Lingote de SiC 4H-N tipo grau fictício 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas espessura:＞10mm

Lingote de SiC tipo 4H-N grau fictício 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas espessura:＞10 mm Imagem em destaque

Descrição curta:

O lingote de SiC tipo 4H-N (grau fictício) é um material premium utilizado no desenvolvimento e teste de dispositivos semicondutores avançados. Com suas robustas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas, é ideal para aplicações de alta potência e alta temperatura. Este material é altamente adequado para pesquisa e desenvolvimento em eletrônica de potência, sistemas automotivos e equipamentos industriais. Disponível em diversos tamanhos, incluindo diâmetros de 2, 3, 4 e 6 polegadas, este lingote foi projetado para atender às rigorosas demandas da indústria de semicondutores, oferecendo excelente desempenho e confiabilidade.

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Detalhes do produto

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Aplicativo

Eletrônica de Potência:Usado na produção de transistores de potência, diodos e retificadores de alta eficiência para aplicações industriais e automotivas.

Veículos elétricos (VE):Utilizado na fabricação de módulos de potência para sistemas de acionamento elétrico, inversores e carregadores.

Sistemas de Energia Renovável:Essencial para o desenvolvimento de dispositivos eficientes de conversão de energia para sistemas solares, eólicos e de armazenamento de energia.

Aeroespacial e Defesa:Aplicado em componentes de alta frequência e alta potência, incluindo sistemas de radar e comunicações via satélite.

Sistemas de Controle Industrial:Suporta sensores avançados e dispositivos de controle em ambientes exigentes.

Propriedades

condutividade.
Opções de diâmetro: 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas.
Espessura: >10 mm, garantindo material substancial para fatiamento e processamento de wafers.
Tipo: Grau fictício, usado principalmente para testes e desenvolvimento sem dispositivos.
Tipo de portadora: tipo N, otimizando o material para dispositivos de alta potência.
Condutividade térmica: Excelente, ideal para dissipação de calor eficiente em eletrônica de potência.
Resistividade: Baixa resistividade, melhorando a condutividade e a eficiência dos dispositivos.
Resistência mecânica: Alta, garantindo durabilidade e estabilidade sob estresse e alta temperatura.
Propriedades ópticas: Transparente na faixa UV-visível, tornando-o adequado para aplicações de sensores ópticos.
Densidade de defeitos: baixa, contribuindo para a alta qualidade dos dispositivos fabricados.
Especificação de lingote de SiC
Nota: Produção;
Tamanho: 6 polegadas;
Diâmetro: 150,25 mm +0,25:
Espessura: >10mm;
Orientação da superfície: 4° em direção a <11-20> +0,2°:
Orientação plana primária: <1-100>+5°:
Comprimento plano primário: 47,5 mm + 1,5;
Resistividade: 0,015-0,02852:
Microtubo: <0,5;
DBP: <2000;
TSD: <500;
Áreas de politipo: Nenhuma;
Recuos Fdge: < 3, largura e profundidade de 1 mm;
Edge Qracks: 3,
Embalagem: Caixa de wafer;
Para pedidos em grandes quantidades ou personalizações específicas, os preços podem variar. Entre em contato com nosso departamento de vendas para obter um orçamento personalizado de acordo com suas necessidades e quantidades.