substrato tipo p 4H/6H-P 3C-N TIPO SIC 4 polegadas 〈111〉± 0,5°Zero MPD

Breve descrição:

O substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N, de 4 polegadas com orientação 〈111〉± 0,5° e grau Zero MPD (Micro Pipe Defect), é um material semicondutor de alto desempenho projetado para dispositivos eletrônicos avançados fabricação. Conhecido por sua excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e forte resistência a altas temperaturas e corrosão, esse substrato é ideal para aplicações em eletrônica de potência e RF. A classe Zero MPD garante defeitos mínimos, garantindo confiabilidade e estabilidade em dispositivos de alto desempenho. Sua orientação precisa de 〈111〉± 0,5° permite um alinhamento preciso durante a fabricação, tornando-o adequado para processos de fabricação em larga escala. Este substrato é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta tensão e alta frequência, como conversores de energia, inversores e componentes de RF.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Tabela de parâmetros comuns de substratos compostos de SiC tipo 4H/6H-P

4 polegada de diâmetro SilícioSubstrato de carboneto (SiC) Especificação

Nota			Produção Zero MPD Nota (Z Nota)	Produção Padrão Nota (P Nota)	Nota fictícia (D Nota)
Diâmetro			99,5mm~100,0mm
Grossura			350 μm ± 25 μm
Orientação de wafer			Fora do eixo: 2,0°-4,0° em direção a [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, Oeixo n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade do Microtubo			0cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1Ωꞏcm		≤0,3Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1mΩꞏcm
Orientação Plana Primária		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Comprimento plano primário			32,5 mm ± 2,0 mm
Comprimento plano secundário			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação Plana Secundária			Silício voltado para cima: 90° CW. do apartamento Prime±5,0°
Exclusão de borda			3mm		6mm
LTV/TTV/Arco/Urdidura			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra≤1 nm polonês
			CMP Ra≤0,2nm		Ra≤0,5nm
Rachaduras nas bordas por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único≤2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões visuais de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arranhões na superfície do silicone por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo≤1×diâmetro do wafer
Edge Chips de alta intensidade de luz			Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada
Contaminação de superfície de silício por alta intensidade			Nenhum
Embalagem			Cassete Multi-wafer ou Recipiente Único de Wafer

Notas:

※Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão de borda. # Os arranhões devem ser verificados apenas no rosto do Si.

O substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N tipo 4 polegadas com orientação 〈111〉± 0,5° e grau Zero MPD é amplamente utilizado em aplicações eletrônicas de alto desempenho. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam ideal para eletrônica de potência, como interruptores de alta tensão, inversores e conversores de potência, operando em condições extremas. Além disso, a resistência do substrato a altas temperaturas e à corrosão garante um desempenho estável em ambientes agressivos. A orientação precisa de 〈111〉± 0,5° aumenta a precisão da fabricação, tornando-o adequado para dispositivos de RF e aplicações de alta frequência, como sistemas de radar e equipamentos de comunicação sem fio.

As vantagens dos substratos compostos de SiC tipo N incluem:

1. Alta condutividade térmica: Dissipação de calor eficiente, tornando-o adequado para ambientes de alta temperatura e aplicações de alta potência.
2. Alta tensão de ruptura: Garante desempenho confiável em aplicações de alta tensão, como conversores de energia e inversores.
3. Grau Zero MPD (Micro Pipe Defect): Garante defeitos mínimos, proporcionando estabilidade e alta confiabilidade em dispositivos eletrônicos críticos.
4. Resistência à corrosão: Durável em ambientes agressivos, garantindo funcionalidade de longo prazo em condições exigentes.
5. Orientação precisa 〈111〉± 0,5°: Permite o alinhamento preciso durante a fabricação, melhorando o desempenho do dispositivo em aplicações de alta frequência e RF.

No geral, o substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N tipo 4 polegadas com orientação 〈111〉± 0,5° e grau Zero MPD é um material de alto desempenho ideal para aplicações eletrônicas avançadas. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam perfeito para eletrônicos de potência, como interruptores, inversores e conversores de alta tensão. A classe Zero MPD garante defeitos mínimos, proporcionando confiabilidade e estabilidade em dispositivos críticos. Além disso, a resistência do substrato à corrosão e às altas temperaturas garante durabilidade em ambientes agressivos. A orientação precisa de 〈111〉± 0,5° permite um alinhamento preciso durante a fabricação, tornando-o altamente adequado para dispositivos de RF e aplicações de alta frequência.