Lingote de SiC tipo 4H-N, grau fictício, 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, espessura: >10mm

Descrição resumida:

O lingote de SiC tipo 4H-N (grau fictício) é um material de alta qualidade utilizado no desenvolvimento e teste de dispositivos semicondutores avançados. Com suas robustas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas, é ideal para aplicações de alta potência e alta temperatura. Este material é altamente adequado para pesquisa e desenvolvimento em eletrônica de potência, sistemas automotivos e equipamentos industriais. Disponível em diversos tamanhos, incluindo diâmetros de 2, 3, 4 e 6 polegadas, este lingote foi projetado para atender às rigorosas exigências da indústria de semicondutores, oferecendo excelente desempenho e confiabilidade.

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Características

Aplicativo

Eletrônica de potência:Utilizado na produção de transistores de potência, diodos e retificadores de alta eficiência para aplicações industriais e automotivas.

Veículos Elétricos (VE):Utilizado na fabricação de módulos de potência para sistemas de acionamento elétrico, inversores e carregadores.

Sistemas de energia renovável:Essencial para o desenvolvimento de dispositivos eficientes de conversão de energia para sistemas solares, eólicos e de armazenamento de energia.

Aeroespacial e Defesa:Aplicado em componentes de alta frequência e alta potência, incluindo sistemas de radar e comunicações via satélite.

Sistemas de controle industrial:Suporta sensores avançados e dispositivos de controle em ambientes exigentes.

Propriedades

condutividade.
Opções de diâmetro: 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas.
Espessura: >10mm, garantindo material suficiente para o corte e processamento de wafers.
Tipo: Grau fictício, usado principalmente para testes e desenvolvimento que não envolvem dispositivos.
Tipo de portador: Tipo N, otimizando o material para dispositivos de potência de alto desempenho.
Condutividade térmica: Excelente, ideal para dissipação de calor eficiente em eletrônica de potência.
Resistividade: Baixa resistividade, aumentando a condutividade e a eficiência dos dispositivos.
Resistência mecânica: Alta, garantindo durabilidade e estabilidade sob tensão e alta temperatura.
Propriedades ópticas: Transparente na faixa do ultravioleta-visível, o que o torna adequado para aplicações em sensores ópticos.
Densidade de defeitos: Baixa, contribuindo para a alta qualidade dos dispositivos fabricados.
Especificação do lingote de SiC
Grau: Produção;
Tamanho: 6 polegadas;
Diâmetro: 150,25 mm + 0,25:
Espessura: >10mm;
Orientação da superfície: 4° em direção a <11-20> + 0,2°:
Orientação plana primária: <1-100>+5°:
Comprimento plano primário: 47,5 mm + 1,5;
Resistividade: 0,015-0,02852:
Microtubo: <0,5;
BPD: <2000;
TSD: <500;
Áreas de politipagem: Nenhuma;
Recuos de borda: largura e profundidade <3,:lmm;
Edge Qracks: 3,
Embalagem: Caixa de wafer;
Para encomendas em grande quantidade ou personalizações específicas, os preços podem variar. Entre em contato com nosso departamento de vendas para obter um orçamento personalizado com base em suas necessidades e quantidades.