Substratos compósitos de SiC sobre Si semi-isolantes
| Unid | Especificação | Unid | Especificação |
| Diâmetro | 150±0,2 mm | Orientação | <111>/<100>/<110> e assim por diante |
| Polítipo | 4H | Tipo | P/N |
| Resistividade | ≥1E8ohm·cm | Planicidade | Plano/Entalhe |
| Espessura da camada de transferência | ≥0,1μm | Lascas, arranhões e rachaduras nas bordas (inspeção visual) | Nenhum |
| Vazio | ≤5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | TTV | ≤5μm |
| Rugosidade frontal | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | Grossura | 500/625/675±25μm |
Essa combinação oferece uma série de vantagens na fabricação de eletrônicos:
Compatibilidade: O uso de um substrato de silício o torna compatível com técnicas de processamento padrão baseadas em silício e permite a integração com processos de fabricação de semicondutores existentes.
Desempenho em altas temperaturas: o SiC tem excelente condutividade térmica e pode operar em altas temperaturas, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alta potência e alta frequência.
Alta tensão de ruptura: materiais de SiC têm alta tensão de ruptura e podem suportar altos campos elétricos sem ruptura elétrica.
Perda de energia reduzida: substratos de SiC permitem conversão de energia mais eficiente e menor perda de energia em dispositivos eletrônicos em comparação aos materiais tradicionais à base de silício.
Ampla largura de banda: o SiC tem uma ampla largura de banda, permitindo o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos que podem operar em temperaturas mais altas e densidades de potência mais altas.
Portanto, o SiC semi-isolante sobre substratos compostos de Si combina a compatibilidade do silício com as propriedades elétricas e térmicas superiores do SiC, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alto desempenho.
Embalagem e entrega
1. Utilizaremos plástico protetor e caixas personalizadas para embalar. (Material ecológico)
2. Podemos fazer embalagens personalizadas de acordo com a quantidade.
3. A DHL/Fedex/UPS Express geralmente leva de 3 a 7 dias úteis até o destino.
Diagrama Detalhado
