Forno de crescimento de cristal de SiC Crescimento de lingote de SiC 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas PTV Lely TSSG Método de crescimento LPE
Principais métodos de crescimento de cristais e suas características
(1) Método de transferência física de vapor (PTV)
Princípio: Em altas temperaturas, a matéria-prima de SiC sublima em uma fase gasosa, que é posteriormente recristalizada no cristal semente.
Principais características:
Alta temperatura de crescimento (2000-2500°C).
É possível cultivar cristais de 4H-SiC e 6H-SiC de alta qualidade e tamanho grande.
A taxa de crescimento é lenta, mas a qualidade do cristal é alta.
Aplicação: Usado principalmente em semicondutores de potência, dispositivos de RF e outros campos de ponta.
(2) Método de Lely
Princípio: Os cristais são cultivados por sublimação espontânea e recristalização de pós de SiC em altas temperaturas.
Principais características:
O processo de crescimento não requer sementes e o tamanho do cristal é pequeno.
A qualidade do cristal é alta, mas a eficiência de crescimento é baixa.
Adequado para pesquisa laboratorial e produção de pequenos lotes.
Aplicação: Usado principalmente em pesquisa científica e preparação de cristais de SiC de pequeno tamanho.
(3) Método de crescimento da solução Top Seed (TSSG)
Princípio: Em uma solução de alta temperatura, a matéria-prima de SiC se dissolve e cristaliza no cristal semente.
Principais características:
A temperatura de crescimento é baixa (1500-1800°C).
É possível cultivar cristais de SiC de alta qualidade e baixo teor de defeitos.
A taxa de crescimento é lenta, mas a uniformidade dos cristais é boa.
Aplicação: Adequado para a preparação de cristais de SiC de alta qualidade, como dispositivos optoeletrônicos.
(4) Epitaxia em fase líquida (LPE)
Princípio: Em solução de metal líquido, crescimento epitaxial da matéria-prima SiC no substrato.
Principais características:
A temperatura de crescimento é baixa (1000-1500°C).
Taxa de crescimento rápida, adequada para crescimento de filmes.
A qualidade do cristal é alta, mas a espessura é limitada.
Aplicação: Usado principalmente para crescimento epitaxial de filmes de SiC, como sensores e dispositivos optoeletrônicos.
As principais formas de aplicação do forno de cristal de carboneto de silício
O forno de cristal de SiC é o equipamento principal para a preparação de cristais de SiC, e suas principais formas de aplicação incluem:
Fabricação de dispositivos semicondutores de potência: usados para cultivar cristais de 4H-SiC e 6H-SiC de alta qualidade como materiais de substrato para dispositivos de potência (como MOSFETs, diodos).
Aplicações: veículos elétricos, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação industriais, etc.
Fabricação de dispositivos de RF: usados para cultivar cristais de SiC de baixo defeito como substratos para dispositivos de RF para atender às necessidades de alta frequência de comunicações 5G, radar e comunicações por satélite.
Fabricação de dispositivos optoeletrônicos: usados para cultivar cristais de SiC de alta qualidade como materiais de substrato para LEDs, detectores ultravioleta e lasers.
Pesquisa científica e produção em pequenos lotes: para pesquisa laboratorial e desenvolvimento de novos materiais para dar suporte à inovação e otimização da tecnologia de crescimento de cristais de SiC.
Fabricação de dispositivos de alta temperatura: usado para cultivar cristais de SiC resistentes a altas temperaturas como material base para sensores aeroespaciais e de alta temperatura.
Equipamentos e serviços de fornos de SiC fornecidos pela empresa
A XKH se concentra no desenvolvimento e na fabricação de equipamentos para fornos de cristal SIC, fornecendo os seguintes serviços:
Equipamentos personalizados: A XKH fornece fornos de crescimento personalizados com vários métodos de crescimento, como PTV e TSSG, de acordo com as necessidades do cliente.
Suporte técnico: A XKH fornece aos clientes suporte técnico para todo o processo, desde a otimização do processo de crescimento de cristais até a manutenção do equipamento.
Serviços de treinamento: a XKH fornece treinamento operacional e orientação técnica aos clientes para garantir a operação eficiente do equipamento.
Serviço pós-venda: A XKH oferece serviço pós-venda de resposta rápida e atualizações de equipamentos para garantir a continuidade da produção do cliente.
A tecnologia de crescimento de cristais de carboneto de silício (como PTV, Lely, TSSG, LPE) possui aplicações importantes nas áreas de eletrônica de potência, dispositivos de RF e optoeletrônica. A XKH fornece equipamentos avançados para fornos de SiC e uma gama completa de serviços para apoiar os clientes na produção em larga escala de cristais de SiC de alta qualidade e contribuir para o desenvolvimento da indústria de semicondutores.
Diagrama Detalhado
