Wafer de LiTaO3 de 2 a 8 polegadas, 10x10x0,5 mm, 1sp ou 2sp para comunicações 5G/6G.

Descrição resumida:

O wafer de LiTaO3 (wafer de tantalato de lítio), um material fundamental em semicondutores e optoeletrônica de terceira geração, aproveita sua alta temperatura de Curie (610 °C), ampla faixa de transparência (0,4–5,0 μm), coeficiente piezoelétrico superior (d33 > 1.500 pC/N) e baixa perda dielétrica (tanδ < 2%) para revolucionar as comunicações 5G, a integração fotônica e os dispositivos quânticos. Utilizando tecnologias avançadas de fabricação, como transporte físico de vapor (PVT) e deposição química de vapor (CVD), a XKH fornece wafers com cortes X/Y/Z, corte Y de 42° e polarizados periodicamente (PPLT) em formatos de 2 a 8 polegadas, apresentando rugosidade superficial (Ra) < 0,5 nm e densidade de microporos < 0,1 cm⁻². Nossos serviços abrangem dopagem com ferro, redução química e integração heterogênea Smart-Cut, visando filtros ópticos de alto desempenho, detectores de infravermelho e fontes de luz quântica. Este material impulsiona avanços em miniaturização, operação em alta frequência e estabilidade térmica, acelerando a substituição de tecnologias críticas por componentes nacionais.

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Características

Parâmetros técnicos

Nome	LiTaO3 de grau óptico	Nível da mesa acústica LiTaO3
Axial	Corte Z +/- 0,2°	Corte em Y de 36° / Corte em Y de 42° / Corte em X (+ / - 0,2 °)
Diâmetro	76,2 mm +/- 0,3 mm/ 100±0,2mm	76,2 mm +/- 0,3 mm 100 mm +/- 0,3 mm ou 150 ± 0,5 mm
Plano de referência	22 mm +/- 2 mm	22 mm +/- 2 mm 32 mm +/- 2 mm
Grossura	500 µm +/- 5 mm 1000 µm +/- 5 mm	500 µm +/- 20 mm 350 µm +/- 20 mm
TTV	≤ 10 µm	≤ 10 µm
Temperatura de Curie	605 °C + / - 0,7 °C (método DTA)	605 °C + / -3 °C (método DTA)
Qualidade da superfície	Polimento de dupla face	Polimento de dupla face
Bordas chanfradas	arredondamento de borda	arredondamento de borda

Principais características

1. Desempenho Elétrico e Óptico
• Coeficiente eletro-óptico: r33 atinge 30 pm/V (corte em X), 1,5 vezes maior que o LiNbO3, permitindo modulação eletro-óptica de banda ultralarga (largura de banda >40 GHz).
• Ampla resposta espectral: faixa de transmissão de 0,4 a 5,0 μm (espessura de 8 mm), com limite de absorção ultravioleta tão baixo quanto 280 nm, ideal para lasers UV e dispositivos de pontos quânticos.
• Baixo coeficiente piroelétrico: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), garantindo estabilidade em sensores infravermelhos de alta temperatura.

2. Propriedades Térmicas e Mecânicas
• Alta condutividade térmica: 4,6 W/m·K (corte X), quatro vezes maior que a do quartzo, suportando ciclos térmicos de -200 a 500 °C.
• Baixo coeficiente de expansão térmica: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000°C), compatível com encapsulamento de silício para minimizar o estresse térmico.
3. Controle de defeitos e precisão de processamento
• Densidade de microporos: <0,1 cm⁻² (wafers de 8 polegadas), densidade de deslocamento <500 cm⁻² (verificada por meio de ataque com KOH).
• Qualidade da superfície: Polida por CMP com Ra <0,5 nm, atendendo aos requisitos de planicidade de nível de litografia EUV.

Principais aplicações

Domínio	Cenários de aplicação	Vantagens técnicas
Comunicações Ópticas	Lasers DWDM de 100G/400G, módulos híbridos de fotônica de silício	A ampla transmissão espectral e a baixa perda de guia de onda (α <0,1 dB/cm) do wafer de LiTaO3 permitem a expansão da banda C.
Comunicações 5G/6G	Filtros SAW (1,8–3,5 GHz), filtros BAW-SMR	Os wafers cortados em Y a 42° atingem um Kt² >15%, proporcionando baixa perda de inserção (<1,5 dB) e alta atenuação (>30 dB).
Tecnologias Quânticas	Detectores de fóton único, fontes de conversão paramétrica descendente	Alto coeficiente não linear (χ(2)=40 pm/V) e baixa taxa de contagem escura (<100 contagens/s) aumentam a fidelidade quântica.
Sensoriamento Industrial	Sensores de pressão para altas temperaturas, transformadores de corrente	A resposta piezoelétrica do wafer de LiTaO3 (g33 >20 mV/m) e a alta tolerância à temperatura (>400°C) o tornam adequado para ambientes extremos.

Serviços XKH

1. Fabricação de wafers personalizados

• Tamanho e corte: wafers de 2 a 8 polegadas com cortes X/Y/Z, corte Y de 42° e cortes angulares personalizados (tolerância de ±0,01°).

• Controle de dopagem: Dopagem com Fe e Mg pelo método Czochralski (faixa de concentração de 10¹⁶ a 10¹⁹ cm⁻³) para otimizar os coeficientes eletro-ópticos e a estabilidade térmica.

2. Tecnologias de Processo Avançadas

• Polarização Periódica (PPLT): Tecnologia Smart-Cut para wafers LTOI, que alcança precisão de período de domínio de ±10 nm e conversão de frequência quase-fase-casada (QPM).

• Integração heterogênea: wafers compostos de LiTaO3 à base de Si (POI) com controle de espessura (300–600 nm) e condutividade térmica de até 8,78 W/m·K para filtros SAW de alta frequência.

3. Sistemas de Gestão da Qualidade

• Testes de ponta a ponta: espectroscopia Raman (verificação de politipos), difração de raios X (cristalinidade), microscopia de força atômica (morfologia da superfície) e testes de uniformidade óptica (Δn <5×10⁻⁵).

4. Suporte à Cadeia de Suprimentos Global

• Capacidade de produção: Produção mensal superior a 5.000 wafers (8 polegadas: 70%), com entrega de emergência em 48 horas.

• Rede logística: Cobertura na Europa, América do Norte e Ásia-Pacífico via transporte aéreo/marítimo com embalagens com temperatura controlada.