O processo realizado pelo equipamento de remoção a laser de semicondutores começa com a irradiação do lingote doador por um lado, utilizando um feixe de laser ultravioleta de alta energia. Este feixe é focalizado com precisão em uma profundidade interna específica, tipicamente ao longo de uma interface projetada, onde a absorção de energia é maximizada devido ao contraste óptico, térmico ou químico.

Nessa camada de absorção de energia, o aquecimento localizado leva a uma microexplosão rápida, expansão de gás ou decomposição de uma camada interfacial (por exemplo, um filme tensor ou óxido sacrificial). Essa ruptura precisamente controlada faz com que a camada cristalina superior — com uma espessura de dezenas de micrômetros — se desprenda do lingote base de forma limpa.

O equipamento de descolamento a laser para semicondutores utiliza cabeçotes de varredura sincronizados com o movimento, controle programável do eixo Z e refletometria em tempo real para garantir que cada pulso forneça energia exatamente no plano alvo. O equipamento também pode ser configurado com modos de disparo contínuo ou multipulso para melhorar a suavidade do descolamento e minimizar a tensão residual. É importante ressaltar que, como o feixe de laser nunca entra em contato físico com o material, o risco de microfissuras, empenamento ou lascamento da superfície é drasticamente reduzido.

Isso torna o método de adelgaçamento por remoção a laser um divisor de águas, particularmente em aplicações onde são necessários wafers ultrafinos e ultraplanos com TTV (Variação Total da Espessura) submicrométrica.