Produtos
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Haste e pino de elevação de safira industrial, pino de safira Al2O3 de alta dureza para manuseio de wafers, sistemas de radar e processamento de semicondutores – diâmetro de 1,6 mm a 2 mm
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Pino de elevação de safira personalizado, peças ópticas de cristal único de Al2O3 de alta dureza para transferência de wafers – Diâmetro de 1,6 mm e 1,8 mm, personalizável para aplicações industriais.
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Lente esférica de safira, material Al2O3 de grau óptico, faixa de transmissão de 0,15 a 5,5 µm, diâmetro de 1 mm e 1,5 mm.
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Esfera de safira com diâmetro de 1,0, 1,1 e 1,5 mm para lentes ópticas esféricas de alta dureza e cristal único.
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Diamante de safira colorido para relógio, diâmetro personalizável de 40 a 38 mm, espessura de 350 µm a 550 µm, alta transparência.
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Pastilha de InSb de 2 polegadas e 3 polegadas, não dopada, tipo N, tipo P, orientação 111 100, para detectores de infravermelho.
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Wafer de antimoneto de índio (InSb) tipo N, tipo P, pronto para epitaxia, não dopado, dopado com telúrio ou germânio, com espessuras de 2, 3 e 4 polegadas.
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Cassete de wafer único de 2 polegadas, caixa de wafer em PP ou PC. Utilizada em soluções de wafer tipo moeda. Disponível em 1 polegada, 3 polegadas, 4 polegadas, 5 polegadas, 6 polegadas e 12 polegadas.
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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas
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Método de safira KY e EFG Tubo hastes de safira tubulação alta pressão
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Lingote de safira de 3, 4 e 6 polegadas, monocristal, zircônia cúbica, método KY, personalizável.
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Substrato de wafer epitaxial de GaAs de alta potência, wafer de arseneto de gálio, laser de potência com comprimento de onda de 905 nm para tratamento médico a laser.