Pastilha de InSb de 2 polegadas e 3 polegadas, não dopada, tipo N, tipo P, orientação 111 100, para detectores de infravermelho.

Wafer de InSb de 2 e 3 polegadas, não dopado, tipo N, tipo P, orientação 111 100, para detectores de infravermelho. Imagem em destaque.

Descrição resumida:

As pastilhas de antimoneto de índio (InSb) são materiais essenciais em tecnologias de detecção infravermelha devido à sua pequena banda proibida e alta mobilidade eletrônica. Disponíveis em diâmetros de 2 e 3 polegadas, essas pastilhas são oferecidas nas versões não dopadas, tipo N e tipo P. São fabricadas com orientações 100 e 111, proporcionando flexibilidade para diversas aplicações em detecção infravermelha e semicondutores. A alta sensibilidade e o baixo ruído das pastilhas de InSb as tornam ideais para uso em detectores de infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR), sistemas de imagem infravermelha e outras aplicações optoeletrônicas que exigem precisão e alto desempenho.

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Características

Opções de doping:
1. Sem tratamento:Essas pastilhas são isentas de quaisquer agentes dopantes e são utilizadas principalmente para aplicações especializadas, como o crescimento epitaxial, onde a pastilha atua como um substrato puro.
2. Tipo N (dopado com Te):A dopagem com telúrio (Te) é usada para criar wafers do tipo N, oferecendo alta mobilidade de elétrons e tornando-os adequados para detectores de infravermelho, eletrônica de alta velocidade e outras aplicações que exigem fluxo de elétrons eficiente.
3. Tipo P (dopado com Ge):A dopagem com germânio (Ge) é utilizada para criar wafers do tipo P, proporcionando alta mobilidade de lacunas e oferecendo excelente desempenho para sensores infravermelhos e fotodetectores.

Opções de tamanho:
1. Os wafers estão disponíveis em diâmetros de 2 e 3 polegadas. Isso garante a compatibilidade com diversos processos e dispositivos de fabricação de semicondutores.
2. O wafer de 2 polegadas tem um diâmetro de 50,8±0,3 mm, enquanto o wafer de 3 polegadas tem um diâmetro de 76,2±0,3 mm.

Orientação:
1. Os wafers estão disponíveis com orientações de 100 e 111. A orientação 100 é ideal para eletrônica de alta velocidade e detectores infravermelhos, enquanto a orientação 111 é frequentemente usada para dispositivos que exigem propriedades elétricas ou ópticas específicas.

Qualidade da superfície:
1. Esses wafers vêm com superfícies polidas/gravadas para excelente qualidade, permitindo desempenho ideal em aplicações que exigem características ópticas ou elétricas precisas.
2. O preparo da superfície garante baixa densidade de defeitos, tornando esses wafers ideais para aplicações de detecção infravermelha onde a consistência do desempenho é fundamental.

Pronto para Epidiálise:
1. Esses wafers estão prontos para epitaxia, tornando-os adequados para aplicações que envolvem crescimento epitaxial, onde camadas adicionais de material serão depositadas no wafer para a fabricação de dispositivos semicondutores ou optoeletrônicos avançados.

Aplicações

1. Detectores de infravermelho:Os wafers de InSb são amplamente utilizados na fabricação de detectores de infravermelho, particularmente na faixa do infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR). Eles são essenciais para sistemas de visão noturna, imagens térmicas e aplicações militares.
2. Sistemas de Imagem Infravermelha:A alta sensibilidade dos wafers de InSb permite a obtenção de imagens infravermelhas precisas em diversos setores, incluindo segurança, vigilância e pesquisa científica.
3. Eletrônica de Alta Velocidade:Devido à sua elevada mobilidade eletrônica, esses wafers são utilizados em dispositivos eletrônicos avançados, como transistores de alta velocidade e dispositivos optoeletrônicos.
4. Dispositivos de poço quântico:Os wafers de InSb são ideais para aplicações de poços quânticos em lasers, detectores e outros sistemas optoeletrônicos.

Parâmetros do produto

Parâmetro	2 polegadas	3 polegadas
Diâmetro	50,8±0,3mm	76,2±0,3mm
Grossura	500±5μm	650±5μm
Superfície	Polido/Gravado	Polido/Gravado
Tipo de doping	Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P)	Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P)
Orientação	100, 111	100, 111
Pacote	Solteiro	Solteiro
Pronto para Epi	Sim	Sim

Parâmetros elétricos para dopado com Te (tipo N):

Mobilidade: 2000-5000 cm²/V·s
Resistividade: (1-1000) Ω·cm
EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²

Parâmetros elétricos para Ge dopado (tipo P):

Mobilidade: 4000-8000 cm²/V·s
Resistividade: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²

Perguntas e Respostas (Perguntas Frequentes)

Q1: Qual é o tipo de dopagem ideal para aplicações de detecção por infravermelho?

A1:Dopado com Te (tipo N)Os wafers são normalmente a escolha ideal para aplicações de detecção infravermelha, pois oferecem alta mobilidade de elétrons e excelente desempenho em detectores de infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR) e sistemas de imagem.

P2: Posso usar esses wafers para aplicações eletrônicas de alta velocidade?

A2: Sim, wafers de InSb, particularmente aqueles comDopagem do tipo Ne o100 orientação, são muito adequados para eletrônica de alta velocidade, como transistores, dispositivos de poço quântico e componentes optoeletrônicos, devido à sua alta mobilidade de elétrons.

Q3: Quais são as diferenças entre as orientações 100 e 111 para wafers de InSb?

A3: O100A orientação é comumente usada para dispositivos que exigem alto desempenho eletrônico, enquanto o111A orientação é frequentemente utilizada para aplicações específicas que requerem diferentes características elétricas ou ópticas, incluindo certos dispositivos optoeletrônicos e sensores.

Q4: Qual é a importância da característica Epi-Ready para wafers de InSb?

A4: OPronto para EpiEssa característica significa que o wafer foi pré-tratado para processos de deposição epitaxial. Isso é crucial para aplicações que exigem o crescimento de camadas adicionais de material sobre o wafer, como na produção de dispositivos semicondutores ou optoeletrônicos avançados.

Q5: Quais são as aplicações típicas de wafers de InSb no campo da tecnologia infravermelha?

A5: Os wafers de InSb são usados principalmente em detecção infravermelha, imagens térmicas, sistemas de visão noturna e outras tecnologias de sensoriamento infravermelho. Sua alta sensibilidade e baixo ruído os tornam ideais parainfravermelho de comprimento de onda médio (MWIR)detectores.

Q6: Como a espessura do wafer afeta seu desempenho?

A6: A espessura do wafer desempenha um papel crucial em sua estabilidade mecânica e características elétricas. Wafers mais finos são frequentemente usados em aplicações mais sensíveis, onde é necessário um controle preciso das propriedades do material, enquanto wafers mais espessos proporcionam maior durabilidade para determinadas aplicações industriais.

Q7: Como escolho o tamanho de wafer apropriado para minha aplicação?

A7: O tamanho adequado do wafer depende do dispositivo ou sistema específico que está sendo projetado. Wafers menores (2 polegadas) são frequentemente usados para pesquisa e aplicações de menor escala, enquanto wafers maiores (3 polegadas) são normalmente usados para produção em massa e dispositivos maiores que exigem mais material.

Conclusão

wafers de InSb em2 polegadase3 polegadastamanhos, comsem dopagem, Tipo N, eTipo PAs variações são extremamente valiosas em aplicações de semicondutores e optoeletrônicas, particularmente em sistemas de detecção infravermelha.100e111As orientações proporcionam flexibilidade para diversas necessidades tecnológicas, desde eletrônica de alta velocidade até sistemas de imagem infravermelha. Com sua excepcional mobilidade eletrônica, baixo ruído e qualidade de superfície precisa, esses wafers são ideais paradetectores infravermelhos de comprimento de onda médioe outras aplicações de alto desempenho.