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Wafer de carboneto de silício SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semi-isolante de alta pureza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 polegadas disponível

Wafer de carboneto de silício SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semi-isolante de alta pureza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 polegadas disponível Imagem em destaque
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Breve descrição:

Oferecemos uma seleção diversificada de wafers de SiC (carboneto de silício) de alta qualidade, com foco particular em wafers tipo N 4H-N e 6H-N, que são ideais para aplicações em optoeletrônica avançada, dispositivos de energia e ambientes de alta temperatura . Esses wafers tipo N são conhecidos por sua condutividade térmica excepcional, excelente estabilidade elétrica e durabilidade notável, tornando-os perfeitos para aplicações de alto desempenho, como eletrônica de potência, sistemas de acionamento de veículos elétricos, inversores de energia renovável e fontes de alimentação industriais. Além de nossas ofertas do tipo N, também fornecemos wafers de SiC tipo P 4H/6H-P e 3C para necessidades especializadas, incluindo dispositivos de alta frequência e RF, bem como aplicações fotônicas. Nossos wafers estão disponíveis em tamanhos que variam de 2 a 8 polegadas e fornecemos soluções personalizadas para atender às necessidades específicas de diversos setores industriais. Para mais detalhes ou dúvidas, não hesite em contactar-nos.


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Propriedades

4H-N e 6H-N (wafers de SiC tipo N)

Aplicativo:Usado principalmente em eletrônica de potência, optoeletrônica e aplicações de alta temperatura.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:350 μm ± 25 μm, com espessuras opcionais de 500 μm ± 25 μm.

Resistividade:4H/6H-P tipo N: ≤ 0,1 Ω·cm (grau Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grau P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grau Z), ≤ 1 mΩ·cm (grau P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade do Microtubo (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm para todos os diâmetros.

Urdidura: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para wafers de 8 polegadas).

Exclusão de borda:3 mm a 6 mm dependendo do tipo de wafer.

Embalagem:Cassete multi-wafer ou recipiente de wafer único.

Ohter tamanho disponível 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas

HPSI (wafers de SiC semi-isolantes de alta pureza)

Aplicativo:Usado para dispositivos que exigem alta resistência e desempenho estável, como dispositivos de RF, aplicações fotônicas e sensores.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:Espessura padrão de 350 μm ± 25 μm com opções para wafers mais grossos de até 500 μm.

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidade do Microtubo (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Resistividade:Alta resistência, normalmente utilizada em aplicações semi-isolantes.

Urdidura: ≤ 30 μm (para tamanhos menores), ≤ 45 μm para diâmetros maiores.

TTV: ≤ 10 μm.

Ohter tamanho disponível 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas

4H-P、6H-P&3C Bolacha de SiC(Waffers de SiC tipo P)

Aplicativo:Principalmente para dispositivos de potência e alta frequência.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:350 μm ± 25 μm ou opções personalizadas.

Resistividade:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grau Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grau P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade do Microtubo (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Exclusão de borda:3 mm a 6 mm.

Urdidura: ≤ 30 μm para tamanhos menores, ≤ 45 μm para tamanhos maiores.

Ohter tamanho disponível 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas5×5 10×10

Tabela de parâmetros de dados parciais

Propriedade

2 polegadas

3 polegadas

4 polegadas

6 polegadas

8 polegadas

Tipo

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diâmetro

50,8±0,3mm

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3 mm

200±0,3mm

Grossura

330 ± 25um

350 ±25um

350 ±25um

350 ±25um

350 ±25um

350±25um;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

ou personalizado

ou personalizado

ou personalizado

ou personalizado

ou personalizado

Rugosidade

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Urdidura

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Arranhar/Escavar

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Forma

Redondo, plano 16 mm; DE comprimento 22 mm; DE Comprimento 30/32,5mm; DE Comprimento 47,5 mm; ENTALHE; ENTALHE;

Bisel

45°, SEMI Spec; Forma C

 Nota

Grau de produção para MOS e SBD; Grau de pesquisa; Grau fictício, grau de wafer de semente

Observações

Diâmetro, Espessura, Orientação, especificações acima podem ser personalizadas mediante sua solicitação

 

Aplicativos

·Eletrônica de Potência

Os wafers SiC tipo N são cruciais em dispositivos eletrônicos de potência devido à sua capacidade de lidar com alta tensão e alta corrente. Eles são comumente usados ​​em conversores de energia, inversores e acionamentos de motores para indústrias como energia renovável, veículos elétricos e automação industrial.

· Optoeletrônica
Os materiais SiC tipo N, especialmente para aplicações optoeletrônicas, são empregados em dispositivos como diodos emissores de luz (LEDs) e diodos laser. Sua alta condutividade térmica e amplo bandgap os tornam ideais para dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho.

·Aplicações de alta temperatura
Os wafers SiC 4H-N 6H-N são adequados para ambientes de alta temperatura, como em sensores e dispositivos de energia usados ​​em aplicações aeroespaciais, automotivas e industriais, onde a dissipação de calor e a estabilidade em temperaturas elevadas são críticas.

·Dispositivos RF
Os wafers SiC 4H-N 6H-N são usados ​​em dispositivos de radiofrequência (RF) que operam em faixas de alta frequência. Eles são aplicados em sistemas de comunicação, tecnologia de radar e comunicações via satélite, onde são necessários alto desempenho e eficiência energética.

·Aplicações fotônicas
Na fotônica, os wafers de SiC são usados ​​para dispositivos como fotodetectores e moduladores. As propriedades únicas do material permitem que ele seja eficaz na geração, modulação e detecção de luz em sistemas de comunicação óptica e dispositivos de imagem.

·Sensores
Os wafers de SiC são usados ​​em diversas aplicações de sensores, especialmente em ambientes severos onde outros materiais podem falhar. Isso inclui sensores de temperatura, pressão e químicos, que são essenciais em áreas como automotiva, petróleo e gás e monitoramento ambiental.

·Sistemas de acionamento de veículos elétricos
A tecnologia SiC desempenha um papel significativo nos veículos elétricos, melhorando a eficiência e o desempenho dos sistemas de propulsão. Com os semicondutores de potência SiC, os veículos elétricos podem alcançar melhor vida útil da bateria, tempos de carregamento mais rápidos e maior eficiência energética.

·Sensores Avançados e Conversores Fotônicos
Em tecnologias avançadas de sensores, os wafers de SiC são usados ​​para criar sensores de alta precisão para aplicações em robótica, dispositivos médicos e monitoramento ambiental. Nos conversores fotônicos, as propriedades do SiC são exploradas para permitir a conversão eficiente de energia elétrica em sinais ópticos, o que é vital nas telecomunicações e na infraestrutura de internet de alta velocidade.

Perguntas e respostas

Q：O que é 4H em 4H SiC?
A："4H" em 4H SiC refere-se à estrutura cristalina do carboneto de silício, especificamente uma forma hexagonal com quatro camadas (H). O “H” indica o tipo de politipo hexagonal, distinguindo-o de outros politipos de SiC como 6H ou 3C.

Q：Qual é a condutividade térmica do 4H-SiC?
A:A condutividade térmica do 4H-SiC (carboneto de silício) é de aproximadamente 490-500 W/m·K à temperatura ambiente. Esta alta condutividade térmica o torna ideal para aplicações em eletrônica de potência e ambientes de alta temperatura, onde a dissipação eficiente de calor é crucial.

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