Os fotodetectores de matriz PD Array de substrato epitaxial InGaAs podem ser usados para LiDAR
As principais características da folha epitaxial a laser InGaAs incluem
1. Correspondência de rede: Uma boa correspondência de rede pode ser alcançada entre a camada epitaxial de InGaAs e o substrato de InP ou GaAs, reduzindo assim a densidade de defeitos da camada epitaxial e melhorando o desempenho do dispositivo.
2. Lacuna ajustável: A lacuna de banda do material InGaAs pode ser alcançada ajustando a proporção dos componentes In e Ga, o que faz com que a folha epitaxial de InGaAs tenha uma ampla gama de perspectivas de aplicação em dispositivos optoeletrônicos.
3. Alta fotossensibilidade: o filme epitaxial InGaAs tem alta sensibilidade à luz, o que o coloca no campo de detecção fotoelétrica, comunicação óptica e outras vantagens exclusivas.
4. Estabilidade em alta temperatura: a estrutura epitaxial InGaAs/InP tem excelente estabilidade em alta temperatura e pode manter o desempenho estável do dispositivo em altas temperaturas.
As principais aplicações dos comprimidos epitaxiais de laser InGaAs incluem
1. Dispositivos optoeletrônicos: Os comprimidos epitaxiais de InGaAs podem ser usados para fabricar fotodiodos, fotodetectores e outros dispositivos optoeletrônicos, que têm uma ampla gama de aplicações em comunicação óptica, visão noturna e outros campos.
2. Lasers: As folhas epitaxiais de InGaAs também podem ser usadas para fabricar lasers, especialmente lasers de longo comprimento de onda, que desempenham um papel importante nas comunicações por fibra óptica, no processamento industrial e em outros campos.
3. Células solares: o material InGaAs tem uma ampla faixa de ajuste de banda proibida, o que pode atender aos requisitos de banda proibida exigidos pelas células fotovoltaicas térmicas, portanto, a folha epitaxial InGaAs também tem certo potencial de aplicação no campo de células solares.
4. Imagem médica: Em equipamentos de imagem médica (como tomografia computadorizada, ressonância magnética, etc.), para detecção e geração de imagens.
5. Rede de sensores: no monitoramento ambiental e detecção de gases, vários parâmetros podem ser monitorados simultaneamente.
6. Automação industrial: usada em sistemas de visão de máquina para monitorar o status e a qualidade dos objetos na linha de produção.
No futuro, as propriedades do substrato epitaxial de InGaAs continuarão a melhorar, incluindo a melhoria da eficiência da conversão fotoelétrica e a redução dos níveis de ruído. Isso tornará o substrato epitaxial de InGaAs mais amplamente utilizado em dispositivos optoeletrônicos, com desempenho ainda mais excelente. Ao mesmo tempo, o processo de preparação também será continuamente otimizado para reduzir custos e melhorar a eficiência, atendendo às necessidades do mercado em geral.
Em geral, o substrato epitaxial InGaAs ocupa uma posição importante no campo de materiais semicondutores com suas características únicas e amplas perspectivas de aplicação.
A XKH oferece customizações de chapas epitaxiais de InGaAs com diferentes estruturas e espessuras, abrangendo uma ampla gama de aplicações para dispositivos optoeletrônicos, lasers e células solares. Os produtos da XKH são fabricados com equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, a XKH possui uma ampla gama de canais de fornecimento internacionais, que podem lidar com flexibilidade com o número de pedidos e fornecer serviços de valor agregado, como refinamento e segmentação. Processos de entrega eficientes garantem a entrega pontual e atendem aos requisitos de qualidade e prazos de entrega dos clientes.
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