Wafer SiC tipo P 4H / 6H-P 3C-N 6 polegadas de espessura 350 μm com orientação plana primária

Breve descrição:

O wafer SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, é um material semicondutor de 6 polegadas com espessura de 350 μm e orientação primária plana, projetado para aplicações eletrônicas avançadas. Conhecido por sua alta condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a temperaturas extremas e ambientes corrosivos, este wafer é adequado para dispositivos eletrônicos de alto desempenho. A dopagem tipo P introduz buracos como portadores primários de carga, tornando-a ideal para eletrônica de potência e aplicações de RF. Sua estrutura robusta garante desempenho estável sob condições de alta tensão e alta frequência, tornando-o adequado para dispositivos de energia, eletrônicos de alta temperatura e conversão de energia de alta eficiência. A orientação plana primária garante alinhamento preciso no processo de fabricação, proporcionando consistência na fabricação do dispositivo.

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Especificação4H/6H-P Tipo Substratos Compostos SiC Tabela de parâmetros comuns

6 Substrato de carboneto de silício (SiC) de diâmetro em polegadas Especificação

Nota			Produção Zero MPDNota (Z Nota)	Produção PadrãoNota (P Nota)	Nota fictícia (D Nota)
Diâmetro			145,5mm~150,0mm
Grossura			350 μm ± 25 μm
Orientação de wafer			-Offeixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, no eixo:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade do Microtubo			0cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1Ωꞏcm		≤0,3Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1mΩꞏcm
Orientação Plana Primária		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Comprimento plano primário			32,5 mm ± 2,0 mm
Comprimento plano secundário			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação Plana Secundária			Silício voltado para cima: 90° CW. do plano Prime ± 5,0°
Exclusão de borda			3mm		6mm
LTV/TTV/Arco/Urdidura			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra≤1 nm polonês
			CMP Ra≤0,2nm		Ra≤0,5nm
Rachaduras nas bordas por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único≤2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões visuais de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arranhões na superfície do silicone por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo≤1×diâmetro do wafer
Edge Chips de alta intensidade de luz			Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada
Contaminação de superfície de silício por alta intensidade			Nenhum
Embalagem			Cassete Multi-wafer ou Recipiente Único de Wafer

Notas:

※ Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão de borda. # Os arranhões devem ser verificados no Si face o

O wafer SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, com seu tamanho de 6 polegadas e 350 μm de espessura, desempenha um papel crucial na produção industrial de eletrônica de potência de alto desempenho. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam ideal para a fabricação de componentes como interruptores, diodos e transistores usados em ambientes de alta temperatura, como veículos elétricos, redes elétricas e sistemas de energia renovável. A capacidade do wafer de operar com eficiência em condições adversas garante um desempenho confiável em aplicações industriais que exigem alta densidade de potência e eficiência energética. Além disso, sua orientação plana primária auxilia no alinhamento preciso durante a fabricação do dispositivo, melhorando a eficiência da produção e a consistência do produto.

As vantagens dos substratos compostos de SiC tipo N incluem

Alta condutividade térmica: Os wafers de SiC tipo P dissipam o calor com eficiência, tornando-os ideais para aplicações de alta temperatura.
Alta tensão de ruptura: Capaz de suportar altas tensões, garantindo confiabilidade em eletrônica de potência e dispositivos de alta tensão.
Resistência a ambientes agressivos: Excelente durabilidade em condições extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos.
Conversão de energia eficiente: A dopagem tipo P facilita o manuseio eficiente de energia, tornando o wafer adequado para sistemas de conversão de energia.
Orientação Plana Primária: Garante o alinhamento preciso durante a fabricação, melhorando a precisão e a consistência do dispositivo.
Estrutura Fina (350 μm): A espessura ideal do wafer suporta a integração em dispositivos eletrônicos avançados e com espaço limitado.

No geral, o wafer de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, oferece uma série de vantagens que o tornam altamente adequado para aplicações industriais e eletrônicas. Sua alta condutividade térmica e tensão de ruptura permitem uma operação confiável em ambientes de alta temperatura e alta tensão, enquanto sua resistência a condições adversas garante durabilidade. A dopagem tipo P permite uma conversão eficiente de energia, tornando-a ideal para eletrônica de potência e sistemas de energia. Além disso, a orientação plana primária do wafer garante um alinhamento preciso durante o processo de fabricação, melhorando a consistência da produção. Com uma espessura de 350 μm, é adequado para integração em dispositivos compactos e avançados.