Substrato de safira padronizado (PSS) de 2, 4 e 6 polegadas pode ser gravado a seco por ICP para chips de LED.
Característica principal
1. Características do material: O material do substrato é um cristal único de safira (Al₂O₃), com alta dureza, alta resistência ao calor e estabilidade química.
2. Estrutura da superfície: A superfície é formada por fotolitografia e corrosão em micro e nanoestruturas periódicas, como cones, pirâmides ou matrizes hexagonais.
3. Desempenho óptico: Através do design de padronização da superfície, a reflexão total da luz na interface é reduzida e a eficiência de extração de luz é melhorada.
4. Desempenho térmico: O substrato de safira possui excelente condutividade térmica, sendo adequado para aplicações de LED de alta potência.
5. Especificações de tamanho: Os tamanhos comuns são 2 polegadas (50,8 mm), 4 polegadas (100 mm) e 6 polegadas (150 mm).
Principais áreas de aplicação
1. Fabricação de LEDs:
Eficiência de extração de luz aprimorada: o PSS reduz a perda de luz por meio de um design padronizado, melhorando significativamente o brilho e a eficiência luminosa dos LEDs.
Qualidade de crescimento epitaxial aprimorada: A estrutura padronizada proporciona uma melhor base de crescimento para as camadas epitaxiais de GaN e melhora o desempenho do LED.
2. Diodo laser (LD):
Lasers de alta potência: A alta condutividade térmica e a estabilidade do PSS são adequadas para diodos laser de alta potência, melhorando o desempenho de dissipação de calor e a confiabilidade.
Baixa corrente de limiar: Otimize o crescimento epitaxial, reduza a corrente de limiar do diodo laser e melhore a eficiência.
3. Fotodetector:
Alta sensibilidade: A alta transmissão de luz e a baixa densidade de defeitos do PSS melhoram a sensibilidade e a velocidade de resposta do fotodetector.
Ampla resposta espectral: adequada para detecção fotoelétrica na faixa do ultravioleta ao visível.
4. Eletrônica de potência:
Resistência a alta tensão: O alto isolamento e a estabilidade térmica da safira a tornam adequada para dispositivos de alta tensão.
Dissipação de calor eficiente: A alta condutividade térmica melhora o desempenho da dissipação de calor dos dispositivos de potência e prolonga sua vida útil.
5. Dispositivos de radiofrequência:
Desempenho em alta frequência: A baixa perda dielétrica e a alta estabilidade térmica do PSS são adequadas para dispositivos de radiofrequência de alta frequência.
Baixo ruído: Alta planicidade e baixa densidade de defeitos reduzem o ruído do dispositivo e melhoram a qualidade do sinal.
6. Biossensores:
Detecção de alta sensibilidade: A alta transmissão de luz e a estabilidade química do PSS são adequadas para biossensores de alta sensibilidade.
Biocompatibilidade: A biocompatibilidade da safira a torna adequada para aplicações médicas e de biodetecção.
Substrato de safira padronizado (PSS) com material epitaxial de GaN:
O substrato de safira padronizado (PSS) é um substrato ideal para o crescimento epitaxial de GaN (nitreto de gálio). A constante de rede da safira é próxima à do GaN, o que pode reduzir as incompatibilidades de rede e os defeitos no crescimento epitaxial. A microestrutura da superfície do PSS não só melhora a eficiência de extração de luz, como também a qualidade cristalina da camada epitaxial de GaN, melhorando assim o desempenho e a confiabilidade do LED.
Parâmetros técnicos
| Item | Substrato de safira padronizado (2 a 6 polegadas) | ||
| Diâmetro | 50,8 ± 0,1 mm | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
| Grossura | 430 ± 25 μm | 650 ± 25 μm | 1000 ± 25 μm |
| Orientação da superfície | Ângulo de inclinação do plano C (0001) em relação ao eixo M (10-10) 0,2 ± 0,1° | ||
| Plano C (0001) ângulo de desvio em relação ao eixo A (11-20) 0 ± 0,1° | |||
| Orientação plana primária | Plano A (11-20) ± 1,0° | ||
| Comprimento plano primário | 16,0 ± 1,0 mm | 30,0 ± 1,0 mm | 47,5 ± 2,0 mm |
| Plano R | 9 horas | ||
| Acabamento da superfície frontal | Estampado | ||
| Acabamento da superfície traseira | SSP: Retificado fino, Ra = 0,8-1,2 µm; DSP: Polido epi, Ra < 0,3 nm | ||
| Marcação a laser | Lado posterior | ||
| TTV | ≤8μm | ≤10 μm | ≤20μm |
| ARCO | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤25 μm |
| URDIDURA | ≤12 μm | ≤20μm | ≤30μm |
| Exclusão de borda | ≤2 mm | ||
| Especificação do padrão | Estrutura da forma | Cúpula, Cone, Pirâmide | |
| Altura do padrão | 1,6~1,8 μm | ||
| Diâmetro do padrão | 2,75~2,85 μm | ||
| Espaço de padrão | 0,1~0,3 μm | ||
A XKH é especializada no fornecimento de substratos de safira padronizados (PSS) personalizados de alta qualidade, com suporte técnico e serviço pós-venda, para ajudar os clientes a alcançar inovação eficiente na área de LED, displays e optoeletrônica.
1. Fornecimento de PSS de alta qualidade: Substratos de safira padronizados em diversos tamanhos (2", 4", 6") para atender às necessidades de LEDs, displays e dispositivos optoeletrônicos.
2. Design personalizado: Personalize a microestrutura/nanoestrutura da superfície (como cone, pirâmide ou matriz hexagonal) de acordo com as necessidades do cliente para otimizar a eficiência de extração de luz.
3. Suporte técnico: Fornecer projeto de aplicação PSS, otimização de processos e consultoria técnica para ajudar os clientes a melhorar o desempenho do produto.
4. Suporte para crescimento epitaxial: O PSS (Plataforma de Suporte de Crescimento) compatível com o material epitaxial de GaN é fornecido para garantir o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.
5. Testes e certificação: Fornecer relatório de inspeção de qualidade PSS para garantir que os produtos atendam aos padrões da indústria.
Diagrama detalhado
