Os arranjos de fotodetectores PD (Personal Device Array) em substratos de wafers epitaxiais de InGaAs podem ser usados para LiDAR.
As principais características da folha epitaxial de laser InGaAs incluem:
1. Correspondência de rede cristalina: Uma boa correspondência de rede cristalina pode ser alcançada entre a camada epitaxial de InGaAs e o substrato de InP ou GaAs, reduzindo assim a densidade de defeitos da camada epitaxial e melhorando o desempenho do dispositivo.
2. Banda proibida ajustável: A banda proibida do material InGaAs pode ser obtida ajustando-se a proporção dos componentes In e Ga, o que confere à folha epitaxial de InGaAs uma ampla gama de aplicações em dispositivos optoeletrônicos.
3. Alta fotossensibilidade: O filme epitaxial de InGaAs possui alta sensibilidade à luz, o que lhe confere vantagens únicas em áreas como detecção fotoelétrica e comunicação óptica.
4. Estabilidade em altas temperaturas: A estrutura epitaxial InGaAs/InP possui excelente estabilidade em altas temperaturas e pode manter o desempenho estável do dispositivo em altas temperaturas.
As principais aplicações dos comprimidos epitaxiais de InGaAs fabricados por laser incluem:
1. Dispositivos optoeletrônicos: Pastilhas epitaxiais de InGaAs podem ser usadas para fabricar fotodiodos, fotodetectores e outros dispositivos optoeletrônicos, que possuem uma ampla gama de aplicações em comunicação óptica, visão noturna e outras áreas.
2. Lasers: As lâminas epitaxiais de InGaAs também podem ser usadas para fabricar lasers, especialmente lasers de comprimento de onda longo, que desempenham um papel importante nas comunicações por fibra óptica, no processamento industrial e em outros campos.
3. Células solares: O material InGaAs possui uma ampla faixa de ajuste de banda proibida, que pode atender aos requisitos de banda proibida exigidos pelas células fotovoltaicas térmicas; portanto, a folha epitaxial de InGaAs também apresenta certo potencial de aplicação no campo das células solares.
4. Imagem médica: Em equipamentos de imagem médica (como TC, RM, etc.), para detecção e geração de imagens.
5. Rede de sensores: no monitoramento ambiental e na detecção de gases, vários parâmetros podem ser monitorados simultaneamente.
6. Automação industrial: utilizada em sistemas de visão computacional para monitorar o estado e a qualidade de objetos na linha de produção.
No futuro, as propriedades do substrato epitaxial de InGaAs continuarão a melhorar, incluindo o aumento da eficiência de conversão fotoelétrica e a redução dos níveis de ruído. Isso tornará o substrato epitaxial de InGaAs mais amplamente utilizado em dispositivos optoeletrônicos, com desempenho ainda melhor. Ao mesmo tempo, o processo de fabricação também será continuamente otimizado para reduzir custos e aumentar a eficiência, de modo a atender às necessidades de um mercado mais amplo.
De um modo geral, o substrato epitaxial de InGaAs ocupa uma posição importante no campo dos materiais semicondutores, devido às suas características únicas e amplas perspectivas de aplicação.
A XKH oferece a personalização de lâminas epitaxiais de InGaAs com diferentes estruturas e espessuras, abrangendo uma ampla gama de aplicações para dispositivos optoeletrônicos, lasers e células solares. Os produtos da XKH são fabricados com equipamentos MOCVD avançados para garantir alto desempenho e confiabilidade. Em termos de logística, a XKH possui uma ampla rede de canais de fornecimento internacionais, o que permite lidar com flexibilidade com o volume de pedidos e fornecer serviços de valor agregado, como refinamento e segmentação. Processos de entrega eficientes garantem a entrega no prazo e atendem aos requisitos de qualidade e prazos de entrega dos clientes.
Diagrama detalhado
