Diâmetro do wafer HPSI SiC: espessura de 3 polegadas: 350um± 25 µm para eletrônica de potência

Breve descrição:

O wafer SiC HPSI (Carbeto de Silício de Alta Pureza) com diâmetro de 3 polegadas e espessura de 350 µm ± 25 µm foi projetado especificamente para aplicações de eletrônica de potência que exigem substratos de alto desempenho. Este wafer de SiC oferece condutividade térmica superior, alta tensão de ruptura e eficiência em altas temperaturas de operação, tornando-o a escolha ideal para a crescente demanda por dispositivos eletrônicos de potência robustos e com eficiência energética. Os wafers de SiC são particularmente adequados para aplicações de alta tensão, alta corrente e alta frequência, onde os substratos de silício tradicionais não atendem às demandas operacionais.
Nosso wafer HPSI SiC, fabricado usando as mais recentes técnicas líderes do setor, está disponível em vários graus, cada um projetado para atender a requisitos específicos de fabricação. O wafer exibe excelente integridade estrutural, propriedades elétricas e qualidade de superfície, garantindo que possa oferecer desempenho confiável em aplicações exigentes, incluindo semicondutores de potência, veículos elétricos (EVs), sistemas de energia renovável e conversão de energia industrial.

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Detalhes do produto

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Aplicativo

Os wafers HPSI SiC são usados em uma ampla gama de aplicações de eletrônica de potência, incluindo:

Semicondutores de potência:Os wafers de SiC são comumente empregados na produção de diodos de potência, transistores (MOSFETs, IGBTs) e tiristores. Esses semicondutores são amplamente utilizados em aplicações de conversão de energia que exigem alta eficiência e confiabilidade, como em acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação e inversores para sistemas de energia renovável.
Veículos Elétricos (EVs):Nos motores de veículos elétricos, os dispositivos de energia baseados em SiC proporcionam velocidades de comutação mais rápidas, maior eficiência energética e perdas térmicas reduzidas. Os componentes SiC são ideais para aplicações em sistemas de gerenciamento de bateria (BMS), infraestrutura de carregamento e carregadores integrados (OBCs), onde é fundamental minimizar o peso e maximizar a eficiência da conversão de energia.

Sistemas de Energia Renovável:Os wafers de SiC são cada vez mais utilizados em inversores solares, geradores de turbinas eólicas e sistemas de armazenamento de energia, onde alta eficiência e robustez são essenciais. Os componentes baseados em SiC permitem maior densidade de potência e melhor desempenho nessas aplicações, melhorando a eficiência geral da conversão de energia.

Eletrônica de Potência Industrial:Em aplicações industriais de alto desempenho, como acionamentos de motores, robótica e fontes de alimentação em larga escala, o uso de wafers de SiC permite melhor desempenho em termos de eficiência, confiabilidade e gerenciamento térmico. Os dispositivos SiC podem suportar altas frequências de comutação e altas temperaturas, tornando-os adequados para ambientes exigentes.

Telecomunicações e Data Centers:O SiC é usado em fontes de alimentação para equipamentos de telecomunicações e data centers, onde alta confiabilidade e conversão eficiente de energia são cruciais. Os dispositivos de energia baseados em SiC permitem maior eficiência em tamanhos menores, o que se traduz em menor consumo de energia e melhor eficiência de refrigeração em infraestruturas de grande escala.

A alta tensão de ruptura, a baixa resistência e a excelente condutividade térmica dos wafers de SiC tornam-nos o substrato ideal para essas aplicações avançadas, permitindo o desenvolvimento de eletrônica de potência com eficiência energética de próxima geração.

Propriedades

Propriedade	Valor
Diâmetro da bolacha	3 polegadas (76,2 mm)
Espessura da bolacha	350 µm ± 25 µm
Orientação de wafer	<0001> no eixo ± 0,5°
Densidade de microtubos (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Resistividade Elétrica	≥ 1E7Ω·cm
Dopante	Não dopado
Orientação Plana Primária	{11-20} ± 5,0°
Comprimento plano primário	32,5 mm ± 3,0 mm
Comprimento plano secundário	18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação Plana Secundária	Si voltado para cima: 90° CW do plano primário ± 5,0°
Exclusão de borda	3mm
LTV/TTV/Arco/Urdidura	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Rugosidade Superficial	Face C: Polida, Face Si: CMP
Rachaduras (inspecionadas por luz de alta intensidade)	Nenhum
Placas hexagonais (inspecionadas por luz de alta intensidade)	Nenhum
Áreas politípicas (inspecionadas por luz de alta intensidade)	Área acumulada 5%
Arranhões (inspecionados por luz de alta intensidade)	≤ 5 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 150 mm
Lascas de borda	Nenhum permitido ≥ 0,5 mm de largura e profundidade
Contaminação de superfície (inspecionada por luz de alta intensidade)	Nenhum

Principais benefícios

Alta condutividade térmica:Os wafers de SiC são conhecidos por sua excepcional capacidade de dissipar calor, o que permite que dispositivos de energia operem com eficiências mais altas e lidem com correntes mais altas sem superaquecimento. Esse recurso é crucial em eletrônica de potência, onde o gerenciamento de calor é um desafio significativo.
Alta tensão de ruptura:O amplo bandgap do SiC permite que os dispositivos tolerem níveis de tensão mais elevados, tornando-os ideais para aplicações de alta tensão, como redes elétricas, veículos elétricos e máquinas industriais.
Alta eficiência:A combinação de altas frequências de comutação e baixa resistência resulta em dispositivos com menor perda de energia, melhorando a eficiência geral da conversão de energia e reduzindo a necessidade de sistemas de refrigeração complexos.
Confiabilidade em ambientes adversos:O SiC é capaz de operar em altas temperaturas (até 600°C), o que o torna adequado para uso em ambientes que, de outra forma, danificariam os dispositivos tradicionais baseados em silício.
Economia de energia:Os dispositivos de energia SiC melhoram a eficiência da conversão de energia, o que é fundamental para reduzir o consumo de energia, especialmente em grandes sistemas como conversores de energia industriais, veículos eléctricos e infra-estruturas de energia renovável.