Wafer de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N espessura de 6 polegadas 350 μm com orientação plana primária

Descrição curta:

O wafer de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, é um material semicondutor de 6 polegadas com espessura de 350 μm e orientação plana primária, projetado para aplicações eletrônicas avançadas. Conhecido por sua alta condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a temperaturas extremas e ambientes corrosivos, este wafer é adequado para dispositivos eletrônicos de alto desempenho. A dopagem tipo P introduz lacunas como portadores de carga primários, tornando-o ideal para eletrônica de potência e aplicações de RF. Sua estrutura robusta garante desempenho estável em condições de alta tensão e alta frequência, tornando-o adequado para dispositivos de potência, eletrônicos de alta temperatura e conversão de energia de alta eficiência. A orientação plana primária garante alinhamento preciso no processo de fabricação, proporcionando consistência na fabricação do dispositivo.

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Detalhes do produto

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EspecificaçãoSubstratos Compostos de SiC Tipo 4H/6H-P Tabela de parâmetros comuns

6 Substrato de carboneto de silício (SiC) de diâmetro de polegada Especificação

Nota			Produção MPD ZeroGrau (Z Nota)	Produção PadrãoGrau (P Nota)	Grau fictício (D Nota)
Diâmetro			145,5 mm ~ 150,0 mm
Grossura			350 μm ± 25 μm
Orientação de wafer			-Offeixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, No eixo:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade do microtubo			0 cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	3C-N tipo n		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientação plana primária		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Comprimento plano primário			32,5 mm ± 2,0 mm
Comprimento plano secundário			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação plana secundária			Face de silício para cima: 90° CW. do plano Prime ± 5,0°
Exclusão de Borda			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Distorção			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra polonês≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Fissuras nas bordas causadas por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm
Placas Hexagonais por Luz de Alta Intensidade			Área cumulativa ≤0,05%		Área cumulativa ≤0,1%
Áreas de politipia por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões de Carbono Visual			Área cumulativa ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arranhões na superfície do silicone causados por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤1×diâmetro da pastilha
Chips de borda de alta intensidade de luz			Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada
Contaminação da superfície de silício por alta intensidade			Nenhum
Embalagem			Cassete multiwafer ou recipiente de wafer único

Observações:

※ Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os arranhões devem ser verificados na face Si

O wafer de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, com seu tamanho de 6 polegadas e espessura de 350 μm, desempenha um papel crucial na produção industrial de eletrônicos de potência de alto desempenho. Sua excelente condutividade térmica e alta tensão de ruptura o tornam ideal para a fabricação de componentes como interruptores, diodos e transistores utilizados em ambientes de alta temperatura, como veículos elétricos, redes elétricas e sistemas de energia renovável. A capacidade do wafer de operar eficientemente em condições adversas garante um desempenho confiável em aplicações industriais que exigem alta densidade de potência e eficiência energética. Além disso, sua orientação plana primária auxilia no alinhamento preciso durante a fabricação do dispositivo, aumentando a eficiência da produção e a consistência do produto.

As vantagens dos substratos compostos de SiC do tipo N incluem

Alta condutividade térmica: Os wafers de SiC do tipo P dissipam calor de forma eficiente, tornando-os ideais para aplicações de alta temperatura.
Alta Tensão de Ruptura: Capaz de suportar altas tensões, garantindo confiabilidade em eletrônica de potência e dispositivos de alta tensão.
Resistência a ambientes adversos: Excelente durabilidade em condições extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos.
Conversão de energia eficiente:A dopagem do tipo P facilita o manuseio eficiente de energia, tornando o wafer adequado para sistemas de conversão de energia.
Orientação plana primária: Garante alinhamento preciso durante a fabricação, melhorando a precisão e a consistência do dispositivo.
Estrutura fina (350 μm):A espessura ideal do wafer permite a integração em dispositivos eletrônicos avançados com espaço limitado.

No geral, o wafer de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, oferece uma série de vantagens que o tornam altamente adequado para aplicações industriais e eletrônicas. Sua alta condutividade térmica e tensão de ruptura permitem uma operação confiável em ambientes de alta temperatura e alta tensão, enquanto sua resistência a condições adversas garante durabilidade. A dopagem tipo P permite uma conversão de energia eficiente, tornando-o ideal para eletrônica de potência e sistemas de energia. Além disso, a orientação plana primária do wafer garante um alinhamento preciso durante o processo de fabricação, aumentando a consistência da produção. Com uma espessura de 350 μm, é ideal para integração em dispositivos compactos e avançados.