Forno de crescimento de cristal de SiC, lingote de SiC em crescimento de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, método de crescimento PTV Lely TSSG LPE

Forno de crescimento de cristais de SiC, lingote de SiC em crescimento de 4, 6 e 8 polegadas, método de crescimento PTV Lely TSSG LPE. Imagem em destaque.

Descrição resumida:

O crescimento de cristais de carbeto de silício (SiC) é uma etapa fundamental na preparação de materiais semicondutores de alto desempenho. Devido ao alto ponto de fusão do SiC (cerca de 2700 °C) e à complexa estrutura politípica (por exemplo, 4H-SiC, 6H-SiC), a tecnologia de crescimento de cristais apresenta um alto grau de dificuldade. Atualmente, os principais métodos de crescimento incluem o método de transferência física de vapor (PTV), o método de Lely, o método de crescimento por solução com semente superior (TSSG) e o método de epitaxia em fase líquida (LPE). Cada método possui suas próprias vantagens e desvantagens e é adequado para diferentes requisitos de aplicação.

Envie-nos um e-mail

Características

Principais métodos de crescimento de cristais e suas características

(1) Método de Transferência Física de Vapor (PTV)
Princípio: Em altas temperaturas, a matéria-prima SiC sublima para uma fase gasosa, que posteriormente é recristalizada no cristal semente.
Principais características:
Alta temperatura de crescimento (2000-2500°C).
É possível cultivar cristais de 4H-SiC e 6H-SiC de alta qualidade e grande tamanho.
A taxa de crescimento é lenta, mas a qualidade do cristal é alta.
Aplicação: Utilizado principalmente em semicondutores de potência, dispositivos de radiofrequência e outros campos de alta tecnologia.

(2) Método de Lely
Princípio: Os cristais são cultivados por sublimação espontânea e recristalização de pós de SiC em altas temperaturas.
Principais características:
O processo de crescimento não requer sementes e o tamanho dos cristais é pequeno.
A qualidade dos cristais é alta, mas a eficiência de crescimento é baixa.
Adequado para pesquisa laboratorial e produção em pequenos lotes.
Aplicação: Utilizado principalmente em pesquisa científica e na preparação de cristais de SiC de tamanho reduzido.

(3) Método de crescimento da solução Top Seed (TSSG)
Princípio: Em uma solução de alta temperatura, a matéria-prima SiC se dissolve e cristaliza sobre o cristal semente.
Principais características:
A temperatura de crescimento é baixa (1500-1800°C).
É possível cultivar cristais de SiC de alta qualidade e com poucos defeitos.
A taxa de crescimento é lenta, mas a uniformidade dos cristais é boa.
Aplicação: Adequado para a preparação de cristais de SiC de alta qualidade, como os utilizados em dispositivos optoeletrônicos.

(4) Epitaxia em fase líquida (LPE)
Princípio: Em solução de metal líquido, ocorre o crescimento epitaxial da matéria-prima SiC sobre o substrato.
Principais características:
A temperatura de crescimento é baixa (1000-1500°C).
Taxa de crescimento rápida, adequada para crescimento em película.
A qualidade do cristal é alta, mas a espessura é limitada.
Aplicação: Utilizado principalmente para o crescimento epitaxial de filmes de SiC, como sensores e dispositivos optoeletrônicos.

Principais aplicações do forno de cristal de carbeto de silício

O forno de cristalização de SiC é o equipamento principal para a preparação de cristais de SiC, e suas principais aplicações incluem:
Fabricação de dispositivos semicondutores de potência: Utilizado para o crescimento de cristais de 4H-SiC e 6H-SiC de alta qualidade como materiais de substrato para dispositivos de potência (como MOSFETs e diodos).
Aplicações: veículos elétricos, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação industriais, etc.

Fabricação de dispositivos de radiofrequência: Utilizada para o crescimento de cristais de SiC com poucos defeitos, que servem como substratos para dispositivos de radiofrequência, atendendo às necessidades de alta frequência das comunicações 5G, radares e comunicações via satélite.

Fabricação de dispositivos optoeletrônicos: Utilizado para o cultivo de cristais de SiC de alta qualidade como materiais de substrato para LEDs, detectores ultravioleta e lasers.

Pesquisa científica e produção em pequenos lotes: para pesquisa laboratorial e desenvolvimento de novos materiais, visando apoiar a inovação e a otimização da tecnologia de crescimento de cristais de SiC.

Fabricação de dispositivos para altas temperaturas: Utilizado para o crescimento de cristais de SiC resistentes a altas temperaturas, que servem como material base para aplicações aeroespaciais e sensores de alta temperatura.

Equipamentos e serviços para fornos de SiC fornecidos pela empresa

A XKH concentra-se no desenvolvimento e fabricação de equipamentos para fornos de cristal de SiC, fornecendo os seguintes serviços:

Equipamentos personalizados: A XKH fornece fornos de crescimento personalizados com diversos métodos de crescimento, como PTV e TSSG, de acordo com as necessidades do cliente.

Suporte técnico: A XKH oferece aos clientes suporte técnico para todo o processo, desde a otimização do processo de crescimento de cristais até a manutenção dos equipamentos.

Serviços de Treinamento: A XKH oferece treinamento operacional e orientação técnica aos clientes para garantir a operação eficiente dos equipamentos.

Serviço pós-venda: A XKH oferece serviço pós-venda com resposta rápida e atualizações de equipamentos para garantir a continuidade da produção do cliente.

A tecnologia de crescimento de cristais de carbeto de silício (como PTV, Lely, TSSG, LPE) possui importantes aplicações nas áreas de eletrônica de potência, dispositivos de radiofrequência e optoeletrônica. A XKH fornece equipamentos avançados para fornos de SiC e uma gama completa de serviços para apoiar os clientes na produção em larga escala de cristais de SiC de alta qualidade e contribuir para o desenvolvimento da indústria de semicondutores.