Substratos compostos de SiC tipo N com diâmetro de 6 polegadas. Substrato monocristalino de alta qualidade e substrato de baixa qualidade.
Tabela de parâmetros comuns de substratos compostos de SiC tipo N
| 项目Unid | 指标Especificação | 项目Unid | 指标Especificação |
| 直径Diâmetro | 150±0,2 mm | 正 面 (硅面)粗糙度 Rugosidade frontal (face Si) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
| 晶型Polítipo | 4H | Lascas, arranhões e rachaduras nas bordas (inspeção visual) | Nenhum |
| 电阻率Resistividade | 0,015-0,025 ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Espessura da camada de transferência | ≥0,4μm | 翘曲度Urdidura | ≤35μm |
| 空洞Vazio | ≤5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | 总厚度Grossura | 350±25μm |
A designação "tipo N" refere-se ao tipo de dopagem usado em materiais de SiC. Na física de semicondutores, a dopagem envolve a introdução intencional de impurezas em um semicondutor para alterar suas propriedades elétricas. A dopagem tipo N introduz elementos que fornecem um excesso de elétrons livres, conferindo ao material uma concentração de portadores de carga negativa.
As vantagens dos substratos compostos de SiC do tipo N incluem:
1. Desempenho em alta temperatura: o SiC tem alta condutividade térmica e pode operar em altas temperaturas, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alta potência e alta frequência.
2. Alta tensão de ruptura: os materiais de SiC têm alta tensão de ruptura, o que lhes permite suportar altos campos elétricos sem ruptura elétrica.
3. Resistência química e ambiental: O SiC é quimicamente resistente e pode suportar condições ambientais adversas, tornando-o adequado para uso em aplicações desafiadoras.
4. Perda de energia reduzida: em comparação com materiais tradicionais à base de silício, os substratos de SiC permitem uma conversão de energia mais eficiente e reduzem a perda de energia em dispositivos eletrônicos.
5. Ampla largura de banda: o SiC tem uma ampla largura de banda, permitindo o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos que podem operar em temperaturas mais altas e densidades de potência mais altas.
No geral, os substratos compostos de SiC tipo N oferecem vantagens significativas para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alto desempenho, especialmente em aplicações onde a operação em alta temperatura, alta densidade de potência e conversão de energia eficiente são essenciais.