GaN sobre vidro de 4 polegadas: opções de vidro personalizáveis, incluindo JGS1, JGS2, BF33 e quartzo comum.
Características
●Ampla faixa de banda:O GaN possui uma banda proibida de 3,4 eV, o que permite maior eficiência e maior durabilidade sob condições de alta tensão e alta temperatura em comparação com materiais semicondutores tradicionais como o silício.
●Substratos de vidro personalizáveis:Disponível com opções de vidro JGS1, JGS2, BF33 e quartzo comum para atender a diferentes requisitos de desempenho térmico, mecânico e óptico.
●Alta condutividade térmica:A alta condutividade térmica do GaN garante uma dissipação de calor eficaz, tornando esses wafers ideais para aplicações de energia e dispositivos que geram muito calor.
●Alta tensão de ruptura:A capacidade do GaN de suportar altas tensões torna esses wafers adequados para transistores de potência e aplicações de alta frequência.
● Excelente resistência mecânica:Os substratos de vidro, combinados com as propriedades do GaN, proporcionam uma resistência mecânica robusta, aumentando a durabilidade do wafer em ambientes exigentes.
● Redução dos custos de fabricação:Em comparação com os wafers tradicionais de GaN sobre silício ou GaN sobre safira, o GaN sobre vidro é uma solução mais econômica para a produção em larga escala de dispositivos de alto desempenho.
●Propriedades Ópticas Personalizadas:Diversas opções de vidro permitem a personalização das características ópticas do wafer, tornando-o adequado para aplicações em optoeletrônica e fotônica.
Especificações técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Tamanho do wafer | 4 polegadas |
| Opções de substrato de vidro | JGS1, JGS2, BF33, Quartzo Comum |
| Espessura da camada de GaN | 100 nm – 5000 nm (personalizável) |
| Bandgap do GaN | 3,4 eV (banda proibida larga) |
| Tensão de ruptura | Até 1200V |
| Condutividade térmica | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Mobilidade eletrônica | 2000 cm²/V·s |
| Rugosidade da superfície do wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistência de folha do GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Resistividade | Semi-isolante, tipo N, tipo P (personalizável) |
| Transmissão Óptica | >80% para comprimentos de onda visíveis e ultravioleta |
| Deformação do wafer | < 25 µm (máximo) |
| Acabamento da superfície | SSP (polimento de um lado) |
Aplicações
Optoeletrônica:
Os wafers de GaN sobre vidro são amplamente utilizados emLEDsediodos laserdevido à alta eficiência e desempenho óptico do GaN. A capacidade de selecionar substratos de vidro, comoJGS1eJGS2Permite a personalização da transparência óptica, tornando-os ideais para aplicações de alta potência e alto brilho.LEDs azuis/verdeselasers UV.
Fotônica:
Os wafers de GaN sobre vidro são ideais parafotodetectores, circuitos integrados fotônicos (PICs), esensores ópticosSuas excelentes propriedades de transmissão de luz e alta estabilidade em aplicações de alta frequência os tornam adequados paracomunicaçõesetecnologias de sensores.
Eletrônica de potência:
Devido à sua ampla banda proibida e alta tensão de ruptura, os wafers de GaN sobre vidro são usados emtransistores de alta potênciaeconversão de energia de alta frequênciaA capacidade do GaN de lidar com altas tensões e dissipação térmica o torna perfeito paraamplificadores de potência, Transistores de potência de RF, eeletrônica de potênciaem aplicações industriais e de consumo.
Aplicações de alta frequência:
Os wafers de GaN sobre vidro exibem excelente desempenho.mobilidade eletrônicae podem operar em altas velocidades de comutação, tornando-os ideais paradispositivos de potência de alta frequência, dispositivos de micro-ondas, eAmplificadores de RFEsses são componentes cruciais emSistemas de comunicação 5G, sistemas de radar, ecomunicação via satélite.
Aplicações Automotivas:
Os wafers de GaN sobre vidro também são usados em sistemas de energia automotivos, particularmente emcarregadores de bordo (OBCs)eConversores CC-CCpara veículos elétricos (VEs). A capacidade dos wafers de suportar altas temperaturas e voltagens permite que sejam usados em eletrônica de potência para VEs, oferecendo maior eficiência e confiabilidade.
Dispositivos médicos:
As propriedades do GaN também o tornam um material atraente para uso emimagens médicasesensores biomédicosSua capacidade de operar em altas voltagens e sua resistência à radiação o tornam ideal para aplicações emequipamentos de diagnósticoelasers médicos.
Perguntas e Respostas
P1: Por que o GaN sobre vidro é uma boa opção em comparação com o GaN sobre silício ou o GaN sobre safira?
A1:O GaN sobre vidro oferece diversas vantagens, incluindocusto-benefícioemelhor gerenciamento térmicoEmbora as estruturas GaN-on-Silicon e GaN-on-Sapphire ofereçam excelente desempenho, os substratos de vidro são mais baratos, mais facilmente disponíveis e personalizáveis em termos de propriedades ópticas e mecânicas. Além disso, os wafers de GaN-on-glass proporcionam excelente desempenho em ambos os aspectos.ópticoeaplicações eletrônicas de alta potência.
Q2: Qual a diferença entre as opções de vidro JGS1, JGS2, BF33 e Quartzo Comum?
A2:
- JGS1eJGS2são substratos de vidro óptico de alta qualidade conhecidos por suaalta transparência ópticaebaixa expansão térmica, tornando-os ideais para dispositivos fotônicos e optoeletrônicos.
- BF33ofertas de vidroíndice de refração mais altoe é ideal para aplicações que exigem desempenho óptico aprimorado, comodiodos laser.
- Quartzo comumproporciona altaestabilidade térmicaeresistência à radiação, tornando-o adequado para aplicações em ambientes de alta temperatura e condições extremas.
P3: Posso personalizar a resistividade e o tipo de dopagem para wafers de GaN sobre vidro?
A3:Sim, nós oferecemos.resistividade personalizáveletipos de doping(Tipo N ou tipo P) para wafers de GaN sobre vidro. Essa flexibilidade permite que os wafers sejam adaptados a aplicações específicas, incluindo dispositivos de potência, LEDs e sistemas fotônicos.
Q4: Quais são as aplicações típicas do GaN sobre vidro em optoeletrônica?
A4:Em optoeletrônica, wafers de GaN sobre vidro são comumente usados paraLEDs azuis e verdes, lasers UV, efotodetectoresAs propriedades ópticas personalizáveis do vidro permitem a criação de dispositivos com alta...transmissão de luz, tornando-os ideais para aplicações emtecnologias de exibição, iluminação, esistemas de comunicação óptica.
Q5: Como o GaN sobre vidro se comporta em aplicações de alta frequência?
A5:Os wafers de GaN sobre vidro oferecemexcelente mobilidade eletrônica, permitindo que eles tenham um bom desempenho emaplicações de alta frequênciacomoAmplificadores de RF, dispositivos de micro-ondas, eSistemas de comunicação 5GSua alta tensão de ruptura e baixas perdas de comutação os tornam adequados paradispositivos de RF de alta potência.
Q6: Qual é a tensão de ruptura típica de wafers de GaN sobre vidro?
A6:Os wafers de GaN sobre vidro normalmente suportam tensões de ruptura de até1200V, tornando-os adequados paraalta potênciaealta tensãoaplicações. Sua ampla banda proibida permite que suportem tensões mais altas do que materiais semicondutores convencionais, como o silício.
Q7: Os wafers de GaN sobre vidro podem ser usados em aplicações automotivas?
A7:Sim, wafers de GaN sobre vidro são usados emeletrônica de potência automotiva, incluindoConversores CC-CCecarregadores de bordo(OBCs) para veículos elétricos. Sua capacidade de operar em altas temperaturas e suportar altas voltagens os torna ideais para essas aplicações exigentes.
Conclusão
Nossos wafers de GaN sobre vidro de 4 polegadas oferecem uma solução única e personalizável para uma variedade de aplicações em optoeletrônica, eletrônica de potência e fotônica. Com opções de substrato de vidro como JGS1, JGS2, BF33 e quartzo comum, esses wafers proporcionam versatilidade em propriedades mecânicas e ópticas, permitindo soluções sob medida para dispositivos de alta potência e alta frequência. Seja para LEDs, diodos laser ou aplicações de radiofrequência, os wafers de GaN sobre vidro
Diagrama detalhado
