Substrato SiC Dia200mm 4H-N e carboneto de silício HPSI

Breve descrição:

O substrato de carboneto de silício (wafer SiC) é um material semicondutor de banda larga com excelentes propriedades físicas e químicas, particularmente excelente em ambientes de alta temperatura, alta frequência, alta potência e alta radiação. 4H-V é uma das estruturas cristalinas do carboneto de silício. Além disso, os substratos de SiC possuem boa condutividade térmica, o que significa que podem dissipar efetivamente o calor gerado pelos dispositivos durante a operação, aumentando ainda mais a confiabilidade e a vida útil dos dispositivos.

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4H-N e HPSI é um politipo de carboneto de silício (SiC), com uma estrutura cristalina composta por unidades hexagonais compostas por quatro átomos de carbono e quatro átomos de silício. Esta estrutura confere ao material excelentes características de mobilidade eletrônica e tensão de ruptura. Entre todos os politipos de SiC, 4H-N e HPSI são amplamente utilizados no campo da eletrônica de potência devido à sua mobilidade balanceada de elétrons e buracos e maior condutividade térmica.

O surgimento de substratos de SiC de 8 polegadas representa um avanço significativo para a indústria de semicondutores de potência. Os materiais semicondutores tradicionais à base de silício sofrem uma queda significativa no desempenho sob condições extremas, como altas temperaturas e altas tensões, enquanto os substratos de SiC podem manter seu excelente desempenho. Em comparação com substratos menores, os substratos de SiC de 8 polegadas oferecem uma área maior de processamento de peça única, o que se traduz em maior eficiência de produção e custos mais baixos, cruciais para impulsionar o processo de comercialização da tecnologia de SiC.

A tecnologia de crescimento para substratos de carboneto de silício (SiC) de 8 polegadas requer precisão e pureza extremamente altas. A qualidade do substrato impacta diretamente o desempenho dos dispositivos subsequentes, por isso os fabricantes devem empregar tecnologias avançadas para garantir a perfeição cristalina e a baixa densidade de defeitos dos substratos. Isso normalmente envolve processos complexos de deposição química de vapor (CVD) e técnicas precisas de crescimento e corte de cristais. Os substratos 4H-N e HPSI SiC são particularmente amplamente utilizados no campo da eletrônica de potência, como em conversores de energia de alta eficiência, inversores de tração para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.

Podemos fornecer substrato SiC 4H-N de 8 polegadas, diferentes graus de wafers de estoque de substrato. Também podemos organizar a personalização de acordo com suas necessidades. Inquérito bem-vindo!