Produtos
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Wafer epitaxial de nitreto de gálio de 100 mm e 4 polegadas de GaN em camada epi de safira
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2 polegadas 50,8 mm Espessura 0,1 mm 0,2 mm 0,43 mm Wafer de safira Plano C Plano M Plano R Plano A
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Wafer epitaxial de nitreto de gálio de 150 mm, 200 mm, 6 polegadas e 8 polegadas de GaN sobre silício
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Substrato de suporte de wafer de safira de 8 polegadas e 200 mm SSP DSP Espessura 0,5 mm 0,75 mm
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Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H, substratos de SiC tipo N ou semi-isolantes
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Wafer de LNOI de filme de cristal único de niobato de lítio de 4 e 6 polegadas
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Wafer de substrato de SiC 4H-N de 4 polegadas, produção de carboneto de silício, grau de pesquisa
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Janelas de safira de alta precisão Dia50x5mmt Alta resistência à temperatura e alta dureza
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Wafers de carboneto de silício SiC de 6 polegadas e 150 mm, tipo 4H-N para pesquisa de produção MOS ou SBD e grau fictício
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Orifícios escalonados Dia25,4×2,0mmt Janelas de lentes ópticas de safira
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Caixa transportadora de wafer único de 2 polegadas e 50,8 mm de PC e PP
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Wafer de SiC 4H-N de 8 polegadas e 200 mm, condutor, para pesquisa