Wafer LiTaO3 2 polegadas-8 polegadas 10x10x0,5 mm 1sp 2sp para comunicações 5G/6G

Wafer de LiTaO3 de 2 a 8 polegadas, 10x10x0,5 mm, 1 sp, 2 sp para comunicações 5G/6G. Imagem em destaque

Descrição curta:

O wafer de LiTaO3 (wafer de tantalato de lítio), um material essencial em semicondutores e optoeletrônicos de terceira geração, utiliza sua alta temperatura de Curie (610 °C), ampla faixa de transparência (0,4–5,0 μm), coeficiente piezoelétrico superior (d33 > 1.500 pC/N) e baixa perda dielétrica (tanδ < 2%) para revolucionar as comunicações 5G, a integração fotônica e os dispositivos quânticos. Utilizando tecnologias avançadas de fabricação, como transporte físico de vapor (PVT) e deposição química de vapor (CVD), a XKH fornece wafers com corte X/Y/Z, corte Y a 42 ° e polimento periódico (PPLT) em formatos de 2 a 8 polegadas, com rugosidade superficial (Ra) < 0,5 nm e densidade de microtubos < 0,1 cm². Nossos serviços abrangem dopagem com Fe, redução química e integração heterogênea Smart-Cut, abordando filtros ópticos de alto desempenho, detectores infravermelhos e fontes de luz quântica. Este material impulsiona avanços em miniaturização, operação em alta frequência e estabilidade térmica, acelerando a substituição doméstica em tecnologias críticas.

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Características

Parâmetros técnicos

Nome	LiTaO3 de grau óptico	Nível da mesa de som LiTaO3
Axial	Corte Z + / - 0,2 °	Corte Y 36° / Corte Y 42° / Corte X (+ / - 0,2 °)
Diâmetro	76,2 mm + / - 0,3 mm/ 100±0,2 mm	76,2 mm + /- 0,3 mm 100 mm + /- 0,3 mm ou 150 ± 0,5 mm
Plano de referência	22 mm + / - 2 mm	22 mm + /-2 mm 32 mm + /- 2 mm
Grossura	500um + /-5mm 1000um + /-5mm	500um + /-20mm 350um + /-20mm
TTV	≤ 10um	≤ 10um
Temperatura de Curie	605 °C + / - 0,7 °C (método DTA)	605 °C + / -3 °C (método DTA
Qualidade da superfície	Polimento de dupla face	Polimento de dupla face
Bordas chanfradas	arredondamento de bordas	arredondamento de bordas

Características principais

1. Desempenho elétrico e óptico
· Coeficiente eletro-óptico: r33 atinge 30 pm/V (corte X), 1,5× maior que LiNbO3, permitindo modulação eletro-óptica de banda ultralarga (largura de banda >40 GHz).
· Ampla resposta espectral: Faixa de transmissão de 0,4–5,0 μm (espessura de 8 mm), com borda de absorção ultravioleta de até 280 nm, ideal para lasers UV e dispositivos de pontos quânticos.
· Baixo coeficiente piroelétrico: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), garantindo estabilidade em sensores infravermelhos de alta temperatura.

2. Propriedades térmicas e mecânicas
· Alta condutividade térmica: 4,6 W/m·K (corte X), o quádruplo do quartzo, suportando ciclos térmicos de -200–500°C.
· Baixo coeficiente de expansão térmica: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000°C), compatível com embalagens de silicone para minimizar o estresse térmico.
3. Controle de defeitos e precisão de processamento
· Densidade do microtubo: <0,1 cm⁻² (wafers de 8 polegadas), densidade de deslocamento <500 cm⁻² (verificada por corrosão por KOH).
· Qualidade da superfície: polida por CMP até Ra <0,5 nm, atendendo aos requisitos de planura de grau litográfico EUV.

Principais aplicações

Domínio	Cenários de Aplicação	Vantagens técnicas
Comunicações Ópticas	Lasers DWDM 100G/400G, módulos híbridos de fotônica de silício	A ampla transmissão espectral e a baixa perda de guia de onda (α < 0,1 dB/cm) do wafer LiTaO3 permitem a expansão da banda C.
Comunicações 5G/6G	Filtros SAW (1,8–3,5 GHz), filtros BAW-SMR	Os wafers de corte Y de 42° alcançam Kt² >15%, proporcionando baixa perda de inserção (<1,5 dB) e alta redução (>30 dB).
Tecnologias Quânticas	Detectores de fóton único, fontes de conversão paramétrica	Alto coeficiente não linear (χ(2)=40 pm/V) e baixa taxa de contagem escura (<100 contagens/s) aumentam a fidelidade quântica.
Sensoriamento Industrial	Sensores de pressão de alta temperatura, transformadores de corrente	A resposta piezoelétrica do wafer LiTaO3 (g33 >20 mV/m) e a tolerância a altas temperaturas (>400°C) são adequadas para ambientes extremos.

Serviços XKH

1. Fabricação de wafers personalizados

· Tamanho e corte: wafers de 2 a 8 polegadas com corte X/Y/Z, corte Y de 42° e cortes angulares personalizados (tolerância de ±0,01°).

· Controle de dopagem: dopagem de Fe, Mg pelo método de Czochralski (faixa de concentração 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) para otimizar os coeficientes eletro-ópticos e a estabilidade térmica.

2. Tecnologias de Processo Avançadas

· Poling periódico (PPLT): tecnologia Smart-Cut para wafers LTOI, alcançando precisão de período de domínio de ±10 nm e conversão de frequência quase-fase-correspondente (QPM).

· Integração heterogênea: wafers compostos de LiTaO3 à base de Si (POI) com controle de espessura (300–600 nm) e condutividade térmica de até 8,78 W/m·K para filtros SAW de alta frequência.

3.Sistemas de Gestão da Qualidade

· Testes de ponta a ponta: espectroscopia Raman (verificação de politipo), XRD (cristalinidade), AFM (morfologia de superfície) e testes de uniformidade óptica (Δn <5×10⁻⁵).

4. Suporte à cadeia de suprimentos global

· Capacidade de produção: Produção mensal >5.000 wafers (8 polegadas: 70%), com entrega emergencial em 48 horas.

· Rede logística: Cobertura na Europa, América do Norte e Ásia-Pacífico via frete aéreo/marítimo com embalagem com temperatura controlada.