Substrato SiC tipo p 4H/6H-P 3C-N 4 polegadas 〈111〉± 0,5° Zero MPD
Tabela de parâmetros comuns para substratos compósitos de SiC tipo 4H/6H-P
4 polegada de diâmetro SiliconeSubstrato de carboneto (SiC) Especificação
| Nota | Produção de MPD Zero Grau (Z) Nota) | Produção padrão Nota (P) Nota) | Nota fictícia (D Nota) | ||
| Diâmetro | 99,5 mm ~ 100,0 mm | ||||
| Grossura | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientação do wafer | Fora do eixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEixo n:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidade de microtubos | 0 cm-2 | ||||
| Resistividade | p-tipo 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| tipo n 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientação plana primária | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Comprimento plano primário | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Comprimento plano secundário | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientação plana secundária | A face de silicone para cima: 90° no sentido horário. A partir da superfície plana Prime.±5,0° | ||||
| Exclusão de borda | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arco/Derrapagem | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosidade | Polonês Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Rachaduras nas bordas causadas por luz de alta intensidade. | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤0,1% | |||
| Áreas politipadas por luz de alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤ 3% | |||
| Inclusões Visuais de Carbono | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤3% | |||
| Arranhões na superfície de silício causados por luz de alta intensidade | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 1 × diâmetro do wafer | |||
| Lascas de borda de alta intensidade devido à luz intensa | Nenhuma largura ou profundidade permitida ≥0,2 mm. | 5 permitidos, ≤1 mm cada | |||
| Contaminação da superfície de silício por alta intensidade | Nenhum | ||||
| Embalagem | Cassete para múltiplos wafers ou recipiente para um único wafer | ||||
Notas:
※Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os riscos devem ser verificados apenas na face de Si.
O substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas com orientação 〈111〉± 0,5° e grau Zero MPD é amplamente utilizado em aplicações eletrônicas de alto desempenho. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam ideal para eletrônica de potência, como chaves de alta tensão, inversores e conversores de potência, que operam em condições extremas. Além disso, a resistência do substrato a altas temperaturas e à corrosão garante desempenho estável em ambientes agressivos. A orientação precisa 〈111〉± 0,5° aprimora a precisão de fabricação, tornando-o adequado para dispositivos de radiofrequência e aplicações de alta frequência, como sistemas de radar e equipamentos de comunicação sem fio.
As vantagens dos substratos compósitos de SiC do tipo N incluem:
1. Alta condutividade térmica: Dissipação de calor eficiente, tornando-o adequado para ambientes de alta temperatura e aplicações de alta potência.
2. Alta tensão de ruptura: Garante um desempenho confiável em aplicações de alta tensão, como conversores de energia e inversores.
3. Grau Zero MPD (Defeito de Microtubo): Garante defeitos mínimos, proporcionando estabilidade e alta confiabilidade em dispositivos eletrônicos críticos.
4. Resistência à corrosão: Durável em ambientes agressivos, garantindo funcionalidade a longo prazo em condições exigentes.
5. Orientação precisa 〈111〉± 0,5°: Permite um alinhamento preciso durante a fabricação, melhorando o desempenho do dispositivo em aplicações de alta frequência e RF.
De forma geral, o substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas com orientação 〈111〉± 0,5° e grau Zero MPD é um material de alto desempenho ideal para aplicações eletrônicas avançadas. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam perfeito para eletrônica de potência, como chaves de alta tensão, inversores e conversores. O grau Zero MPD garante defeitos mínimos, proporcionando confiabilidade e estabilidade em dispositivos críticos. Além disso, a resistência do substrato à corrosão e a altas temperaturas garante durabilidade em ambientes agressivos. A orientação precisa 〈111〉± 0,5° permite um alinhamento exato durante a fabricação, tornando-o altamente adequado para dispositivos de RF e aplicações de alta frequência.
Diagrama detalhado
