Produtos
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Substrato de carbeto de silício de 2 polegadas, 6H-N, polido em ambos os lados, diâmetro de 50,8 mm, grau de produção, grau de pesquisa
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Substrato de cobre, wafer de cobre cúbico monocristalino, orientação 100 110 111, pureza SSP DSP 99,99%.
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Substrato de cobre, wafer de cobre monocristalino 5x5x0,5/1mm, 10x10x0,5/1mm, 20x20x0,5/1mm
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Substrato de níquel (Ni) 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm
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Substrato/wafer de Ni com estrutura cúbica monocristalina, a=3,25A, densidade 8,91.
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Substrato de cristal único de magnésio, wafer de Mg com pureza de 99,99%, dimensões: 5x5x0,5/1mm, 10x10x0,5/1mm, 20x20x0,5/1mm
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Wafer de cristal único de magnésio (Mg) DSP SSP Orientação
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Substrato monocristalino de alumínio polido e processado em dimensões para fabricação de circuitos integrados.
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Substrato de alumínio. Substrato de alumínio monocristalino com orientação 111 100 111, dimensões de 5×5×0,5 mm.
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Wafer de vidro de quartzo JGS1 JGS2 BF33, 8 polegadas, 12 polegadas, 725 ± 25 µm ou personalizado.
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Tubo de safira, método CZ, método KY, alta resistência à temperatura, Al2O3, safira monocristalina 99,999%
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Substrato SiC tipo p 4H/6H-P 3C-N 4 polegadas 〈111〉± 0,5° Zero MPD