Wafer InSb 2 polegadas 3 polegadas não dopado tipo N tipo P orientação 111 100 para detectores infravermelhos

Wafer de InSb de 2 polegadas e 3 polegadas não dopado, tipo N, orientação tipo P 111 100 para detectores infravermelhos. Imagem em destaque

Descrição curta:

Wafers de Antimoneto de Índio (InSb) são materiais essenciais utilizados em tecnologias de detecção infravermelha devido à sua estreita banda proibida e alta mobilidade eletrônica. Disponíveis em diâmetros de 2 e 3 polegadas, esses wafers são oferecidos em variações não dopadas, tipo N e tipo P. Os wafers são fabricados com orientações de 100 e 111, proporcionando flexibilidade para diversas aplicações de detecção infravermelha e semicondutores. A alta sensibilidade e o baixo ruído dos wafers de InSb os tornam ideais para uso em detectores de infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR), sistemas de imagem infravermelha e outras aplicações optoeletrônicas que exigem precisão e alto desempenho.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produtos

Características

Opções de doping:
1. Não dopado:Esses wafers são livres de quaisquer agentes dopantes e são usados principalmente para aplicações especializadas, como crescimento epitaxial, onde o wafer atua como um substrato puro.
2. Tipo N (dopado com Te):A dopagem de telúrio (Te) é usada para criar wafers do tipo N, oferecendo alta mobilidade de elétrons e tornando-os adequados para detectores infravermelhos, eletrônicos de alta velocidade e outras aplicações que exigem fluxo eficiente de elétrons.
3. Tipo P (dopado com Ge):A dopagem de germânio (Ge) é usada para criar wafers do tipo P, proporcionando alta mobilidade de furos e oferecendo excelente desempenho para sensores infravermelhos e fotodetectores.

Opções de tamanho:
1. Os wafers estão disponíveis em diâmetros de 2 e 3 polegadas. Isso garante compatibilidade com diversos processos e dispositivos de fabricação de semicondutores.
2. O wafer de 2 polegadas tem um diâmetro de 50,8±0,3 mm, enquanto o wafer de 3 polegadas tem um diâmetro de 76,2±0,3 mm.

Orientação:
1. Os wafers estão disponíveis com orientações de 100 e 111. A orientação 100 é ideal para eletrônicos de alta velocidade e detectores infravermelhos, enquanto a orientação 111 é frequentemente usada para dispositivos que exigem propriedades elétricas ou ópticas específicas.

Qualidade da superfície:
1. Esses wafers vêm com superfícies polidas/gravadas para excelente qualidade, permitindo desempenho ideal em aplicações que exigem características ópticas ou elétricas precisas.
2. A preparação da superfície garante baixa densidade de defeitos, tornando esses wafers ideais para aplicações de detecção infravermelha onde a consistência do desempenho é crítica.

Epi-Pronto:
1. Esses wafers são epi-ready, o que os torna adequados para aplicações que envolvem crescimento epitaxial, onde camadas adicionais de material serão depositadas no wafer para fabricação avançada de semicondutores ou dispositivos optoeletrônicos.

Aplicações

1. Detectores infravermelhos:Os wafers de InSb são amplamente utilizados na fabricação de detectores infravermelhos, particularmente na faixa de infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR). São essenciais para sistemas de visão noturna, imagens térmicas e aplicações militares.
2. Sistemas de imagem infravermelha:A alta sensibilidade dos wafers de InSb permite imagens infravermelhas precisas em vários setores, incluindo segurança, vigilância e pesquisa científica.
3. Eletrônica de alta velocidade:Devido à sua alta mobilidade eletrônica, essas pastilhas são usadas em dispositivos eletrônicos avançados, como transistores de alta velocidade e dispositivos optoeletrônicos.
4. Dispositivos de Poço Quântico:Os wafers de InSb são ideais para aplicações de poços quânticos em lasers, detectores e outros sistemas optoeletrônicos.

Parâmetros do produto

Parâmetro	2 polegadas	3 polegadas
Diâmetro	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm
Grossura	500±5μm	650±5μm
Superfície	Polido/Gravado	Polido/Gravado
Tipo de doping	Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P)	Não dopado, dopado com Te (N), dopado com Ge (P)
Orientação	100, 111	100, 111
Pacote	Solteiro	Solteiro
Epi-Ready	Sim	Sim

Parâmetros elétricos para dopado com Te (tipo N):

Mobilidade: 2000-5000 cm²/V·s
Resistividade: (1-1000) Ω·cm
EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²

Parâmetros elétricos para dopado com Ge (tipo P):

Mobilidade: 4000-8000 cm²/V·s
Resistividade: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Densidade de Defeitos): ≤2000 defeitos/cm²

Perguntas e Respostas (Perguntas Frequentes)

Q1: Qual é o tipo ideal de dopagem para aplicações de detecção infravermelha?

A1:Dopado com Te (tipo N)Os wafers são normalmente a escolha ideal para aplicações de detecção infravermelha, pois oferecem alta mobilidade de elétrons e excelente desempenho em detectores de infravermelho de comprimento de onda médio (MWIR) e sistemas de imagem.

P2: Posso usar esses wafers para aplicações eletrônicas de alta velocidade?

A2: Sim, wafers de InSb, particularmente aqueles comDopagem tipo Ne o100 orientação, são adequados para eletrônicos de alta velocidade, como transistores, dispositivos de poço quântico e componentes optoeletrônicos devido à sua alta mobilidade de elétrons.

Q3: Quais são as diferenças entre as orientações 100 e 111 para wafers de InSb?

A3: O100a orientação é comumente usada para dispositivos que exigem desempenho eletrônico de alta velocidade, enquanto a111A orientação é frequentemente usada para aplicações específicas que exigem características elétricas ou ópticas diferentes, incluindo certos dispositivos e sensores optoeletrônicos.

T4: Qual é a importância do recurso Epi-Ready para wafers de InSb?

A4: OEpi-ReadyEssa característica significa que o wafer foi pré-tratado para processos de deposição epitaxial. Isso é crucial para aplicações que exigem o crescimento de camadas adicionais de material sobre o wafer, como na produção de semicondutores avançados ou dispositivos optoeletrônicos.

P5: Quais são as aplicações típicas dos wafers de InSb no campo da tecnologia infravermelha?

R5: Os wafers de InSb são usados principalmente em detecção infravermelha, imagens térmicas, sistemas de visão noturna e outras tecnologias de sensoriamento infravermelho. Sua alta sensibilidade e baixo ruído os tornam ideais parainfravermelho de comprimento de onda médio (MWIR)detectores.

P6: Como a espessura do wafer afeta seu desempenho?

R6: A espessura do wafer desempenha um papel crítico em sua estabilidade mecânica e características elétricas. Wafers mais finos são frequentemente usados em aplicações mais sensíveis, que exigem controle preciso das propriedades do material, enquanto wafers mais espessos proporcionam maior durabilidade para determinadas aplicações industriais.

P7: Como escolher o tamanho de wafer apropriado para minha aplicação?

R7: O tamanho apropriado do wafer depende do dispositivo ou sistema específico que está sendo projetado. Wafers menores (2 polegadas) são frequentemente usados para pesquisas e aplicações de menor escala, enquanto wafers maiores (3 polegadas) são normalmente usados para produção em massa e dispositivos maiores que exigem mais material.

Conclusão

Bolachas de InSb em2 polegadase3 polegadastamanhos, comnão dopado, Tipo N, eTipo Pvariações, são altamente valiosas em aplicações de semicondutores e optoeletrônicas, particularmente em sistemas de detecção de infravermelho.100e111As orientações proporcionam flexibilidade para diversas necessidades tecnológicas, desde eletrônicos de alta velocidade até sistemas de imagem infravermelha. Com sua excepcional mobilidade eletrônica, baixo ruído e qualidade de superfície precisa, esses wafers são ideais paradetectores infravermelhos de comprimento de onda médioe outras aplicações de alto desempenho.