Tipo sic pesquisa do lingote 4H do diâmetro 4inch 6inch espessura 5-10mm/categoria do manequim
Propriedades
1. Estrutura Cristalina e Orientação
Politipo: 4H (estrutura hexagonal)
Constantes de rede:
uma = 3,073Å
c = 10,053Å
Orientação: Normalmente [0001] (plano C), mas outras orientações como [11\overline{2}0] (plano A) também estão disponíveis mediante solicitação.
2. Dimensões Físicas
Diâmetro:
Opções padrão: 4 polegadas (100 mm) e 6 polegadas (150 mm)
Grossura:
Disponível na faixa de 5 a 10 mm, personalizável dependendo dos requisitos da aplicação.
3. Propriedades Elétricas
Tipo de dopagem: Disponível em intrínseco (semi-isolante), tipo n (dopado com nitrogênio) ou tipo p (dopado com alumínio ou boro).
4. Propriedades Térmicas e Mecânicas
Condutividade Térmica: 3,5-4,9 W/cm·K à temperatura ambiente, permitindo excelente dissipação de calor.
Dureza: Escala de Mohs 9, fazendo com que o SiC fique atrás apenas do diamante em dureza.
Parâmetro | Detalhes | Unidade |
Método de crescimento | PVT (Transporte Físico de Vapor) | |
Diâmetro | 50,8±0,5/76,2±0,5/100,0±0,5/150±0,5 | mm |
Politipo | 4H/6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm) | |
Orientação de superfície | 0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (outros) | grau |
Tipo | Tipo N | |
Grossura | 5-10 / 10-15 / >15 | mm |
Orientação Plana Primária | (10-10) ± 5,0˚ | grau |
Comprimento plano primário | 15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm) | mm |
Orientação Plana Secundária | 90˚ CCW da orientação ± 5,0˚ | grau |
Comprimento plano secundário | 8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Nenhum (150 mm) | mm |
Nota | Pesquisa / Boneco |
Aplicativos
1. Pesquisa e Desenvolvimento
O lingote 4H-SiC de nível de pesquisa é ideal para laboratórios acadêmicos e industriais focados no desenvolvimento de dispositivos baseados em SiC. Sua qualidade cristalina superior permite experimentação precisa das propriedades do SiC, como:
Estudos de mobilidade de transportadoras.
Caracterização de defeitos e técnicas de minimização.
Otimização dos processos de crescimento epitaxial.
2. Substrato fictício
O lingote de qualidade simulada é amplamente utilizado em aplicações de teste, calibração e prototipagem. É uma alternativa econômica para:
Calibração de parâmetros de processo em Deposição Química de Vapor (CVD) ou Deposição Física de Vapor (PVD).
Avaliação de processos de gravação e polimento em ambientes de fabricação.
3. Eletrônica de Potência
Devido ao seu amplo bandgap e alta condutividade térmica, o 4H-SiC é uma pedra angular para a eletrônica de potência, como:
MOSFETs de alta tensão.
Diodos de barreira Schottky (SBDs).
Transistores de efeito de campo de junção (JFETs).
As aplicações incluem inversores de veículos elétricos, inversores solares e redes inteligentes.
4. Dispositivos de alta frequência
A alta mobilidade eletrônica do material e as baixas perdas de capacitância o tornam adequado para:
Transistores de radiofrequência (RF).
Sistemas de comunicação sem fio, incluindo infraestrutura 5G.
Aplicações aeroespaciais e de defesa que requerem sistemas de radar.
5. Sistemas resistentes à radiação
A resistência inerente do 4H-SiC aos danos da radiação o torna indispensável em ambientes agressivos, como:
Hardware de exploração espacial.
Equipamento de monitoramento de usina nuclear.
Eletrônica de nível militar.
6. Tecnologias emergentes
À medida que a tecnologia SiC avança, as suas aplicações continuam a crescer em campos como:
Pesquisa em fotônica e computação quântica.
Desenvolvimento de LEDs de alta potência e sensores UV.
Integração em heteroestruturas semicondutoras de banda larga.
Vantagens do lingote 4H-SiC
Alta Pureza: Fabricado sob condições rigorosas para minimizar impurezas e densidade de defeitos.
Escalabilidade: Disponível em diâmetros de 4 e 6 polegadas para atender às necessidades padrão da indústria e em escala de pesquisa.
Versatilidade: Adaptável a vários tipos e orientações de dopagem para atender a requisitos específicos de aplicação.
Desempenho Robusto: Estabilidade térmica e mecânica superior sob condições operacionais extremas.
Conclusão
O lingote 4H-SiC, com suas propriedades excepcionais e amplas aplicações, está na vanguarda da inovação de materiais para eletrônica e optoeletrônica de próxima geração. Quer sejam usados para pesquisa acadêmica, prototipagem industrial ou fabricação de dispositivos avançados, esses lingotes fornecem uma plataforma confiável para ultrapassar os limites da tecnologia. Com dimensões, dopagem e orientações personalizáveis, o lingote 4H-SiC é adaptado para atender às crescentes demandas da indústria de semicondutores.
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