Wafers de LiNbO₃ de 2 a 8 polegadas, espessura de 0,1 a 0,5 mm, TTV de 3 µm, personalizados

Wafers de LiNbO₃ de 2 a 8 polegadas, espessura de 0,1 a 0,5 mm, TTV de 3 µm, imagem personalizada em destaque

Descrição curta:

Os wafers de LiNbO₃ representam o padrão ouro em fotônica integrada e acústica de precisão, proporcionando desempenho incomparável em sistemas optoeletrônicos modernos. Como fabricante líder, aperfeiçoamos a arte de produzir esses substratos projetados por meio de técnicas avançadas de equilíbrio de transporte de vapor, alcançando a perfeição cristalina líder do setor com densidades de defeitos abaixo de 50/cm².

As capacidades de produção de XKH abrangem diâmetros de 75 mm a 150 mm, com controle preciso de orientação (corte X/Y/Z de ±0,3°) e opções de dopagem especializadas, incluindo elementos de terras raras. A combinação única de propriedades dos wafers de LiNbO₃ – incluindo seu notável coeficiente r₃₃ (32±2 pm/V) e ampla transparência do UV próximo ao infravermelho médio – os torna indispensáveis para circuitos fotônicos de próxima geração e dispositivos acústicos de alta frequência.

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Características

Parâmetros técnicos

Material	Wafes de LiNbO3 de grau óptico
Curie Temp	1142±2,0℃
Ângulo de corte	X/Y/Z etc
Diâmetro/tamanho	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0,20 mm
Grossura	0,1 ~ 0,5 mm ou mais
Apartamento principal	16 mm/22 mm/32 mm
TTV	<3µm
Arco	-30
Urdidura	<40µm
Orientação plana	Todos disponíveis
Tipo de superfície	Polido de um lado / polido de dois lados
Lado polido Ra	<0,5 nm
S/D	20/10
Critérios de Borda	R=0,2 mm ou nariz de boi
Dopado opticamente	Fe/Zn/MgO etc. para wafers LN< de grau óptico
Critérios de superfície do wafer	Índice de refração	Não=2,2878/Ne=2,2033 @632nm comprimento de onda
	Contaminação,	Nenhum
	Partículas ￠>0,3 µ m	<= 30
	Arranhão, lascas	Nenhum
	Defeito	Sem rachaduras nas bordas, arranhões, marcas de serra ou manchas
Embalagem	Qtd/Caixa de wafer	25 peças por caixa

Principais atributos de nossos wafers de LiNbO₃

1. Características de desempenho fotônico

Nossos wafers de LiNbO₃ apresentam extraordinárias capacidades de interação luz-matéria, com coeficientes ópticos não lineares que chegam a 42 pm/V, permitindo processos eficientes de conversão de comprimento de onda, essenciais para a fotônica quântica. Os substratos mantêm uma transmissão >72% em 320-5200 nm, com versões especialmente projetadas atingindo perda de propagação <0,2 dB/cm em comprimentos de onda de telecomunicações.

2.Engenharia de Ondas Acústicas

A estrutura cristalina dos nossos wafers de LiNbO₃ suporta velocidades de onda de superfície superiores a 3800 m/s, permitindo a operação do ressonador em frequências de até 12 GHz. Nossas técnicas de polimento patenteadas produzem dispositivos de onda acústica de superfície (SAW) com perdas de inserção inferiores a 1,2 dB, mantendo a estabilidade térmica dentro de ±15 ppm/°C.

3. Resiliência Ambiental

Projetados para suportar condições extremas, nossos wafers de LiNbO₃ mantêm a funcionalidade desde temperaturas criogênicas até ambientes operacionais de 500 °C. O material demonstra excepcional dureza à radiação, suportando uma dose ionizante total de >1 Mrad sem degradação significativa do desempenho.

4. Configurações específicas do aplicativo

Oferecemos variantes projetadas por domínio, incluindo:
Estruturas polarizadas periodicamente com períodos de domínio de 5-50 μm
Filmes finos fatiados por íons para integração híbrida
Versões aprimoradas com metamateriais para aplicações especializadas

Cenários de implementação para wafers de LiNbO₃

1. Redes ópticas de última geração
Os wafers de LiNbO₃ servem como base para transceptores ópticos em escala de terabits, permitindo transmissão coerente de 800 Gbps por meio de projetos avançados de moduladores aninhados. Nossos substratos são cada vez mais adotados para implementações ópticas coempacotadas em sistemas aceleradores de IA/ML.
Frontends RF 2.6G
A última geração de wafers de LiNbO₃ suporta filtragem de banda ultralarga de até 20 GHz, atendendo às necessidades de espectro dos padrões 6G emergentes. Nossos materiais permitem novas arquiteturas de ressonadores acústicos com fatores Q superiores a 2000.
3.Sistemas de Informação Quântica
Wafers de LiNbO₃ com polarização de precisão formam a base para fontes de fótons entrelaçados com eficiência de geração de pares superior a 90%. Nossos substratos estão possibilitando avanços na computação quântica fotônica e em redes de comunicação seguras.
4. Soluções avançadas de detecção
De LiDAR automotivo operando a 1550 nm a sensores gravimétricos ultrassensíveis, os wafers de LiNbO₃ fornecem a plataforma de transdução crítica. Nossos materiais permitem resoluções de sensores que chegam a níveis de detecção de moléculas individuais.

Principais vantagens dos wafers de LiNbO₃

1. Desempenho eletro-óptico incomparável
Coeficiente eletro-óptico excepcionalmente alto (r₃₃~30-32 pm/V): representa a referência do setor para wafers comerciais de niobato de lítio, permitindo moduladores ópticos de alta velocidade de 200 Gbps+ que superam em muito os limites de desempenho de soluções baseadas em silício ou polímeros.

Perda de inserção ultrabaixa (<0,1 dB/cm): obtida por meio de polimento em nanoescala (Ra<0,3 nm) e revestimentos antirreflexo (AR), melhorando significativamente a eficiência energética dos módulos de comunicação óptica.

2. Propriedades piezoelétricas e acústicas superiores
Ideal para dispositivos SAW/BAW de alta frequência: com velocidades acústicas de 3500-3800 m/s, esses wafers suportam designs de filtros de 6G mmWave (24-100 GHz) com perdas de inserção <1,0 dB.

Alto coeficiente de acoplamento eletromecânico (K²~0,25%): aumenta a largura de banda e a seletividade do sinal em componentes front-end de RF, tornando-os adequados para estações base 5G/6G e comunicações via satélite.

3. Transparência de banda larga e efeitos ópticos não lineares
Janela de transmissão óptica ultra-ampla (350-5000 nm): abrange espectros de UV a infravermelho médio, permitindo aplicações como:

Óptica Quântica: Configurações periodicamente polarizadas (PPLN) alcançam eficiência >90% na geração de pares de fótons emaranhados.

Sistemas de laser: oscilação paramétrica óptica (OPO) fornece saída de comprimento de onda ajustável (1-10 μm).

Limite excepcional de dano a laser (>1 GW/cm²): atende aos requisitos rigorosos para aplicações de laser de alta potência.

4. Estabilidade Ambiental Extrema
Resistência a altas temperaturas (ponto Curie: 1140 °C): mantém desempenho estável entre -200 °C e +500 °C, ideal para:

Eletrônica automotiva (sensores do compartimento do motor)

Naves espaciais (componentes ópticos do espaço profundo)

Dureza à radiação (>1 Mrad TID): Em conformidade com os padrões MIL-STD-883, adequado para eletrônicos nucleares e de defesa.

5. Flexibilidade de personalização e integração
Orientação de Cristais e Otimização de Dopagem:

Wafers cortados em X/Y/Z (precisão de ±0,3°)

Dopagem de MgO (5% molar) para maior resistência a danos ópticos

Suporte à Integração Heterogênea:

Compatível com LiNbO₃ sobre isolante (LNOI) de filme fino para integração híbrida com fotônica de silício (SiPh)

Permite a ligação em nível de wafer para óptica co-empacotada (CPO)

6. Produção escalável e eficiência de custos
Produção em massa de wafers de 6 polegadas (150 mm): reduz os custos unitários em 30% em comparação aos processos tradicionais de 4 polegadas.

Entrega rápida: produtos padrão são enviados em 3 semanas; protótipos de pequenos lotes (mínimo de 5 wafers) são entregues em 10 dias.

Serviços XKH

1. Laboratório de Inovação de Materiais
Nossos especialistas em crescimento de cristais colaboram com clientes para desenvolver formulações de wafers de LiNbO₃ específicas para aplicações, incluindo:

Variantes de baixa perda óptica (<0,05dB/cm)

Configurações de manuseio de alta potência

Composições tolerantes à radiação

2. Pipeline de Prototipagem Rápida
Do design à entrega em 10 dias úteis para:

Wafers de orientação personalizada

Eletrodos padronizados

Amostras pré-caracterizadas

3. Certificação de Desempenho
Cada remessa de wafers LiNbO₃ inclui:

Caracterização espectroscópica completa

Verificação da orientação cristalográfica

Certificação de qualidade de superfície

4. Garantia da Cadeia de Suprimentos