GaN em vidro de 4 polegadas: opções de vidro personalizáveis, incluindo JGS1, JGS2, BF33 e quartzo comum
Características
●Ampla lacuna de banda:O GaN tem uma banda proibida de 3,4 eV, o que permite maior eficiência e maior durabilidade sob condições de alta tensão e alta temperatura em comparação com materiais semicondutores tradicionais, como o silício.
●Substratos de vidro personalizáveis:Disponível com opções de vidro JGS1, JGS2, BF33 e quartzo comum para atender a diferentes requisitos de desempenho térmico, mecânico e óptico.
●Alta condutividade térmica:A alta condutividade térmica do GaN garante uma dissipação de calor eficaz, tornando esses wafers ideais para aplicações de energia e dispositivos que geram muito calor.
●Alta Tensão de Ruptura:A capacidade do GaN de sustentar altas tensões torna esses wafers adequados para transistores de potência e aplicações de alta frequência.
●Excelente resistência mecânica:Os substratos de vidro, combinados com as propriedades do GaN, fornecem resistência mecânica robusta, aumentando a durabilidade do wafer em ambientes exigentes.
●Custos de fabricação reduzidos:Comparado aos wafers tradicionais de GaN sobre silício ou GaN sobre safira, o GaN sobre vidro é uma solução mais econômica para produção em larga escala de dispositivos de alto desempenho.
●Propriedades ópticas personalizadas:Várias opções de vidro permitem a personalização das características ópticas do wafer, tornando-o adequado para aplicações em optoeletrônica e fotônica.
Especificações técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Tamanho do wafer | 4 polegadas |
| Opções de substrato de vidro | JGS1, JGS2, BF33, Quartzo Comum |
| Espessura da camada GaN | 100 nm – 5000 nm (personalizável) |
| Gap de banda GaN | 3,4 eV (banda larga) |
| Tensão de ruptura | Até 1200V |
| Condutividade térmica | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Mobilidade eletrônica | 2000 cm²/V·s |
| Rugosidade da superfície do wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistência da folha de GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Resistividade | Semi-isolante, tipo N, tipo P (personalizável) |
| Transmissão Óptica | >80% para comprimentos de onda visíveis e UV |
| Wafer Warp | < 25 µm (máximo) |
| Acabamento de superfície | SSP (polido em um lado) |
Aplicações
Optoeletrônica:
Os wafers de GaN sobre vidro são amplamente utilizados emLEDsediodos laserdevido à alta eficiência e desempenho óptico do GaN. A capacidade de selecionar substratos de vidro, comoJGS1eJGS2permite a personalização da transparência óptica, tornando-os ideais para alta potência e alto brilhoLEDs azuis/verdeseLasers UV.
Fotônica:
Os wafers de GaN sobre vidro são ideais parafotodetectores, circuitos integrados fotônicos (PICs), esensores ópticos. Suas excelentes propriedades de transmissão de luz e alta estabilidade em aplicações de alta frequência os tornam adequados paracomunicaçõesetecnologias de sensores.
Eletrônica de Potência:
Devido à sua ampla banda proibida e alta tensão de ruptura, as pastilhas de GaN sobre vidro são usadas emtransistores de alta potênciaeconversão de energia de alta frequênciaA capacidade do GaN de lidar com altas tensões e dissipação térmica o torna perfeito paraamplificadores de potência, Transistores de potência de RF, eeletrônica de potênciaem aplicações industriais e de consumo.
Aplicações de alta frequência:
Os wafers de GaN sobre vidro apresentam excelentemobilidade de elétronse podem operar em altas velocidades de comutação, tornando-os ideais paradispositivos de energia de alta frequência, dispositivos de micro-ondas, eAmplificadores de RF. Estes são componentes cruciais emSistemas de comunicação 5G, sistemas de radar, ecomunicação via satélite.
Aplicações automotivas:
As pastilhas de GaN sobre vidro também são usadas em sistemas de energia automotiva, especialmente emcarregadores de bordo (OBCs)eConversores DC-DCpara veículos elétricos (VEs). A capacidade dos wafers de suportar altas temperaturas e tensões permite que sejam usados em eletrônica de potência para VEs, oferecendo maior eficiência e confiabilidade.
Dispositivos médicos:
As propriedades do GaN também o tornam um material atraente para uso emimagens médicasesensores biomédicos. Sua capacidade de operar em altas tensões e sua resistência à radiação o tornam ideal para aplicações emequipamento de diagnósticoelasers médicos.
Perguntas e respostas
T1: Por que o GaN sobre vidro é uma boa opção em comparação ao GaN sobre silício ou GaN sobre safira?
A1:GaN-on-glass oferece várias vantagens, incluindocusto-efetividadeemelhor gerenciamento térmicoEmbora GaN sobre silício e GaN sobre safira ofereçam excelente desempenho, os substratos de vidro são mais baratos, mais facilmente disponíveis e personalizáveis em termos de propriedades ópticas e mecânicas. Além disso, os wafers de GaN sobre vidro oferecem excelente desempenho em ambos os casos.ópticoeaplicações eletrônicas de alta potência.
P2: Qual é a diferença entre as opções de vidro JGS1, JGS2, BF33 e Quartzo Comum?
A2:
- JGS1eJGS2são substratos de vidro óptico de alta qualidade conhecidos por suaalta transparência ópticaebaixa expansão térmica, tornando-os ideais para dispositivos fotônicos e optoeletrônicos.
- BF33ofertas de vidromaior índice de refraçãoe é ideal para aplicações que exigem desempenho óptico aprimorado, comodiodos laser.
- Quartzo comumfornece altaestabilidade térmicaeresistência à radiação, tornando-o adequado para aplicações em altas temperaturas e ambientes adversos.
Q3: Posso personalizar a resistividade e o tipo de dopagem para wafers de GaN sobre vidro?
A3:Sim, nós oferecemosresistividade personalizáveletipos de doping(tipo N ou tipo P) para wafers de GaN sobre vidro. Essa flexibilidade permite que os wafers sejam adaptados a aplicações específicas, incluindo dispositivos de energia, LEDs e sistemas fotônicos.
Q4: Quais são as aplicações típicas de GaN sobre vidro em optoeletrônica?
A4:Na optoeletrônica, wafers de GaN sobre vidro são comumente usados paraLEDs azuis e verdes, Lasers UV, efotodetectores. As propriedades ópticas personalizáveis do vidro permitem dispositivos com altatransmissão de luz, tornando-os ideais para aplicações emtecnologias de exibição, iluminação, esistemas de comunicação óptica.
Q5: Como o GaN sobre vidro funciona em aplicações de alta frequência?
A5:Oferta de wafers de GaN sobre vidroexcelente mobilidade de elétrons, permitindo-lhes um bom desempenho emaplicações de alta frequênciacomoAmplificadores de RF, dispositivos de micro-ondas, eSistemas de comunicação 5G. Sua alta tensão de ruptura e baixas perdas de comutação os tornam adequados paradispositivos de RF de alta potência.
P6: Qual é a tensão de ruptura típica dos wafers de GaN sobre vidro?
A6:Os wafers de GaN sobre vidro geralmente suportam tensões de ruptura de até1200V, tornando-os adequados paraalta potênciaealta voltagemAplicações. Sua ampla banda permite que suportem tensões mais altas do que materiais semicondutores convencionais, como o silício.
P7: Os wafers de GaN sobre vidro podem ser usados em aplicações automotivas?
A7:Sim, wafers de GaN sobre vidro são usados emeletrônica de potência automotiva, incluindoConversores DC-DCecarregadores de bordo(OBCs) para veículos elétricos. Sua capacidade de operar em altas temperaturas e lidar com altas tensões os torna ideais para essas aplicações exigentes.
Conclusão
Nossos wafers de GaN sobre vidro de 4 polegadas oferecem uma solução única e personalizável para uma variedade de aplicações em optoeletrônica, eletrônica de potência e fotônica. Com opções de substrato de vidro como JGS1, JGS2, BF33 e quartzo comum, esses wafers oferecem versatilidade tanto em propriedades mecânicas quanto ópticas, permitindo soluções personalizadas para dispositivos de alta potência e alta frequência. Seja para LEDs, diodos laser ou aplicações de RF, os wafers de GaN sobre vidro
Diagrama Detalhado
