Substrato SIC tipo p 4H/6H-P 3C-N TIPO 4 polegadas 〈111〉± 0,5°Zero MPD

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Descrição curta:

O substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N, de 4 polegadas, com orientação de 〈111〉± 0,5° e grau Zero MPD (Micro Pipe Defect), é um material semicondutor de alto desempenho projetado para a fabricação avançada de dispositivos eletrônicos. Conhecido por sua excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e forte resistência a altas temperaturas e corrosão, este substrato é ideal para aplicações em eletrônica de potência e RF. O grau Zero MPD garante defeitos mínimos, garantindo confiabilidade e estabilidade em dispositivos de alto desempenho. Sua orientação precisa de 〈111〉± 0,5° permite um alinhamento preciso durante a fabricação, tornando-o adequado para processos de fabricação em larga escala. Este substrato é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta tensão e alta frequência, como conversores de energia, inversores e componentes de RF.

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Tabela de parâmetros comuns de substratos compostos de SiC tipo 4H/6H-P

4 polegada de diâmetro de silícioSubstrato de carboneto (SiC) Especificação

Nota			Produção MPD Zero Grau (Z Nota)	Produção Padrão Grau (P Nota)	Grau fictício (D Nota)
Diâmetro			99,5 mm ~ 100,0 mm
Grossura			350 μm ± 25 μm
Orientação de wafer			Fora do eixo: 2,0°-4,0° em direção a [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEixo n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade do microtubo			0 cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	3C-N tipo n		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientação plana primária		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Comprimento plano primário			32,5 mm ± 2,0 mm
Comprimento plano secundário			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação plana secundária			Face de silício para cima: 90° CW. do Prime flat±5,0°
Exclusão de Borda			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Distorção			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra polonês≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Fissuras nas bordas causadas por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm
Placas Hexagonais por Luz de Alta Intensidade			Área cumulativa ≤0,05%		Área cumulativa ≤0,1%
Áreas de politipia por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões de Carbono Visual			Área cumulativa ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arranhões na superfície do silicone causados por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤1×diâmetro da pastilha
Chips de borda de alta intensidade de luz			Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada
Contaminação da superfície de silício por alta intensidade			Nenhum
Embalagem			Cassete multiwafer ou recipiente de wafer único

Observações:

※Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os arranhões devem ser verificados somente na face de Si.

O substrato de SiC de 4 polegadas tipo P 4H/6H-P 3C-N com orientação de 〈111〉± 0,5° e grau MPD Zero é amplamente utilizado em aplicações eletrônicas de alto desempenho. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam ideal para eletrônica de potência, como interruptores de alta tensão, inversores e conversores de potência, operando em condições extremas. Além disso, a resistência do substrato a altas temperaturas e corrosão garante um desempenho estável em ambientes agressivos. A orientação precisa de 〈111〉± 0,5° aumenta a precisão de fabricação, tornando-o adequado para dispositivos de RF e aplicações de alta frequência, como sistemas de radar e equipamentos de comunicação sem fio.

As vantagens dos substratos compostos de SiC do tipo N incluem:

1. Alta condutividade térmica: dissipação de calor eficiente, tornando-o adequado para ambientes de alta temperatura e aplicações de alta potência.
2. Alta tensão de ruptura: garante desempenho confiável em aplicações de alta tensão, como conversores de energia e inversores.
3. Grau Zero MPD (Micro Pipe Defect): Garante defeitos mínimos, proporcionando estabilidade e alta confiabilidade em dispositivos eletrônicos críticos.
4. Resistência à corrosão: durável em ambientes adversos, garantindo funcionalidade de longo prazo em condições exigentes.
5. Orientação precisa de 〈111〉± 0,5°: permite alinhamento preciso durante a fabricação, melhorando o desempenho do dispositivo em aplicações de alta frequência e RF.

No geral, o substrato de SiC de 4 polegadas tipo P 4H/6H-P 3C-N com orientação de 〈111〉± 0,5° e grau Zero MPD é um material de alto desempenho ideal para aplicações eletrônicas avançadas. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam perfeito para eletrônica de potência, como interruptores, inversores e conversores de alta tensão. O grau Zero MPD garante defeitos mínimos, proporcionando confiabilidade e estabilidade em dispositivos críticos. Além disso, a resistência do substrato à corrosão e a altas temperaturas garante durabilidade em ambientes agressivos. A orientação precisa de 〈111〉± 0,5° permite um alinhamento preciso durante a fabricação, tornando-o altamente adequado para dispositivos de RF e aplicações de alta frequência.