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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas

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Descrição curta:

Oferecemos uma seleção diversificada de wafers de SiC (Carbeto de Silício) de alta qualidade, com foco especial nos wafers tipo N 4H-N e 6H-N, ideais para aplicações em optoeletrônica avançada, dispositivos de energia e ambientes de alta temperatura. Esses wafers tipo N são conhecidos por sua excepcional condutividade térmica, excelente estabilidade elétrica e notável durabilidade, tornando-os perfeitos para aplicações de alto desempenho, como eletrônica de potência, sistemas de acionamento de veículos elétricos, inversores de energia renovável e fontes de alimentação industriais. Além de nossos produtos tipo N, também fornecemos wafers tipo P 4H/6H-P e 3C de SiC para necessidades específicas, incluindo dispositivos de alta frequência e RF, bem como aplicações fotônicas. Nossos wafers estão disponíveis em tamanhos que variam de 2 a 8 polegadas, e oferecemos soluções personalizadas para atender aos requisitos específicos de diversos setores industriais. Para mais detalhes ou dúvidas, entre em contato conosco.


Características

Propriedades

4H-N e 6H-N (wafers de SiC tipo N)

Aplicativo:Usado principalmente em eletrônica de potência, optoeletrônica e aplicações de alta temperatura.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:350 μm ± 25 μm, com espessuras opcionais de 500 μm ± 25 μm.

Resistividade:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grau Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grau P); tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grau Z), ≤ 1 mΩ·cm (grau P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade de microtubos (MPD):< 1 unidade/cm².

TTV: ≤ 10 μm para todos os diâmetros.

Urdidura: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para wafers de 8 polegadas).

Exclusão de Borda:3 mm a 6 mm, dependendo do tipo de wafer.

Embalagem:Cassete com vários wafers ou recipiente com um único wafer.

Outros tamanhos disponíveis 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas

HPSI (wafers de SiC semi-isolantes de alta pureza)

Aplicativo:Usado para dispositivos que exigem alta resistência e desempenho estável, como dispositivos de RF, aplicações fotônicas e sensores.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:Espessura padrão de 350 μm ± 25 μm com opções para wafers mais espessos de até 500 μm.

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidade de microtubos (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Resistividade:Alta resistência, normalmente usada em aplicações semi-isolantes.

Urdidura: ≤ 30 μm (para tamanhos menores), ≤ 45 μm para diâmetros maiores.

TTV: ≤ 10 μm.

Outros tamanhos disponíveis 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas

4H-P、6H-P&3C Wafer de SiC(Wafers de SiC tipo P)

Aplicativo:Principalmente para dispositivos de energia e alta frequência.

Faixa de diâmetro:50,8 mm a 200 mm.

Grossura:350 μm ± 25 μm ou opções personalizadas.

Resistividade:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grau Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grau P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade de microtubos (MPD):< 1 unidade/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Exclusão de Borda:3 mm a 6 mm.

Urdidura: ≤ 30 μm para tamanhos menores, ≤ 45 μm para tamanhos maiores.

Outros tamanhos disponíveis 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas5×5 10×10

Tabela de Parâmetros de Dados Parciais

Propriedade

2 polegadas

3 polegadas

4 polegadas

6 polegadas

8 polegadas

Tipo

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diâmetro

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3 mm

200 ± 0,3 mm

Grossura

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

ou personalizado

ou personalizado

ou personalizado

ou personalizado

ou personalizado

Rugosidade

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Urdidura

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Arranhar/Cavar

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Forma

Redondo, plano 16 mm; comprimento OF 22 mm; comprimento OF 30/32,5 mm; comprimento OF 47,5 mm; ENTALHE; ENTALHE;

Chanfro

45°, especificação SEMI; formato C

 Nota

Grau de produção para MOS&SBD; Grau de pesquisa; Grau fictício, Grau de wafer de semente

Observações

Diâmetro, espessura, orientação, especificações acima podem ser personalizadas mediante solicitação

 

Aplicações

·Eletrônica de Potência

Wafers de SiC tipo N são cruciais em dispositivos eletrônicos de potência devido à sua capacidade de lidar com altas tensões e correntes. São comumente usados em conversores de energia, inversores e acionamentos de motores para setores como energia renovável, veículos elétricos e automação industrial.

· Optoeletrônica
Materiais de SiC tipo N, especialmente para aplicações optoeletrônicas, são empregados em dispositivos como diodos emissores de luz (LEDs) e diodos laser. Sua alta condutividade térmica e ampla banda proibida os tornam ideais para dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho.

·Aplicações de alta temperatura
Os wafers de SiC 4H-N 6H-N são adequados para ambientes de alta temperatura, como em sensores e dispositivos de energia usados em aplicações aeroespaciais, automotivas e industriais, onde a dissipação de calor e a estabilidade em temperaturas elevadas são essenciais.

·Dispositivos de RF
Wafers de SiC 4H-N e 6H-N são utilizados em dispositivos de radiofrequência (RF) que operam em faixas de alta frequência. São aplicados em sistemas de comunicação, tecnologia de radar e comunicações via satélite, onde alta eficiência energética e desempenho são exigidos.

·Aplicações Fotônicas
Em fotônica, wafers de SiC são usados em dispositivos como fotodetectores e moduladores. As propriedades únicas do material permitem que ele seja eficaz na geração, modulação e detecção de luz em sistemas de comunicação óptica e dispositivos de imagem.

·Sensores
Os wafers de SiC são usados em uma variedade de aplicações de sensores, particularmente em ambientes hostis onde outros materiais podem falhar. Isso inclui sensores de temperatura, pressão e químicos, essenciais em setores como automotivo, petróleo e gás e monitoramento ambiental.

·Sistemas de acionamento de veículos elétricos
A tecnologia SiC desempenha um papel significativo nos veículos elétricos, melhorando a eficiência e o desempenho dos sistemas de propulsão. Com semicondutores de potência SiC, os veículos elétricos podem alcançar maior vida útil da bateria, tempos de carregamento mais rápidos e maior eficiência energética.

·Sensores Avançados e Conversores Fotônicos
Em tecnologias avançadas de sensores, wafers de SiC são usados para criar sensores de alta precisão para aplicações em robótica, dispositivos médicos e monitoramento ambiental. Em conversores fotônicos, as propriedades do SiC são exploradas para permitir a conversão eficiente de energia elétrica em sinais ópticos, o que é vital em telecomunicações e infraestrutura de internet de alta velocidade.

Perguntas e respostas

QPergunta: O que é 4H em 4H SiC?
A："4H" em 4H SiC refere-se à estrutura cristalina do carboneto de silício, especificamente uma forma hexagonal com quatro camadas (H). O "H" indica o tipo de politipo hexagonal, distinguindo-o de outros politipos de SiC, como 6H ou 3C.

QPergunta: Qual é a condutividade térmica do 4H-SiC?
AA condutividade térmica do 4H-SiC (Carbeto de Silício) é de aproximadamente 490-500 W/m·K à temperatura ambiente. Essa alta condutividade térmica o torna ideal para aplicações em eletrônica de potência e ambientes de alta temperatura, onde a dissipação eficiente de calor é crucial.

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