Placa/bandeja de cerâmica SiC para suporte de wafer de 4 e 6 polegadas para ICP

Descrição curta:

A placa cerâmica de SiC é um componente de alto desempenho projetado a partir de carboneto de silício de alta pureza, projetado para uso em ambientes térmicos, químicos e mecânicos extremos. Reconhecida por sua dureza, condutividade térmica e resistência à corrosão excepcionais, a placa de SiC é amplamente utilizada como portadora de wafer, susceptora ou componente estrutural nas indústrias de semicondutores, LED, fotovoltaica e aeroespacial.

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Características

Placa cerâmica de SiC Resumo

Com excelente estabilidade térmica de até 1600 °C e excelente resistência a gases reativos e ambientes de plasma, a placa de SiC garante desempenho consistente durante processos de corrosão, deposição e difusão em altas temperaturas. Sua microestrutura densa e não porosa minimiza a geração de partículas, tornando-a ideal para aplicações ultralimpas em ambientes de vácuo ou salas limpas.

Aplicação de placa cerâmica de SiC

1. Fabricação de semicondutores

Placas cerâmicas de SiC são comumente utilizadas como suportes de wafers, susceptores e placas de pedestal em equipamentos de fabricação de semicondutores, como CVD (Deposição Química de Vapor), PVD (Deposição Física de Vapor) e sistemas de corrosão. Sua excelente condutividade térmica e baixa expansão térmica permitem manter uma distribuição uniforme de temperatura, o que é crucial para o processamento de wafers de alta precisão. A resistência do SiC a gases corrosivos e plasmas garante durabilidade em ambientes agressivos, ajudando a reduzir a contaminação por partículas e a manutenção do equipamento.

2. Indústria de LED – Gravação ICP

No setor de fabricação de LED, as placas de SiC são componentes essenciais em sistemas de gravação ICP (Plasma Indutivamente Acoplado). Atuando como suportes para wafers, elas fornecem uma plataforma estável e termicamente robusta para suportar wafers de safira ou GaN durante o processamento de plasma. Sua excelente resistência ao plasma, planicidade da superfície e estabilidade dimensional ajudam a garantir alta precisão e uniformidade na gravação, resultando em maior rendimento e desempenho do dispositivo em chips de LED.

3. Energia Fotovoltaica (FV) e Energia Solar

Placas cerâmicas de SiC também são utilizadas na produção de células solares, particularmente durante as etapas de sinterização e recozimento em altas temperaturas. Sua inércia em temperaturas elevadas e sua capacidade de resistir à deformação garantem o processamento consistente de wafers de silício. Além disso, seu baixo risco de contaminação é vital para manter a eficiência das células fotovoltaicas.

Propriedades da placa cerâmica de SiC

1. Resistência mecânica e dureza excepcionais

As placas cerâmicas de SiC apresentam altíssima resistência mecânica, com resistência à flexão típica superior a 400 MPa e dureza Vickers superior a 2000 HV. Isso as torna altamente resistentes ao desgaste mecânico, à abrasão e à deformação, garantindo longa vida útil mesmo sob altas cargas ou ciclos térmicos repetidos.

2. Alta condutividade térmica

O SiC possui excelente condutividade térmica (tipicamente 120–200 W/m·K), permitindo a distribuição uniforme do calor por sua superfície. Essa propriedade é crucial em processos como corrosão, deposição ou sinterização de wafers, onde a uniformidade da temperatura afeta diretamente o rendimento e a qualidade do produto.

3. Estabilidade térmica superior

Com alto ponto de fusão (2700 °C) e baixo coeficiente de expansão térmica (4,0 × 10⁻⁶/K), as placas cerâmicas de SiC mantêm a precisão dimensional e a integridade estrutural sob ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento. Isso as torna ideais para aplicações em fornos de alta temperatura, câmaras de vácuo e ambientes de plasma.

Propriedades técnicas
Índice	Unidade	Valor
Nome do material		Carboneto de silício sinterizado por reação	Carboneto de silício sinterizado sem pressão	Carboneto de silício recristalizado
Composição		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densidade aparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Resistência à flexão	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Resistência à compressão	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureza	Knoop	2700	2800	/
Quebrando a Tenacidade	MPa m1/2	4.5	4	/
Condutividade térmica	Com mk	95	120	23
Coeficiente de Expansão Térmica	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Calor específico	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Temperatura máxima no ar	°C	1200	1500	1600
Módulo de elasticidade	GPA	360	410	240

Perguntas e respostas sobre placas de cerâmica de SiC

P：Quais são as propriedades da placa de carboneto de silício?

UM: Placas de carboneto de silício (SiC) são conhecidas por sua alta resistência, dureza e estabilidade térmica. Elas oferecem excelente condutividade térmica e baixa expansão térmica, garantindo desempenho confiável em temperaturas extremas. O SiC também é quimicamente inerte, resistente a ácidos, álcalis e ambientes de plasma, tornando-o ideal para processamento de semicondutores e LEDs. Sua superfície densa e lisa minimiza a geração de partículas, mantendo a compatibilidade com salas limpas. Placas de SiC são amplamente utilizadas como portadores de wafers, susceptores e componentes de suporte em ambientes corrosivos e de alta temperatura nas indústrias de semicondutores, fotovoltaica e aeroespacial.