Wafer HPSI SiC diâmetro: 3 polegadas espessura: 350um ± 25 µm para eletrônica de potência
Aplicativo
Os wafers HPSI SiC são usados em uma ampla gama de aplicações de eletrônica de potência, incluindo:
Semicondutores de potência:Wafers de SiC são comumente empregados na produção de diodos de potência, transistores (MOSFETs, IGBTs) e tiristores. Esses semicondutores são amplamente utilizados em aplicações de conversão de energia que exigem alta eficiência e confiabilidade, como em acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação e inversores para sistemas de energia renovável.
Veículos elétricos (VEs):Em sistemas de propulsão de veículos elétricos, dispositivos de energia baseados em SiC proporcionam velocidades de comutação mais rápidas, maior eficiência energética e perdas térmicas reduzidas. Os componentes de SiC são ideais para aplicações em sistemas de gerenciamento de baterias (BMS), infraestrutura de carregamento e carregadores de bordo (OBCs), onde minimizar o peso e maximizar a eficiência de conversão de energia é fundamental.
Sistemas de Energia Renovável:Os wafers de SiC são cada vez mais utilizados em inversores solares, geradores de turbinas eólicas e sistemas de armazenamento de energia, onde alta eficiência e robustez são essenciais. Componentes à base de SiC permitem maior densidade de potência e melhor desempenho nessas aplicações, melhorando a eficiência geral da conversão de energia.
Eletrônica Industrial de Potência:Em aplicações industriais de alto desempenho, como acionamentos de motores, robótica e fontes de alimentação de larga escala, o uso de wafers de SiC permite melhor desempenho em termos de eficiência, confiabilidade e gerenciamento térmico. Os dispositivos de SiC podem lidar com altas frequências de comutação e altas temperaturas, tornando-os adequados para ambientes exigentes.
Telecomunicações e Data Centers:O SiC é usado em fontes de alimentação para equipamentos de telecomunicações e data centers, onde alta confiabilidade e conversão eficiente de energia são cruciais. Dispositivos de energia baseados em SiC permitem maior eficiência em tamanhos menores, o que se traduz em menor consumo de energia e melhor eficiência de resfriamento em infraestruturas de grande porte.
A alta tensão de ruptura, a baixa resistência e a excelente condutividade térmica dos wafers de SiC os tornam o substrato ideal para essas aplicações avançadas, permitindo o desenvolvimento de eletrônicos de potência energeticamente eficientes de última geração.
Propriedades
| Propriedade | Valor |
| Diâmetro da pastilha | 3 polegadas (76,2 mm) |
| Espessura da bolacha | 350 µm ± 25 µm |
| Orientação de wafer | <0001> no eixo ± 0,5° |
| Densidade de microtubos (MPD) | ≤ 1 cm² |
| Resistividade elétrica | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Dopante | Não dopado |
| Orientação plana primária | {11-20} ± 5,0° |
| Comprimento plano primário | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Comprimento plano secundário | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Orientação plana secundária | Si voltado para cima: 90° CW do plano primário ± 5,0° |
| Exclusão de Borda | 3 milímetros |
| LTV/TTV/Arco/Distorção | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm |
| Rugosidade da superfície | Face C: Polida, Face Si: CMP |
| Rachaduras (inspecionadas por luz de alta intensidade) | Nenhum |
| Placas hexagonais (inspecionadas por luz de alta intensidade) | Nenhum |
| Áreas de politipo (inspecionadas por luz de alta intensidade) | Área acumulada 5% |
| Arranhões (inspecionados por luz de alta intensidade) | ≤ 5 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 150 mm |
| Lascamento de bordas | Nenhum permitido ≥ 0,5 mm de largura e profundidade |
| Contaminação da superfície (inspecionada por luz de alta intensidade) | Nenhum |
Principais benefícios
Alta condutividade térmica:Os wafers de SiC são conhecidos por sua excepcional capacidade de dissipar calor, o que permite que dispositivos de potência operem com maior eficiência e suportem correntes mais elevadas sem superaquecimento. Essa característica é crucial em eletrônica de potência, onde o gerenciamento de calor é um desafio significativo.
Alta Tensão de Ruptura:A ampla banda do SiC permite que os dispositivos tolerem níveis de tensão mais altos, tornando-os ideais para aplicações de alta tensão, como redes elétricas, veículos elétricos e máquinas industriais.
Alta eficiência:A combinação de altas frequências de comutação e baixa resistência resulta em dispositivos com menor perda de energia, melhorando a eficiência geral da conversão de energia e reduzindo a necessidade de sistemas de resfriamento complexos.
Confiabilidade em ambientes adversos:O SiC é capaz de operar em altas temperaturas (até 600 °C), o que o torna adequado para uso em ambientes que, de outra forma, danificariam dispositivos tradicionais baseados em silício.
Economia de energia:Dispositivos de energia SiC melhoram a eficiência de conversão de energia, o que é essencial para reduzir o consumo de energia, especialmente em grandes sistemas, como conversores de energia industriais, veículos elétricos e infraestrutura de energia renovável.
Diagrama Detalhado
