Wafers de antimoneto de índio (InSb) tipo N tipo P Epi pronto não dopado Te dopado ou Ge 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas de espessura Wafers de antimoneto de índio (InSb)
Características
Opções de doping:
1. Não dopado:Esses wafers são livres de quaisquer agentes dopantes, o que os torna ideais para aplicações especializadas, como crescimento epitaxial.
2.Te dopado (tipo N):A dopagem de telúrio (Te) é comumente usada para criar wafers do tipo N, que são ideais para aplicações como detectores infravermelhos e eletrônicos de alta velocidade.
3. Dopado com Ge (Tipo P):A dopagem de germânio (Ge) é usada para criar wafers do tipo P, oferecendo alta mobilidade de furos para aplicações avançadas de semicondutores.
Opções de tamanho:
1. Disponíveis em diâmetros de 2, 3 e 4 polegadas. Esses wafers atendem a diferentes necessidades tecnológicas, desde pesquisa e desenvolvimento até fabricação em larga escala.
2. Tolerâncias precisas de diâmetro garantem consistência entre lotes, com diâmetros de 50,8±0,3 mm (para wafers de 2 polegadas) e 76,2±0,3 mm (para wafers de 3 polegadas).
Controle de espessura:
1. Os wafers estão disponíveis com uma espessura de 500±5μm para desempenho ideal em diversas aplicações.
2. Medições adicionais como TTV (Variação Total da Espessura), BOW e Warp são cuidadosamente controladas para garantir alta uniformidade e qualidade.
Qualidade da superfície:
1. Os wafers vêm com uma superfície polida/gravada para melhor desempenho óptico e elétrico.
2. Essas superfícies são ideais para crescimento epitaxial, oferecendo uma base suave para processamento posterior em dispositivos de alto desempenho.
Epi-Pronto:
1. Os wafers de InSb são epi-ready, ou seja, pré-tratados para processos de deposição epitaxial. Isso os torna ideais para aplicações na fabricação de semicondutores, onde camadas epitaxiais precisam ser cultivadas sobre o wafer.
Aplicações
1. Detectores infravermelhos:Wafers de InSb são comumente usados em detecção infravermelha (IR), particularmente na faixa de infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR). Esses wafers são essenciais para aplicações de visão noturna, imagens térmicas e espectroscopia de infravermelho.
2. Eletrônica de alta velocidade:Devido à sua alta mobilidade eletrônica, os wafers de InSb são usados em dispositivos eletrônicos de alta velocidade, como transistores de alta frequência, dispositivos de poço quântico e transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs).
3. Dispositivos de Poço Quântico:A estreita lacuna de banda e a excelente mobilidade eletrônica tornam os wafers de InSb adequados para uso em dispositivos de poços quânticos. Esses dispositivos são componentes essenciais em lasers, detectores e outros sistemas optoeletrônicos.
4. Dispositivos Spintrônicos:O InSb também está sendo explorado em aplicações espintrônicas, onde o spin do elétron é usado para processamento de informações. O baixo acoplamento spin-órbita do material o torna ideal para esses dispositivos de alto desempenho.
5. Aplicações de radiação de terahertz (THz):Dispositivos baseados em InSb são utilizados em aplicações de radiação THz, incluindo pesquisa científica, geração de imagens e caracterização de materiais. Eles possibilitam tecnologias avançadas, como espectroscopia THz e sistemas de imagem THz.
6. Dispositivos termoelétricos:As propriedades exclusivas do InSb o tornam um material atraente para aplicações termoelétricas, onde pode ser usado para converter calor em eletricidade de forma eficiente, especialmente em aplicações de nicho, como tecnologia espacial ou geração de energia em ambientes extremos.
Parâmetros do produto
| Parâmetro | 2 polegadas | 3 polegadas | 4 polegadas |
| Diâmetro | 50,8±0,3 mm | 76,2±0,3 mm | - |
| Grossura | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Superfície | Polido/Gravado | Polido/Gravado | Polido/Gravado |
| Tipo de doping | Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P) | Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P) | Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P) |
| Orientação | (100) | (100) | (100) |
| Pacote | Solteiro | Solteiro | Solteiro |
| Epi-Ready | Sim | Sim | Sim |
Parâmetros elétricos para dopado com Te (tipo N):
- Mobilidade: 2000-5000 cm²/V·s
- Resistividade: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²
Parâmetros elétricos para dopado com Ge (tipo P):
- Mobilidade: 4000-8000 cm²/V·s
- Resistividade: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²
Conclusão
Os wafers de antimoneto de índio (InSb) são um material essencial para uma ampla gama de aplicações de alto desempenho nas áreas de eletrônica, optoeletrônica e tecnologias de infravermelho. Com sua excelente mobilidade eletrônica, baixo acoplamento spin-órbita e uma variedade de opções de dopagem (Te para tipo N, Ge para tipo P), os wafers de InSb são ideais para uso em dispositivos como detectores de infravermelho, transistores de alta velocidade, dispositivos de poços quânticos e dispositivos spintrônicos.
Os wafers estão disponíveis em vários tamanhos (2 polegadas, 3 polegadas e 4 polegadas), com controle preciso de espessura e superfícies preparadas para epi, garantindo que atendam às rigorosas demandas da fabricação moderna de semicondutores. Esses wafers são perfeitos para aplicações em áreas como detecção de infravermelho, eletrônica de alta velocidade e radiação THz, possibilitando tecnologias avançadas em pesquisa, indústria e defesa.
Diagrama Detalhado
