Substrato de SiC Dia200mm 4H-N e HPSI Carboneto de silício

4H-N e HPSI é um politipo de carboneto de silício (SiC), com uma estrutura de rede cristalina composta por unidades hexagonais compostas por quatro átomos de carbono e quatro átomos de silício. Essa estrutura confere ao material excelentes características de mobilidade eletrônica e tensão de ruptura. Dentre todos os politipos de SiC, o 4H-N e HPSI é amplamente utilizado na área de eletrônica de potência devido à sua mobilidade balanceada de elétrons e lacunas e à sua maior condutividade térmica.

O surgimento de substratos de SiC de 8 polegadas representa um avanço significativo para a indústria de semicondutores de potência. Materiais semicondutores tradicionais à base de silício apresentam uma queda significativa no desempenho sob condições extremas, como altas temperaturas e altas tensões, enquanto os substratos de SiC conseguem manter seu excelente desempenho. Comparados a substratos menores, os substratos de SiC de 8 polegadas oferecem uma área de processamento de peça única maior, o que se traduz em maior eficiência de produção e custos mais baixos, cruciais para impulsionar o processo de comercialização da tecnologia de SiC.

A tecnologia de crescimento para substratos de carboneto de silício (SiC) de 8 polegadas exige precisão e pureza extremamente altas. A qualidade do substrato impacta diretamente o desempenho dos dispositivos subsequentes, portanto, os fabricantes devem empregar tecnologias avançadas para garantir a perfeição cristalina e a baixa densidade de defeitos dos substratos. Isso normalmente envolve processos complexos de deposição química de vapor (CVD) e técnicas precisas de crescimento e corte de cristais. Substratos de SiC 4H-N e HPSI são particularmente amplamente utilizados na área de eletrônica de potência, como em conversores de potência de alta eficiência, inversores de tração para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.

Podemos fornecer substrato de SiC 4H-N de 8 polegadas, além de diferentes tipos de substratos em wafers. Também podemos personalizar de acordo com suas necessidades. Agradecemos sua consulta!