SiC semi-isolante em substratos compostos de Si
Unid | Especificação | Unid | Especificação |
Diâmetro | 150±0,2 mm | Orientação | <111>/<100>/<110> e assim por diante |
Politipo | 4H | Tipo | P/N |
Resistividade | ≥1E8ohm·cm | Planicidade | Plano/entalhe |
Espessura da camada de transferência | ≥0,1μm | Chip de borda, arranhão, rachadura (inspeção visual) | Nenhum |
Vazio | ≤5ea/bolacha (2mm>D>0,5mm) | TTV | ≤5μm |
Rugosidade frontal | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | Grossura | 500/625/675±25μm |
Esta combinação oferece uma série de vantagens na fabricação de eletrônicos:
Compatibilidade: O uso de um substrato de silício o torna compatível com técnicas padrão de processamento baseadas em silício e permite a integração com processos de fabricação de semicondutores existentes.
Desempenho em altas temperaturas: o SiC possui excelente condutividade térmica e pode operar em altas temperaturas, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alta potência e alta frequência.
Alta Tensão de Ruptura: Os materiais de SiC têm uma alta tensão de ruptura e podem suportar altos campos elétricos sem ruptura elétrica.
Perda de energia reduzida: Os substratos de SiC permitem uma conversão de energia mais eficiente e menor perda de energia em dispositivos eletrônicos em comparação com materiais tradicionais à base de silício.
Ampla largura de banda: O SiC possui uma ampla largura de banda, permitindo o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos que podem operar em temperaturas mais altas e densidades de potência mais altas.
Portanto, o SiC semi-isolante em substratos compostos de Si combina a compatibilidade do silício com as propriedades elétricas e térmicas superiores do SiC, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas de alto desempenho.
Embalagem e Entrega
1. Usaremos plástico protetor e caixa personalizada para embalar. (Material amigo do ambiente)
2. Poderíamos fazer embalagem personalizada de acordo com a quantidade.
3. DHL/Fedex/UPS Express geralmente leva cerca de 3-7 dias úteis para o destino.