Substratos compostos de SiC tipo N de 6 polegadas de diâmetro, monocristalinos de alta qualidade e substratos de baixa qualidade.
Tabela de parâmetros comuns para substratos compósitos de SiC tipo N
| 项目Unid | 指标Especificação | 项目Unid | 指标Especificação |
| 直径Diâmetro | 150±0,2mm | 正 面 (硅面)粗糙度 Rugosidade frontal (face Si) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Politipo | 4H | Lascas nas bordas, arranhões, rachaduras (inspeção visual) | Nenhum |
| 电阻率Resistividade | 0,015-0,025 ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Espessura da camada de transferência | ≥0,4 μm | 翘曲度Urdidura | ≤35μm |
| 空洞Vazio | ≤5 unidades/wafer (2mm>D>0,5mm) | 总厚度Grossura | 350±25μm |
A designação "tipo N" refere-se ao tipo de dopagem utilizada em materiais de SiC. Na física de semicondutores, a dopagem envolve a introdução intencional de impurezas em um semicondutor para alterar suas propriedades elétricas. A dopagem tipo N introduz elementos que fornecem um excesso de elétrons livres, conferindo ao material uma concentração de portadores de carga negativa.
As vantagens dos substratos compósitos de SiC do tipo N incluem:
1. Desempenho em altas temperaturas: O SiC possui alta condutividade térmica e pode operar em altas temperaturas, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alta potência e alta frequência.
2. Alta tensão de ruptura: Os materiais de SiC possuem uma alta tensão de ruptura, permitindo que suportem campos elétricos intensos sem sofrerem ruptura dielétrica.
3. Resistência química e ambiental: O SiC é resistente a produtos químicos e pode suportar condições ambientais adversas, tornando-o adequado para uso em aplicações desafiadoras.
4. Redução das perdas de energia: Comparados aos materiais tradicionais à base de silício, os substratos de SiC permitem uma conversão de energia mais eficiente e reduzem as perdas de energia em dispositivos eletrônicos.
5. Banda proibida larga: O SiC possui uma banda proibida larga, permitindo o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos que podem operar em temperaturas mais altas e com densidades de potência mais elevadas.
De forma geral, os substratos compósitos de SiC do tipo N oferecem vantagens significativas para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alto desempenho, especialmente em aplicações onde a operação em alta temperatura, a alta densidade de potência e a conversão de energia eficiente são cruciais.