrônica do GaN também resulta em menores perdas de comutação e maior eficiência.
Q4: Quais opções de dopagem estão disponíveis para wafers de GaN sobre Si?
A4:Oferecemos ambosTipo NeTipo Popções de dopagem, que são comumente usadas para diferentes tipos de dispositivos semicondutores.Dopagem do tipo Né ideal paratransistores de potênciaeAmplificadores de RF, enquantoDopagem do tipo PÉ frequentemente utilizado em dispositivos optoeletrônicos como LEDs.
Conclusão
Nossos wafers de nitreto de gálio sobre silício (GaN-on-Si) personalizados oferecem a solução ideal para aplicações de alta frequência, alta potência e alta temperatura. Com orientações de substrato de silício, resistividade e dopagem tipo N/tipo P personalizáveis, esses wafers são projetados para atender às necessidades específicas de diversos setores, desde eletrônica de potência e sistemas automotivos até comunicação por radiofrequência e tecnologias de LED. Aproveitando as propriedades superiores do GaN e a escalabilidade do silício, esses wafers oferecem desempenho e eficiência aprimorados, além de garantir a compatibilidade com dispositivos de próxima geração.
Diagrama detalhado
