Tipo sic pesquisa do lingote 4H do diâmetro 4inch 6inch espessura 5-10mm/categoria do manequim

Breve descrição:

O carboneto de silício (SiC) emergiu como um material chave em aplicações eletrônicas e optoeletrônicas avançadas devido às suas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas superiores. O lingote 4H-SiC, disponível em diâmetros de 4 e 6 polegadas com espessura de 5 a 10 mm, é um produto fundamental para fins de pesquisa e desenvolvimento ou como material de qualidade simulada. Este lingote foi projetado para fornecer aos pesquisadores e fabricantes substratos de SiC de alta qualidade, adequados para a fabricação de protótipos de dispositivos, estudos experimentais ou procedimentos de calibração e teste. Com sua estrutura cristalina hexagonal exclusiva, o lingote 4H-SiC oferece ampla aplicabilidade em eletrônica de potência, dispositivos de alta frequência e sistemas resistentes à radiação.


Detalhes do produto

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Propriedades

1. Estrutura Cristalina e Orientação
Politipo: 4H (estrutura hexagonal)
Constantes de rede:
uma = 3,073Å
c = 10,053Å
Orientação: Normalmente [0001] (plano C), mas outras orientações como [11\overline{2}0] (plano A) também estão disponíveis mediante solicitação.

2. Dimensões Físicas
Diâmetro:
Opções padrão: 4 polegadas (100 mm) e 6 polegadas (150 mm)
Grossura:
Disponível na faixa de 5 a 10 mm, personalizável dependendo dos requisitos da aplicação.

3. Propriedades Elétricas
Tipo de dopagem: Disponível em intrínseco (semi-isolante), tipo n (dopado com nitrogênio) ou tipo p (dopado com alumínio ou boro).

4. Propriedades Térmicas e Mecânicas
Condutividade Térmica: 3,5-4,9 W/cm·K à temperatura ambiente, permitindo excelente dissipação de calor.
Dureza: Escala de Mohs 9, fazendo com que o SiC fique atrás apenas do diamante em dureza.

Parâmetro

Detalhes

Unidade

Método de crescimento PVT (Transporte Físico de Vapor)  
Diâmetro 50,8±0,5/76,2±0,5/100,0±0,5/150±0,5 mm
Politipo 4H/6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)  
Orientação de superfície 0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (outros) grau
Tipo Tipo N  
Grossura 5-10 / 10-15 / >15 mm
Orientação Plana Primária (10-10) ± 5,0˚ grau
Comprimento plano primário 15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm) mm
Orientação Plana Secundária 90˚ CCW da orientação ± 5,0˚ grau
Comprimento plano secundário 8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Nenhum (150 mm) mm
Nota Pesquisa / Boneco  

Aplicativos

1. Pesquisa e Desenvolvimento

O lingote 4H-SiC de nível de pesquisa é ideal para laboratórios acadêmicos e industriais focados no desenvolvimento de dispositivos baseados em SiC. Sua qualidade cristalina superior permite experimentação precisa das propriedades do SiC, como:
Estudos de mobilidade de transportadoras.
Caracterização de defeitos e técnicas de minimização.
Otimização dos processos de crescimento epitaxial.

2. Substrato fictício
O lingote de qualidade simulada é amplamente utilizado em aplicações de teste, calibração e prototipagem. É uma alternativa econômica para:
Calibração de parâmetros de processo em Deposição Química de Vapor (CVD) ou Deposição Física de Vapor (PVD).
Avaliação de processos de gravação e polimento em ambientes de fabricação.

3. Eletrônica de Potência
Devido ao seu amplo bandgap e alta condutividade térmica, o 4H-SiC é uma pedra angular para a eletrônica de potência, como:
MOSFETs de alta tensão.
Diodos de barreira Schottky (SBDs).
Transistores de efeito de campo de junção (JFETs).
As aplicações incluem inversores de veículos elétricos, inversores solares e redes inteligentes.

4. Dispositivos de alta frequência
A alta mobilidade eletrônica do material e as baixas perdas de capacitância o tornam adequado para:
Transistores de radiofrequência (RF).
Sistemas de comunicação sem fio, incluindo infraestrutura 5G.
Aplicações aeroespaciais e de defesa que requerem sistemas de radar.

5. Sistemas resistentes à radiação
A resistência inerente do 4H-SiC aos danos da radiação o torna indispensável em ambientes agressivos, como:
Hardware de exploração espacial.
Equipamento de monitoramento de usina nuclear.
Eletrônica de nível militar.

6. Tecnologias emergentes
À medida que a tecnologia SiC avança, as suas aplicações continuam a crescer em campos como:
Pesquisa em fotônica e computação quântica.
Desenvolvimento de LEDs de alta potência e sensores UV.
Integração em heteroestruturas semicondutoras de banda larga.
Vantagens do lingote 4H-SiC
Alta Pureza: Fabricado sob condições rigorosas para minimizar impurezas e densidade de defeitos.
Escalabilidade: Disponível em diâmetros de 4 e 6 polegadas para atender às necessidades padrão da indústria e em escala de pesquisa.
Versatilidade: Adaptável a vários tipos e orientações de dopagem para atender a requisitos específicos de aplicação.
Desempenho Robusto: Estabilidade térmica e mecânica superior sob condições operacionais extremas.

Conclusão

O lingote 4H-SiC, com suas propriedades excepcionais e amplas aplicações, está na vanguarda da inovação de materiais para eletrônica e optoeletrônica de próxima geração. Quer sejam usados ​​para pesquisa acadêmica, prototipagem industrial ou fabricação de dispositivos avançados, esses lingotes fornecem uma plataforma confiável para ultrapassar os limites da tecnologia. Com dimensões, dopagem e orientações personalizáveis, o lingote 4H-SiC é adaptado para atender às crescentes demandas da indústria de semicondutores.
Se você estiver interessado em saber mais ou fazer um pedido, sinta-se à vontade para entrar em contato para obter especificações detalhadas e consulta técnica.

Diagrama Detalhado

Lingote de SiC11
Lingote de SiC15
Lingote de SiC12
Lingote de SiC14

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