O processo realizado pelo Equipamento de Elevação a Laser Semicondutor começa com a irradiação do lingote doador de um lado usando um feixe de laser ultravioleta de alta energia. Esse feixe é focado firmemente em uma profundidade interna específica, normalmente ao longo de uma interface projetada, onde a absorção de energia é maximizada devido ao contraste óptico, térmico ou químico.

Nessa camada de absorção de energia, o aquecimento localizado leva a uma rápida microexplosão, expansão de gás ou decomposição de uma camada interfacial (por exemplo, uma película estressora ou óxido de sacrifício). Essa ruptura precisamente controlada faz com que a camada cristalina superior — com uma espessura de dezenas de micrômetros — se desprenda do lingote base de forma limpa.

O Equipamento de Elevação a Laser Semicondutor utiliza cabeças de varredura sincronizadas por movimento, controle programável do eixo z e reflectometria em tempo real para garantir que cada pulso forneça energia exatamente no plano alvo. O equipamento também pode ser configurado com recursos de modo burst ou multipulso para melhorar a suavidade do desprendimento e minimizar a tensão residual. Importante ressaltar que, como o feixe de laser nunca entra em contato físico com o material, o risco de microfissuras, arqueamentos ou lascas na superfície é drasticamente reduzido.

Isso torna o método de desbaste por decolagem a laser um divisor de águas, principalmente em aplicações onde são necessários wafers ultrafinos e ultraplanos com TTV (Variação Total da Espessura) submicrônicos.