Wafer de antimoneto de índio (InSb) tipo N, tipo P, pronto para epitaxia, não dopado, dopado com telúrio ou germânio, com espessuras de 2, 3 e 4 polegadas.
Características
Opções de doping:
1. Sem tratamento:Esses wafers são isentos de quaisquer agentes dopantes, o que os torna ideais para aplicações especializadas, como o crescimento epitaxial.
2.Te Dopado (Tipo N):A dopagem com telúrio (Te) é comumente usada para criar wafers do tipo N, que são ideais para aplicações como detectores de infravermelho e eletrônica de alta velocidade.
3.Ge dopado (tipo P):A dopagem com germânio (Ge) é usada para criar wafers do tipo P, oferecendo alta mobilidade de lacunas para aplicações avançadas em semicondutores.
Opções de tamanho:
1. Disponíveis em diâmetros de 2, 3 e 4 polegadas. Esses wafers atendem a diferentes necessidades tecnológicas, desde pesquisa e desenvolvimento até fabricação em larga escala.
2. Tolerâncias de diâmetro precisas garantem consistência entre os lotes, com diâmetros de 50,8±0,3mm (para wafers de 2 polegadas) e 76,2±0,3mm (para wafers de 3 polegadas).
Controle de espessura:
1. Os wafers estão disponíveis com uma espessura de 500±5μm para um desempenho ideal em diversas aplicações.
2. Medidas adicionais, como TTV (Variação Total da Espessura), BOW (Empenamento da Curvatura) e Warp (Empenamento), são cuidadosamente controladas para garantir alta uniformidade e qualidade.
Qualidade da superfície:
1. Os wafers vêm com uma superfície polida/gravada para melhor desempenho óptico e elétrico.
2. Essas superfícies são ideais para o crescimento epitaxial, oferecendo uma base lisa para processamento posterior em dispositivos de alto desempenho.
Pronto para Epidiálise:
1. Os wafers de InSb são pré-tratados para deposição epitaxial, o que significa que já vêm preparados para esse processo. Isso os torna ideais para aplicações na fabricação de semicondutores, onde é necessário cultivar camadas epitaxiais sobre o wafer.
Aplicações
1. Detectores de infravermelho:Os wafers de InSb são comumente usados na detecção de infravermelho (IV), particularmente na faixa do infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR). Esses wafers são essenciais para aplicações de visão noturna, imagens térmicas e espectroscopia infravermelha.
2. Eletrônica de Alta Velocidade:Devido à sua alta mobilidade eletrônica, os wafers de InSb são utilizados em dispositivos eletrônicos de alta velocidade, como transistores de alta frequência, dispositivos de poço quântico e transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs).
3. Dispositivos de poço quântico:A pequena largura da banda proibida e a excelente mobilidade eletrônica tornam os wafers de InSb adequados para uso em dispositivos de poço quântico. Esses dispositivos são componentes essenciais em lasers, detectores e outros sistemas optoeletrônicos.
4. Dispositivos espintrônicos:O InSb também está sendo explorado em aplicações espintrônicas, onde o spin do elétron é usado para processamento de informações. O baixo acoplamento spin-órbita do material o torna ideal para esses dispositivos de alto desempenho.
5. Aplicações da radiação de terahertz (THz):Dispositivos baseados em InSb são utilizados em aplicações de radiação THz, incluindo pesquisa científica, imageamento e caracterização de materiais. Eles possibilitam tecnologias avançadas como espectroscopia THz e sistemas de imageamento THz.
6. Dispositivos Termoelétricos:As propriedades únicas do InSb o tornam um material atraente para aplicações termoelétricas, onde pode ser usado para converter calor em eletricidade de forma eficiente, especialmente em aplicações específicas como tecnologia espacial ou geração de energia em ambientes extremos.
Parâmetros do produto
| Parâmetro | 2 polegadas | 3 polegadas | 4 polegadas |
| Diâmetro | 50,8±0,3mm | 76,2±0,3mm | - |
| Grossura | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Superfície | Polido/Gravado | Polido/Gravado | Polido/Gravado |
| Tipo de doping | Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P) | Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P) | Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P) |
| Orientação | (100) | (100) | (100) |
| Pacote | Solteiro | Solteiro | Solteiro |
| Pronto para Epi | Sim | Sim | Sim |
Parâmetros elétricos para dopado com Te (tipo N):
- Mobilidade: 2000-5000 cm²/V·s
- Resistividade: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²
Parâmetros elétricos para Ge dopado (tipo P):
- Mobilidade: 4000-8000 cm²/V·s
- Resistividade: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²
Conclusão
As pastilhas de antimoneto de índio (InSb) são um material essencial para uma ampla gama de aplicações de alto desempenho nas áreas de eletrônica, optoeletrônica e tecnologias infravermelhas. Com sua excelente mobilidade eletrônica, baixo acoplamento spin-órbita e diversas opções de dopagem (Te para tipo N, Ge para tipo P), as pastilhas de InSb são ideais para uso em dispositivos como detectores infravermelhos, transistores de alta velocidade, dispositivos de poço quântico e dispositivos espintrônicos.
Os wafers estão disponíveis em vários tamanhos (2 polegadas, 3 polegadas e 4 polegadas), com controle preciso de espessura e superfícies prontas para epitaxia, garantindo que atendam às rigorosas exigências da fabricação moderna de semicondutores. Esses wafers são perfeitos para aplicações em áreas como detecção de infravermelho, eletrônica de alta velocidade e radiação de terahertz, possibilitando tecnologias avançadas em pesquisa, indústria e defesa.
Diagrama detalhado
