Lingote de SiC tipo 4H Diâmetro 4 polegadas 6 polegadas Espessura 5-10 mm Pesquisa / Grau fictício

Descrição curta:

O Carbeto de Silício (SiC) emergiu como um material essencial em aplicações eletrônicas e optoeletrônicas avançadas devido às suas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas superiores. O lingote de 4H-SiC, disponível em diâmetros de 4 e 6 polegadas e espessura de 5 a 10 mm, é um produto fundamental para fins de pesquisa e desenvolvimento ou como material de nível fictício. Este lingote foi projetado para fornecer a pesquisadores e fabricantes substratos de SiC de alta qualidade, adequados para a fabricação de protótipos de dispositivos, estudos experimentais ou procedimentos de calibração e teste. Com sua estrutura cristalina hexagonal exclusiva, o lingote de 4H-SiC oferece ampla aplicabilidade em eletrônica de potência, dispositivos de alta frequência e sistemas resistentes à radiação.

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Características

Propriedades

1. Estrutura e orientação cristalina
Politipo: 4H (estrutura hexagonal)
Constantes de rede:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientação: Normalmente [0001] (plano C), mas outras orientações como [11\overline{2}0] (plano A) também estão disponíveis mediante solicitação.

2. Dimensões físicas
Diâmetro:
Opções padrão: 4 polegadas (100 mm) e 6 polegadas (150 mm)
Grossura:
Disponível na faixa de 5-10 mm, personalizável dependendo dos requisitos da aplicação.

3. Propriedades elétricas
Tipo de dopagem: disponível em intrínseco (semi-isolante), tipo n (dopado com nitrogênio) ou tipo p (dopado com alumínio ou boro).

4. Propriedades Térmicas e Mecânicas
Condutividade térmica: 3,5-4,9 W/cm·K à temperatura ambiente, permitindo excelente dissipação de calor.
Dureza: Escala de Mohs 9, o que torna o SiC o segundo em dureza, perdendo apenas para o diamante.

Parâmetro	Detalhes	Unidade
Método de crescimento	PVT (Transporte Físico de Vapor)
Diâmetro	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polítipo	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Orientação da superfície	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (outros)	grau
Tipo	Tipo N
Grossura	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientação plana primária	(10-10) ± 5,0˚	grau
Comprimento plano primário	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Orientação plana secundária	90˚ CCW da orientação ± 5,0˚	grau
Comprimento plano secundário	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Nenhum (150 mm)	mm
Nota	Pesquisa / Manequim

Aplicações

1. Pesquisa e Desenvolvimento

O lingote de 4H-SiC de grau de pesquisa é ideal para laboratórios acadêmicos e industriais focados no desenvolvimento de dispositivos à base de SiC. Sua qualidade cristalina superior permite experimentação precisa das propriedades do SiC, como:
Estudos de mobilidade de portadores.
Técnicas de caracterização e minimização de defeitos.
Otimização de processos de crescimento epitaxial.

2. Substrato fictício
O lingote de grau fictício é amplamente utilizado em aplicações de teste, calibração e prototipagem. É uma alternativa econômica para:
Calibração de parâmetros de processo em Deposição Química de Vapor (CVD) ou Deposição Física de Vapor (PVD).
Avaliação de processos de gravação e polimento em ambientes de fabricação.

3. Eletrônica de Potência
Devido à sua ampla banda proibida e alta condutividade térmica, o 4H-SiC é uma pedra angular para a eletrônica de potência, como:
MOSFETs de alta tensão.
Diodos de barreira Schottky (SBDs).
Transistores de efeito de campo de junção (JFETs).
As aplicações incluem inversores de veículos elétricos, inversores solares e redes inteligentes.

4. Dispositivos de alta frequência
A alta mobilidade eletrônica e as baixas perdas de capacitância do material o tornam adequado para:
Transistores de radiofrequência (RF).
Sistemas de comunicação sem fio, incluindo infraestrutura 5G.
Aplicações aeroespaciais e de defesa que exigem sistemas de radar.

5. Sistemas resistentes à radiação
A resistência inerente do 4H-SiC aos danos causados pela radiação o torna indispensável em ambientes agressivos como:
Hardware para exploração espacial.
Equipamentos de monitoramento de usinas nucleares.
Eletrônicos de nível militar.

6. Tecnologias emergentes
À medida que a tecnologia SiC avança, suas aplicações continuam a crescer em campos como:
Pesquisa em fotônica e computação quântica.
Desenvolvimento de LEDs de alta potência e sensores UV.
Integração em heteroestruturas semicondutoras de banda larga.
Vantagens do lingote 4H-SiC
Alta pureza: fabricado sob condições rigorosas para minimizar impurezas e densidade de defeitos.
Escalabilidade: disponível em diâmetros de 4 e 6 polegadas para atender às necessidades padrão da indústria e em escala de pesquisa.
Versatilidade: Adaptável a vários tipos e orientações de dopagem para atender a requisitos específicos de aplicação.
Desempenho robusto: estabilidade térmica e mecânica superior sob condições operacionais extremas.

Conclusão

O lingote de 4H-SiC, com suas propriedades excepcionais e ampla gama de aplicações, está na vanguarda da inovação em materiais para a eletrônica e optoeletrônica de última geração. Sejam utilizados em pesquisa acadêmica, prototipagem industrial ou fabricação de dispositivos avançados, esses lingotes fornecem uma plataforma confiável para expandir os limites da tecnologia. Com dimensões, dopagem e orientações personalizáveis, o lingote de 4H-SiC é personalizado para atender às crescentes demandas da indústria de semicondutores.
Se você estiver interessado em saber mais ou fazer um pedido, sinta-se à vontade para entrar em contato para obter especificações detalhadas e consultoria técnica.