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Wafer de substrato HPSI SiC de 6 polegadas Wafers SiC semi-insultuosos de carboneto de silício
Wafers SiC semi-insultuosos de 4 polegadas Substrato HPSI SiC Classe de produção principal
Wafer de substrato 4H-Semi SiC de 3 polegadas 76,2 mm Wafers SiC semi-insultuosos de carboneto de silício
Substratos SiC de 3 polegadas Dia76,2 mm HPSI Prime Research e grau fictício
classe de pesquisa do manequim da produção da bolacha da carcaça do SiC de 4H-semi HPSI 2inch
Wafers SiC de 2 polegadas 6H ou 4H Substratos SiC Semi-Isolantes Dia50,8mm
8 polegadas 200mm Substrato de safira wafer de safira espessura fina 1SP 2SP 0,5mm 0,75mm
Bolachas de safira de cristal único Al2O3 99,999% Dia200mm com espessura de 1,0 mm e 0,75 mm
Substrato de safira de eletrodo e substratos de LED de plano C de wafer
156mm 159mm Wafer de safira de 6 polegadas para transportadoraC-Plane DSP TTV
Dia101.6mm 4 polegadas M-plano Safira Substratos Wafer LED Substratos Espessura 500um
C/A/M eixo bolachas de safira de 4 polegadas único cristal Al2O3, substrato de safira de alta dureza SSP DSP
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